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    Methods and apparatus for treating exhaust gas in a processing system
    1.
    发明授权
    Methods and apparatus for treating exhaust gas in a processing system 有权
    在处理系统中处理废气的方法和装置

    公开(公告)号：US08747762B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US12957539

    申请日：2010-12-01

    申请人： Colin John Dickinson ,  Mehran Moalem ,  Daniel O. Clark

    发明人： Colin John Dickinson ,  Mehran Moalem ,  Daniel O. Clark

    IPC分类号： B01J19/08

    CPC分类号： B01D53/32 ,  B01D53/92 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/122 ,  B01D2259/80 ,  B01D2259/818 ,  C23C16/4412

    摘要： Methods and apparatus for treating an exhaust gas in a foreline of a substrate processing system are provided herein. In some embodiments, an apparatus for treating an exhaust gas in a foreline of a substrate processing system includes a plasma source coupled to a foreline of a process chamber, a reagent source coupled to the foreline upstream of the plasma source, and a foreline gas injection kit coupled to the foreline to controllably deliver a gas to the foreline, wherein the foreline injection kit includes a pressure regulator to set a foreline gas delivery pressure setpoint, and a first pressure gauge coupled to monitor a delivery pressure of the gas upstream of the foreline.

    摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底处理系统的前级管线中的废气的方法和装置。 在一些实施例中，用于处理衬底处理系统的前级管线中的废气的装置包括耦合到处理室的前级管线的等离子体源，耦合到等离子体源上游的前级管线的试剂源和前级气体注入 前级管线注入套件包括用于设定前级气体输送压力设定点的压力调节器，以及耦合以监测前级管线上游气体的输送压力的第一压力表， 。

    METHODS AND APPARATUS FOR RECOVERY AND REUSE OF REAGENTS
    2.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR RECOVERY AND REUSE OF REAGENTS 审中-公开
    回收和再次使用试剂的方法和装置

    公开(公告)号：US20120091099A1

    公开(公告)日：2012-04-19

    申请号：US13238721

    申请日：2011-09-21

    申请人： MICHAEL KIEFER ,  ANDREAS NEUBER ,  DENIS DAVID ,  DANIEL O. CLARK ,  PHIL CHANDLER

    发明人： MICHAEL KIEFER ,  ANDREAS NEUBER ,  DENIS DAVID ,  DANIEL O. CLARK ,  PHIL CHANDLER

    IPC分类号： C23F1/00 ,  B08B3/08 ,  B08B7/00 ,  C23F1/08

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Methods and apparatus for recovery and reuse of reagents are provided herein. In some embodiments, a system for processing substrates may include a process chamber for processing a substrate; a reagent source coupled to the process chamber to provide a reagent to the process chamber; and a reagent recovery system to collect, and at least one of purify or concentrate the reagent recovered from an effluent exhausted from the process chamber. In some embodiments, a method for recovering unreacted reagent may include providing reagent from a reagent source to a process chamber; exposing a substrate disposed in the process chamber to the reagent, forming an effluent; exhausting the effluent from the process chamber; and recovering unreacted reagent from the effluent in a reagent recovery system.

    摘要翻译： 本文提供了试剂的回收和再利用的方法和设备。 在一些实施例中，用于处理衬底的系统可以包括用于处理衬底的处理室; 耦合到处理室以向处理室提供试剂的试剂源; 以及试剂回收系统，用于收集从所述处理室排出的流出物中回收的试剂的净化或浓缩中的至少一种。 在一些实施方案中，用于回收未反应试剂的方法可包括将试剂从试剂源提供至处理室; 将设置在处理室中的衬底暴露于试剂，形成流出物; 从处理室排出污水; 以及在试剂回收系统中从流出物中回收未反应的试剂。

    METHODS AND APPARATUS FOR TREATING EXHAUST GAS IN A PROCESSING SYSTEM
    3.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR TREATING EXHAUST GAS IN A PROCESSING SYSTEM 有权
    在处理系统中处理排气的方法和装置

    公开(公告)号：US20110135552A1

    公开(公告)日：2011-06-09

    申请号：US12957539

    申请日：2010-12-01

    申请人： COLIN JOHN DICKINSON ,  MEHRAN MOALEM ,  DANIEL O. CLARK

    发明人： COLIN JOHN DICKINSON ,  MEHRAN MOALEM ,  DANIEL O. CLARK

    IPC分类号： B01D53/68 ,  H05H1/46 ,  G05D16/00 ,  B01D53/54

    CPC分类号： B01D53/32 ,  B01D53/92 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/122 ,  B01D2259/80 ,  B01D2259/818 ,  C23C16/4412

    摘要： Methods and apparatus for treating an exhaust gas in a foreline of a substrate processing system are provided herein. In some embodiments, an apparatus for treating an exhaust gas in a foreline of a substrate processing system includes a plasma source coupled to a foreline of a process chamber, a reagent source coupled to the foreline upstream of the plasma source, and a foreline gas injection kit coupled to the foreline to controllably deliver a gas to the foreline, wherein the foreline injection kit includes a pressure regulator to set a foreline gas delivery pressure setpoint, and a first pressure gauge coupled to monitor a delivery pressure of the gas upstream of the foreline.

    摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底处理系统的前级管线中的废气的方法和装置。 在一些实施例中，用于处理衬底处理系统的前级管线中的废气的装置包括耦合到处理室的前级管线的等离子体源，耦合到等离子体源上游的前级管线的试剂源和前级气体注入 前级管线注入套件包括用于设定前级气体输送压力设定点的压力调节器，以及耦合以监测前级管线上游气体的输送压力的第一压力表， 。

    ENERGY SAVINGS BASED ON POWER FACTOR CORRECTION
    4.
    发明申请
    ENERGY SAVINGS BASED ON POWER FACTOR CORRECTION 审中-公开
    基于功率因数校正的能源节约

    公开(公告)号：US20110121649A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US12946337

    申请日：2010-11-15

    申请人： Youssef A. LOLDJ ,  Miroslav GELO ,  Jay J. JUNG ,  Daniel O. CLARK

    发明人： Youssef A. LOLDJ ,  Miroslav GELO ,  Jay J. JUNG ,  Daniel O. CLARK

    IPC分类号： H02J3/18 ,  H02J3/00

    CPC分类号： G05B19/042 ,  Y02P80/10 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/18 ,  Y10T307/406 ,  Y10T307/469

    摘要： Methods and apparatus for enhanced control over electronic device manufacturing systems are provided herein. In some embodiments, an integrated sub-fab system in accordance with the present invention may be provided with fixed or real time power factor management, correction, reporting, and tabulation. Such a system could also be used by any industry consuming significant levels of power. The integrated sub-fab system power management could be extended to other parts of the factory where high levels of power are used.

    摘要翻译： 本文提供了用于增强对电子设备制造系统的控制的方法和装置。 在一些实施例中，根据本发明的集成子晶圆厂系统可以被提供有固定或实时功率因数管理，校正，报告和制表。 这样的系统也可以被任何消耗大量功率的工业所使用。 集成的子晶圆系统电源管理可以扩展到使用高电平的工厂的其他部分。

    SPUTTERING TARGET
    6.
    发明申请
    SPUTTERING TARGET 审中-公开
    飞溅目标

    公开(公告)号：US20100126854A1

    公开(公告)日：2010-05-27

    申请号：US12277197

    申请日：2008-11-24

    申请人： Daniel O. Clark

    发明人： Daniel O. Clark

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/00

    CPC分类号： C23C14/3407 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3435

    摘要： Embodiments of the present invention generally include a sputtering target capable of substantially reducing the amount of wasted material associated with conventional sputtering targets. In one embodiment, the sputtering target includes a fluidized bed of sputtering material that constantly maintains a planar sputtering surface throughout the sputtering process. In one embodiment, the fluidized bed of sputtering material is either periodically or constantly supplied with sputtering material to both maintain a planar sputtering surface and reduce downtime of the sputtering equipment.

    摘要翻译： 本发明的实施方案通常包括能够显着减少与常规溅射靶相关的浪费材料量的溅射靶。 在一个实施例中，溅射靶包括溅射材料的流化床，其在整个溅射过程中始终保持平面溅射表面。 在一个实施例中，溅射材料的流化床周期性地或恒定地提供溅射材料，以保持平面溅射表面并减少溅射设备的停机时间。

    SYSTEMS AND METHODS FOR TREATING FLAMMABLE EFFLUENT GASES FROM MANUFACTURING PROCESSES
    8.
    发明申请
    SYSTEMS AND METHODS FOR TREATING FLAMMABLE EFFLUENT GASES FROM MANUFACTURING PROCESSES 有权
    用于从制造过程中处理易燃气体的系统和方法

    公开(公告)号：US20090216061A1

    公开(公告)日：2009-08-27

    申请号：US12365886

    申请日：2009-02-04

    申请人： Daniel O. Clark ,  Mehran Moalem ,  Robbert M. Vermeulen ,  Phil Chandler

    发明人： Daniel O. Clark ,  Mehran Moalem ,  Robbert M. Vermeulen ,  Phil Chandler

    IPC分类号： A62D3/30 ,  B01J19/00

    CPC分类号： B01D53/005 ,  B01D53/40 ,  B01D2257/108 ,  B01D2258/0216

    摘要： A system for treating flammable effluent gas is provided. The system includes an exhaust conduit to carry the flammable effluent gas to an abatement unit, a control system coupled to the abatement unit to determine an operating parameter of the abatement unit, a bypass valve coupled to the exhaust conduit which is an operative responsive to the monitoring system, and a source of second gas to be mixed with the effluent gas diverted from the abatement unit when the bypass valve is operating in a bypass mode to provide a mixed gas having a flammability lower than the effluent gas. Methods of the invention as well as numerous other aspects are provided.

    摘要翻译： 提供了一种处理易燃废气的系统。 该系统包括用于将可燃性流出气体运送到减排单元的排气管道，耦合到减排单元以确定减排单元的操作参数的控制系统;联接到排气管道的旁通阀，该旁通阀是响应于 监测系统，以及当旁通阀以旁通模式操作时与从减排单元转移的废气混合的第二气体源，以提供具有低于废气的可燃性的混合气体。 提供了本发明的方法以及许多其它方面。