公开(公告)号：CN107428129A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017908.0

申请日：2016-02-29

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 中岛大辅 ,  花田彻 ,  吉川和广 ,  清水良宪

IPC: B32B15/01 ,  B32B15/08 ,  H05K1/09

CPC classification number: B32B15/01 ,  B32B15/08 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性的、带载体的极薄铜箔。本发明的带载体的极薄铜箔按照顺序具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm。极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。

公开(公告)号：CN107428129B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201680017908.0

申请日：2016-02-29

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 中岛大辅 ,  花田彻 ,  吉川和广 ,  清水良宪

IPC: B32B15/01 ,  B32B15/08 ,  H05K1/09

CPC classification number: B32B15/01 ,  B32B15/08 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性的、带载体的极薄铜箔。本发明的带载体的极薄铜箔按照顺序具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm。极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。