公开(公告)号：US20130285013A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13880706

申请日：2011-10-26

申请人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

发明人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/38 ,  H01L29/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10S977/734

摘要： Provided are a compound semiconductor device and a manufacturing method thereof. A substrate and a graphene oxide layer are provided on the substrate. A first compound semiconductor layer is provided on the graphene oxide layer. The first compound semiconductor layer is selectively grown from the substrate exposed by the graphene oxide.

摘要翻译： 提供一种化合物半导体器件及其制造方法。 衬底和石墨烯氧化物层设置在衬底上。 在石墨烯氧化物层上设置第一化合物半导体层。 从由石墨烯氧化物曝光的基板选择性地生长第一化合物半导体层。

公开(公告)号：US20130200424A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13880708

申请日：2011-10-26

申请人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

发明人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/38 ,  H01L29/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10S977/734

摘要： According to the present invention, a method for manufacturing a compound semiconductor comprises: forming a graphene-derived material layer on either a first selected substrate or a first selected compound semiconductor layer; forming a second compound semiconductor layer of at least one layer on at least said graphene-derived material layer, and changing the graphene-derived material layer so as to separate said second compound semiconductor layer of at least one layer.

摘要翻译： 根据本发明，一种化合物半导体的制造方法包括：在第一选定基板或第一选定化合物半导体层上形成石墨烯材料层; 在至少所述石墨烯衍生的材料层上形成至少一层的第二化合物半导体层，以及改变所述石墨烯衍生的材料层，以将至少一层的所述第二化合物半导体层分离。

公开(公告)号：US09214596B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US13880708

申请日：2011-10-26

申请人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

发明人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/36 ,  H01L29/06 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/38 ,  H01L29/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10S977/734

摘要： According to the present invention, a method for manufacturing a compound semiconductor comprises: forming a graphene-derived material layer on either a first selected substrate or a first selected compound semiconductor layer; forming a second compound semiconductor layer of at least one layer on at least said graphene-derived material layer, and changing the graphene-derived material layer so as to separate said second compound semiconductor layer of at least one layer.

摘要翻译： 根据本发明，一种化合物半导体的制造方法包括：在第一选定基板或第一选定化合物半导体层上形成石墨烯材料层; 在至少所述石墨烯衍生的材料层上形成至少一层的第二化合物半导体层，以及改变所述石墨烯衍生的材料层，以将至少一层的所述第二化合物半导体层分离。

公开(公告)号：US08878233B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13880706

申请日：2011-10-26

申请人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

发明人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L33/12 ,  H01L21/36 ,  H01L29/06 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/38 ,  H01L29/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10S977/734

摘要： Provided are a compound semiconductor device and a manufacturing method thereof. A substrate and a graphene oxide layer are provided on the substrate. A first compound semiconductor layer is provided on the graphene oxide layer. The first compound semiconductor layer is selectively grown from the substrate exposed by the graphene oxide.

摘要翻译： 提供一种化合物半导体器件及其制造方法。 衬底和石墨烯氧化物层设置在衬底上。 在石墨烯氧化物层上设置第一化合物半导体层。 从由石墨烯氧化物曝光的基板选择性地生长第一化合物半导体层。

公开(公告)号：US20060205197A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11202126

申请日：2005-08-11

申请人： Gyu-Chul Yi ,  Sung-Jin An ,  Yong-Jin Kim ,  Dong-Kun Lee

发明人： Gyu-Chul Yi ,  Sung-Jin An ,  Yong-Jin Kim ,  Dong-Kun Lee

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/739 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035281 ,  H01L33/007

摘要： A compound semiconductor device and method of manufacturing the same. The method includes coating a plurality of spherical balls on a substrate and selectively growing a compound semiconductor thin film on the substrate on which the spherical balls are coated. The entire process can be simplified and a high-quality compound semiconductor thin film can be grown in a short amount of time in comparison to an epitaxial lateral overgrowth (ELO) method.

摘要翻译： 一种化合物半导体器件及其制造方法。 该方法包括在基板上涂覆多个球形球，并且在其上涂覆有球形球的基底上选择性地生长化合物半导体薄膜。 与外延横向过度生长（ELO）方法相比，可以简化整个过程并且可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。

公开(公告)号：US20070184975A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US10598631

申请日：2005-03-11

申请人： Gyu-chul Yi ,  Sung-Jin An

发明人： Gyu-chul Yi ,  Sung-Jin An

IPC分类号： B01J27/24

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B01J21/063 ,  B01J23/06 ,  B01J23/54 ,  B01J23/66 ,  B01J23/76 ,  B01J35/0013 ,  B01J35/004 ,  B01J37/0238 ,  B01J37/347

摘要： Disclosed is a photocatalyst having a matrix which comprises a substrate and oxide-based nanomaterial formed on the substrate. The photocatalyst has a ratio of area to volume that is higher than a conventional photocatalyst having the same components, and also has a nano-sized photocatalytic layer. Thereby, it has excellent photolytic properties.

