公开(公告)号：US20050243595A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：US10868578

申请日：2004-06-15

申请人： Darrell Rinerson ,  Christophe Chevallier ,  Philip Swab ,  Steve Hsia ,  John Sanchez ,  Mary Calarrudo ,  Steven Longcor ,  Wayne Kinney

发明人： Darrell Rinerson ,  Christophe Chevallier ,  Philip Swab ,  Steve Hsia ,  John Sanchez ,  Mary Calarrudo ,  Steven Longcor ,  Wayne Kinney

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/02

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C11/5614 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79

摘要： A memory including a memory element having islands is provided. The memory has address decoding circuitry and an array of memory plugs. The memory plugs include memory element that have island structures of a first material within the bulk of a second material. The island structures are typically nanoparticles. The memory plugs can be placed in a first resistive state at a first write voltage, placed in a second resistive state at a second write voltage, and have its resistive state determined at a read voltage.

摘要翻译： 提供了包括具有岛的存储元件的存储器。 存储器具有地址解码电路和一组存储器插头。 存储器插头包括在第二材料的主体内具有第一材料的岛结构的存储元件。 岛结构通常是纳米颗粒。 存储器插头可以以第一写入电压处于第一电阻状态，以第二写入电压置于第二电阻状态，并且在读取电压下确定其电阻状态。