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公开(公告)号：CN110382745B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201880016577.8
申请日：2018-04-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔、并且该粗糙化处理铜箔在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率优异、而且电路密合性也优异的表面轮廓。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面是具备多个具有收缩部分的一次粗糙化颗粒而成的，一次粗糙化颗粒在包含收缩部分的表面具有多个比一次粗糙化颗粒小的二次粗糙化颗粒，收缩部分的二次粗糙化颗粒的个数除以收缩部分的表面积所得的值即二次粗糙化颗粒密度为9～30个/μm2，并且粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7～1.7μm。
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公开(公告)号：CN108464062A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201780006592.X
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供：在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、通过Cu蚀刻能在面内均匀地进行铜层的蚀刻、且能抑制局部的电路凹痕的发生的、印刷电路板的制造方法。该制造方法包括如下工序：使用依次具备表面铜层和蚀刻牺牲层的金属箔、或依次具备表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层的金属箔得到支撑体的工序；在表面铜层上形成至少包含铜制的第一布线层和绝缘层的积层布线层，得到带积层布线层的层叠体的工序；和，利用蚀刻液将表面铜层和蚀刻牺牲层、或表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层去除，使第一布线层露出，由此得到包含积层布线层的印刷电路板的工序。蚀刻牺牲层的蚀刻速率高于Cu。
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公开(公告)号：CN108464062B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201780006592.X
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供：在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、通过Cu蚀刻能在面内均匀地进行铜层的蚀刻、且能抑制局部的电路凹痕的发生的、印刷电路板的制造方法。该制造方法包括如下工序：使用依次具备表面铜层和蚀刻牺牲层的金属箔、或依次具备表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层的金属箔得到支撑体的工序；在表面铜层上形成至少包含铜制的第一布线层和绝缘层的积层布线层，得到带积层布线层的层叠体的工序；和，利用蚀刻液将表面铜层和蚀刻牺牲层、或表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层去除，使第一布线层露出，由此得到包含积层布线层的印刷电路板的工序。蚀刻牺牲层的蚀刻速率高于Cu。
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公开(公告)号：CN107428129B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201680017908.0
申请日：2016-02-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性的、带载体的极薄铜箔。本发明的带载体的极薄铜箔按照顺序具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm。极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。
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公开(公告)号：CN107614760A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031199.1
申请日：2016-06-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明可提供在覆铜层叠板的加工或印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性(尤其电路直线性)和与树脂的密合性的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，前述粗糙化处理面的依据ISO25178所测定的算术平均高度Sa(μm)与峰的顶点密度Spd(个/mm2)的乘积即Sa×Spd为250000μm/mm2以上，且依据JIS B0601-2001所测定的算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107429417A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680020446.8
申请日：2016-03-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性、而且对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔为在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。
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公开(公告)号：CN103975095B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201280059089.8
申请日：2012-11-30
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种激光加工性能优异、且能够在随后的蚀刻中获得在厚度方向上均匀的蚀刻速度的电解铜合金箔。为了实现该目的，本发明采用了通过对电解液进行电解而得到的电解铜合金箔，其特征在于，该电解铜合金箔的含锡量为8质量％～25质量％。作为该电解铜合金箔，优选结晶组织中的结晶粒为在厚度方向上延伸的柱状结晶。
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公开(公告)号：CN104160792A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380012438.5
申请日：2013-03-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H05K3/00 , B23K26/382 , C23F1/00 , C25D7/06
CPC classification number: H05K3/42 , H05K3/0035 , H05K3/0038 , H05K2201/0112 , Y10T29/49165 , Y10T428/12438
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够削减制造工序数，且激光加工性优异，能够良好地形成布线图案的印刷布线板的制造方法、激光加工用铜箔及覆铜层压板。为了实现该目的，本发明提供了一种印刷布线板的制造方法，其特征在于，对于在铜箔的表面具有针对铜蚀刻液的蚀刻速度比铜箔快、且吸收红外线激光的易溶性激光吸收层的激光加工用铜箔、和其它的导体层以夹持着绝缘层的方式层合而成的层合体，在将红外线激光直接照射在易溶性激光吸收层上来形成层间连接用的导通孔后，在除去导通孔内的胶渣的除胶渣工序和/或作为化学镀工序的前处理的微蚀刻工序中，从该铜箔的表面除去该易溶性激光吸收层。
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公开(公告)号：CN118765232A9
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380023827.1
申请日：2023-03-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供能够抑制操作时金属箔断裂或龟裂的产生的带载体的金属箔。该带载体的金属箔依次具备载体、剥离层和金属箔，载体的拉伸强度为50.0kgf/mm2以上，并且金属箔的拉伸强度为50.0kgf/mm2以上。
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公开(公告)号：CN111886367B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201980020819.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供一种粗糙化处理铜箔，其为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔，并且在用于SAP法的情况下，能够赋予层叠体不仅对化学镀铜层的蚀刻性和干膜分辨率优异、而且从抗剪强度的观点来看电路密合性也优异的表面轮廓。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面具备多个粗糙化颗粒而成，粗糙化处理铜箔的长度10μm的截面中的粗糙化颗粒的周长L(μm)的平方相对于粗糙化颗粒的面积S(μm2)之比L2/S的平均值为16以上且30以下，并且，粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7μm以上且1.7μm以下。
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