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发明申请
US20070045660A1 Heterojunction structure of nitride semiconductor and nano-device or an array thereof comprising same 审中-公开
氮化物半导体和纳米器件的异质结结构或其包括其的阵列

  • 专利标题： Heterojunction structure of nitride semiconductor and nano-device or an array thereof comprising same
  • 专利标题（中）： 氮化物半导体和纳米器件的异质结结构或其包括其的阵列
  • 申请号： US11411557
    申请日： 2006-04-25
  • 公开(公告)号： US20070045660A1
    公开(公告)日： 2007-03-01
  • 发明人: Gyu Chul Yi , Sung-Jin An
  • 申请人： Gyu Chul Yi , Sung-Jin An
  • 专利权人： POSTECH FOUNDATION
  • 当前专利权人： POSTECH FOUNDATION
  • 优先权： KR2004-0009263 20041202
  • 主分类号： H01L29/732
  • IPC分类号： H01L29/732
Heterojunction structure of nitride semiconductor and nano-device or an array thereof comprising same
摘要：
A heterojunction structure composed of a nitride semiconductor thin film and nanostructures epitaxially grown thereon exhibits high luminescence efficiency property due to facilitated tunneling of electrons through the nano-sized junction, and thus can be advantageously used in light emitting devices.
摘要（中）：

由氮化物半导体薄膜和外延生长的纳米结构构成的异质结结构由于电子穿过纳米尺寸的结而促进了发光效率的特性，因此可有利地用于发光器件中。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70 ...双极器件
H01L29/72 ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/73 .....双极结型晶体管
H01L29/732 ......纵向晶体管
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