摘要翻译： 公开了一种具有基质的光催化剂，该基质包括在基材上形成的基材和基于氧化物的纳米材料。 光催化剂具有比具有相同组分的常规光催化剂高的面积与体积的比率，并且还具有纳米尺寸的光催化层。 因此，其具有优异的光解性。

公开(公告)号：US20070045660A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11411557

申请日：2006-04-25

申请人： Gyu Chul Yi ,  Sung-Jin An

发明人： Gyu Chul Yi ,  Sung-Jin An

IPC分类号： H01L29/732

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18

摘要： A heterojunction structure composed of a nitride semiconductor thin film and nanostructures epitaxially grown thereon exhibits high luminescence efficiency property due to facilitated tunneling of electrons through the nano-sized junction, and thus can be advantageously used in light emitting devices.

摘要翻译： 由氮化物半导体薄膜和外延生长的纳米结构构成的异质结结构由于电子穿过纳米尺寸的结而促进了发光效率的特性，因此可有利地用于发光器件中。

公开(公告)号：US20080315229A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12064235

申请日：2005-08-19

申请人： Gyu-chul Yi ,  Sung-Jin An

发明人： Gyu-chul Yi ,  Sung-Jin An

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/42 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/387 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5262 ,  Y10S977/762

摘要： Disclosed herein is an electrical light-emitting device including a transparent conductive nanorod type electrode, in which transparent conductive nanorods grown perpendicular to a light-emitting layer are used as the electrode. Hence, light is not absorbed by the electrode, and tunneling easily occurs due to nanocontact of the nanorods, thus increasing current injection efficiency, and also, total internal reflections decrease. Thereby, the light-emitting device according to this invention has light-emitting properties and luminous efficiency superior to conventional light-emitting devices, including metal electrodes or thin film type transparent electrodes.

摘要翻译： 本发明公开了一种包括透明导电纳米棒型电极的电发光器件，其中垂直于发光层生长的透明导电纳米棒用作电极。 因此，光不被电极吸收，并且由于纳米棒的纳米接触容易发生隧道化，从而增加电流注入效率，并且总内部反射降低。 由此，本发明的发光装置的发光特性和发光效率优于常规的发光装置，包括金属电极或薄膜型透明电极。

公开(公告)号：US20050179052A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US10971488

申请日：2004-10-22

申请人： Gyu Yi ,  Sung-Jin An

发明人： Gyu Yi ,  Sung-Jin An

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L31/072 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18

摘要： A heterojunction structure composed of a nitride semiconductor thin film and nanostructures epitaxially grown thereon exhibits high luminescence efficiency property due to facilitated tunneling of electrons through the nano-sized junction, and thus can be advantageously used in light emitting devices.

摘要翻译： 由氮化物半导体薄膜和外延生长的纳米结构构成的异质结结构由于电子穿过纳米尺寸的结而促进了发光效率的特性，因此可有利地用于发光器件中。

公开(公告)号：US20090148982A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12357205

申请日：2009-01-21

申请人： Gyu-Chul Yi ,  Sung-Jin An ,  Yong-Jin Kim ,  Dong-Kun Lee

发明人： Gyu-Chul Yi ,  Sung-Jin An ,  Yong-Jin Kim ,  Dong-Kun Lee

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035281 ,  H01L33/007

摘要： A compound semiconductor device and method of manufacturing the same. The method includes coating a plurality of spherical balls on a substrate and selectively growing a compound semiconductor thin film on the substrate on which the spherical balls are coated. The entire process can be simplified and a high-quality compound semiconductor thin film can be grown in a short amount of time in comparison to an epitaxial lateral overgrowth (ELO) method.

摘要翻译： 一种化合物半导体器件及其制造方法。 该方法包括在基板上涂覆多个球形球，并且在其上涂覆有球形球的基底上选择性地生长化合物半导体薄膜。 与外延横向过度生长（ELO）方法相比，可以简化整个过程并且可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。