公开(公告)号：US20170053977A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：US15342872

申请日：2016-11-03

申请人： Christopher J. Jezewski ,  Kevin P. O'Brien

发明人： Christopher J. Jezewski ,  Kevin P. O'Brien

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Vertical meander inductors for small core voltage regulators and approaches to fabricating vertical meander inductors for small core voltage regulators are described. For example, a semiconductor die includes a substrate. An integrated circuit is disposed on an active surface of the substrate. An inductor is coupled to the integrated circuit. The inductor is disposed conformal with an insulating layer disposed on an essentially planar surface of the substrate. The insulating layer has an undulating topography.

摘要翻译： 描述了用于小型电压调节器的垂直偏转电感器和用于制造小型电压调节器的垂直偏转电感器的方法。 例如，半导体管芯包括衬底。 集成电路设置在基板的有源表面上。 电感器耦合到集成电路。 电感器设置成与设置在基板的基本上平坦的表面上的绝缘层共形。 绝缘层具有起伏的形貌。

公开(公告)号：US20140084414A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US13629168

申请日：2012-09-27

申请人： Christopher J. Jezewski ,  Kevin P. O'Brien

发明人： Christopher J. Jezewski ,  Kevin P. O'Brien

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Vertical meander inductors for small core voltage regulators and approaches to fabricating vertical meander inductors for small core voltage regulators are described. For example, a semiconductor die includes a substrate. An integrated circuit is disposed on an active surface of the substrate. An inductor is coupled to the integrated circuit. The inductor is disposed conformal with an insulating layer disposed on an essentially planar surface of the substrate. The insulating layer has an undulating topography.

摘要翻译： 描述了用于小型电压调节器的垂直偏转电感器和用于制造小型电压调节器的垂直偏转电感器的方法。 例如，半导体管芯包括衬底。 集成电路设置在基板的有源表面上。 电感器耦合到集成电路。 电感器设置成与设置在基板的基本上平坦的表面上的绝缘层共形。 绝缘层具有起伏的形貌。

公开(公告)号：US08584103B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12817999

申请日：2010-06-17

申请人： Uday Kumar Bondhugula ,  Alexandre E. Eichenberger ,  John Kevin P. O'Brien ,  Lakshminarayanan Renganarayana ,  Yuan Zhao

发明人： Uday Kumar Bondhugula ,  Alexandre E. Eichenberger ,  John Kevin P. O'Brien ,  Lakshminarayanan Renganarayana ,  Yuan Zhao

IPC分类号： G06F9/44 ,  G06F9/45 ,  G06F9/46

CPC分类号： G06F8/443 ,  G06F8/51

摘要： An example embodiment disclosed is a method for reducing parallelism of computer source code. The method includes receiving multi-threaded program source code and representing the multi-threaded program source code as a polyhedral framework stored in computer readable memory. The polyhedral framework is used to convert the polyhedral framework from the multi-threaded program source code representation to a single-threaded program source code representation.

摘要翻译： 所公开的示例性实施例是用于减少计算机源代码的并行性的方法。 该方法包括接收多线程程序源代码并将多线程程序源代码表示为存储在计算机可读存储器中的多面体框架。 多面体框架用于将多面体框架从多线程程序源代码表示转换为单线程程序源代码表示。

公开(公告)号：US20110260319A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13103267

申请日：2011-05-09

申请人： Shriram Ramanathan ,  Patrick Morrow ,  Scott List ,  Michael Y. Chan ,  Mauro J. Kobrinsky ,  Sarah E. Kim ,  Kevin P. O'Brien ,  Michael C. Harmes ,  Thomas Marieb

发明人： Shriram Ramanathan ,  Patrick Morrow ,  Scott List ,  Michael Y. Chan ,  Mauro J. Kobrinsky ,  Sarah E. Kim ,  Kevin P. O'Brien ,  Michael C. Harmes ,  Thomas Marieb

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041

摘要： Three-dimensional stacked substrate arrangements with reliable bonding and inter-substrate protection.

摘要翻译： 具有可靠接合和衬底保护的三维堆叠衬底布置。

公开(公告)号：US07658975B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US10735122

申请日：2003-12-12

申请人： Grant Kloster ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Kevin P. O'brien

发明人： Grant Kloster ,  Robert P. Meagley ,  Michael D. Goodner ,  Kevin P. O'brien

IPC分类号： B05D5/00 ,  B05D1/40

CPC分类号： B32B3/26 ,  B32B2310/12 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/76814 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249993 ,  Y10T428/31663

摘要： Method and structure for minimizing the downsides associated with microelectronic device processing adjacent porous dielectric materials are disclosed. In particular, chemical protocols are disclosed wherein porous dielectric materials may be sealed by attaching coupling agents to the surfaces of pores. The coupling agents may form all or part of caps on reactive groups in the dielectric surface or may crosslink to seal pores in the dielectric.

摘要翻译： 公开了用于最小化与邻近多孔电介质材料的微电子器件处理有关的缺点的方法和结构。 特别地，公开了化学方案，其中可以通过将偶联剂附着到孔的表面来密封多孔介电材料。 偶联剂可以在电介质表面中的反应性基团上形成全部或部分盖，或者可以交联以密封电介质中的孔。

公开(公告)号：US07238604B2

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：US10422432

申请日：2003-04-24

申请人： Grant M. Kloster ,  Kevin P. O'Brien ,  David H. Gracias ,  Hyun-Mog Park ,  Vijayakumar S. Ramachandrarao

发明人： Grant M. Kloster ,  Kevin P. O'Brien ,  David H. Gracias ,  Hyun-Mog Park ,  Vijayakumar S. Ramachandrarao

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76885

摘要： A thin hard mask is formed over a semiconductor substrate. The thin hard mask allows diffusion of a sacrificial material or pore-forming agent therethrough to form an underlying air gap or porous dielectric region. The thin hard mask may be a polymer or an initially porous material that may be later densified. The thin hard mask may be used to prevent etch steps used in forming an unlanded via from reaching layers below the hard mask.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成薄的硬掩模。 薄的硬掩模允许牺牲材料或成孔剂通过其扩散以形成下面的气隙或多孔介电区域。 薄的硬掩模可以是聚合物或可以稍后致密化的最初多孔材料。 可以使用薄的硬掩模来防止用于形成未上空通孔的蚀刻步骤到达硬掩模下方的层。

公开(公告)号：US07119019B2

公开(公告)日：2006-10-10

申请号：US10814592

申请日：2004-03-31

申请人： Kevin P. O'Brien ,  Justin K. Brask

发明人： Kevin P. O'Brien ,  Justin K. Brask

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1666 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288

摘要： Capping of copper structures in hydrophobic interlayer dielectric layer, using aqueous electro-less bath is described herein.

摘要翻译： 本文描述了使用水性无电极浴来疏水层间介电层中铜结构的封盖。

公开(公告)号：US07109557B2

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：US10963839

申请日：2004-10-12

申请人： Chris E. Barns ,  Kevin P. O'Brien ,  Anne E. Miller

发明人： Chris E. Barns ,  Kevin P. O'Brien ,  Anne E. Miller

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212

摘要： A method of forming a microelectronic structure and its associated structures is described. In one embodiment, a substrate is provided with a sacrificial layer disposed on a hard mask layer, and a metal layer disposed in a trench of the substrate and on the sacrificial layer. The metal layer is then removed at a first removal rate wherein a dishing is induced on a top surface of the metal layer until the sacrificial layer is exposed, and simultaneously removing the metal layer and the sacrificial layer at a second removal rate without substantially removing the hard mask.

摘要翻译： 描述了形成微电子结构及其相关结构的方法。 在一个实施例中，衬底设置有设置在硬掩模层上的牺牲层，以及设置在衬底的沟槽中和牺牲层上的金属层。 然后以第一去除速率去除金属层，其中在金属层的顶表面上诱导凹陷，直到牺牲层被暴露，同时以第二移除速率去除金属层和牺牲层，而基本上不去除 硬面膜

公开(公告)号：US07029723B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10337524

申请日：2003-01-07

申请人： Tian-An Chen ,  Robert Meagley ,  Kevin P. O'Brien ,  Michael D. Goodner ,  James Powers

发明人： Tian-An Chen ,  Robert Meagley ,  Kevin P. O'Brien ,  Michael D. Goodner ,  James Powers

IPC分类号： C23C16/38 ,  C23C16/28

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

摘要： Carborane may be used as a precursor to form low dielectric constant dielectrics. The carborane material may be modified to enable it to be deposited by chemical vapor deposition.

摘要翻译： 碳硼烷可用作前体以形成低介电常数电介质。 可以修饰碳硼烷材料以使其能够通过化学气相沉积沉积。

公开(公告)号：US06737365B1

公开(公告)日：2004-05-18

申请号：US10395447

申请日：2003-03-24

申请人： Grant M. Kloster ,  Kevin P. O'Brien ,  Justin K. Brask ,  Michael D. Goodner ,  Donald Bruner

发明人： Grant M. Kloster ,  Kevin P. O'Brien ,  Justin K. Brask ,  Michael D. Goodner ,  Donald Bruner

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682

摘要： A dielectric layer is made porous by treating the dielectric material after metal interconnects are formed in or through that layer. The porosity lowers the dielectric constant of the dielectric material. The dielectric material may be subjected to an electron beam or a sonication bath to create the pores. The structure has smooth sidewalls for metal interconnects extending through the dielectric layer.