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    METHOD OF FABRICATING NON-VOLATILE MEMORY
    2.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING NON-VOLATILE MEMORY 审中-公开
    制造非易失性存储器的方法

    公开(公告)号：US20070249121A1

    公开(公告)日：2007-10-25

    申请号：US11309206

    申请日：2006-07-13

    申请人： Chien-Kang Kao ,  Chia-Ming Kuo ,  Chia-Lin Ku

    发明人： Chien-Kang Kao ,  Chia-Ming Kuo ,  Chia-Lin Ku

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28202 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/518

    摘要： A method of fabricating a non-volatile memory is provided. The method includes providing a substrate. Next, a tunneling oxide layer is formed on the substrate and a surface nitridation process is performed to nitridize the upper surface of the tunneling oxide layer. A plurality of nanocrystals is formed on the nitridized surface of the tunneling oxide layer. Next, the surfaces of the nanocrystals are nitridized. An oxide layer and a conductive layer are formed in sequence over the tunneling oxide layer to cover the nanocrystals. Due to the formation of high-density nanocrystals as a charge storage medium, the properties of the memory are enhanced.

    摘要翻译： 提供了一种制造非易失性存储器的方法。 该方法包括提供基板。 接下来，在基板上形成隧道氧化物层，进行表面氮化处理以使隧道氧化物层的上表面氮化。 在隧道氧化物层的氮化表面上形成多个纳米晶体。 接下来，将纳米晶体的表面氮化。 在隧道氧化物层上依次形成氧化物层和导电层以覆盖纳米晶体。 由于形成高密度纳米晶体作为电荷存储介质，因此存储器的性质得到提高。

    Flash memory structure and method for fabricating the same
    3.
    发明授权
    Flash memory structure and method for fabricating the same 有权
    闪存结构及其制造方法

    公开(公告)号：US07223658B2

    公开(公告)日：2007-05-29

    申请号：US11302122

    申请日：2005-12-14

    申请人： Jason Chen ,  Chien Kang Kao

    发明人： Jason Chen ,  Chien Kang Kao

    IPC分类号： H01L21/8247

    CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  Y10S438/954

    摘要： A flash memory structure comprises a semiconductor substrate having a V-groove, a first doped region positioned in the semiconductor substrate, two second doped regions positioned in the semiconductor substrate and at two sides of the V-groove, a dielectric stack having trapping sites interposed therein positioned on the V-groove, and a conductive layer positioned on the surface of the dielectric stack above the V-groove. A method for forming the V-groove comprises steps of forming a mask layer on the surface of the semiconductor substrate, forming an opening in the mask layer, etching a portion of the semiconductor substrate below the opening to form the V-groove, and removing the mask layer. The semiconductor substrate can be a (100)-oriented silicon substrate, and the V-groove has inclined surface planes with (111) orientation.

    摘要翻译： 闪速存储器结构包括具有V沟槽的半导体衬底，位于半导体衬底中的第一掺杂区域，位于半导体衬底中的两个第二掺杂区域和位于V沟槽两侧的电介质叠层， 其中定位在V形槽上，以及导电层，其位于电介质堆叠表面上的V形槽上。 一种用于形成V形槽的方法包括以下步骤：在半导体衬底的表面上形成掩模层，在掩模层中形成开口，在开口下方蚀刻半导体衬底的一部分以形成V形槽， 掩模层。 半导体衬底可以是（100）取向的硅衬底，并且V形槽具有（111）取向的倾斜表面。

    Manufacturing process for preparing sol-gel optical waveguides
    4.
    发明授权
    Manufacturing process for preparing sol-gel optical waveguides 有权
    制备溶胶 - 凝胶光波导的制备方法

    公开(公告)号：US06391515B1

    公开(公告)日：2002-05-21

    申请号：US09572506

    申请日：2000-05-15

    申请人： Jung-Chieh Su ,  Chien-Kang Kao ,  I-Nan Lin ,  Chuen-Horng Tsai ,  Cheng-Chung Chi ,  Yung-Sheng Liu

    发明人： Jung-Chieh Su ,  Chien-Kang Kao ,  I-Nan Lin ,  Chuen-Horng Tsai ,  Cheng-Chung Chi ,  Yung-Sheng Liu

    IPC分类号： G03F716

    CPC分类号： G02B6/138 ,  G02B6/132

    摘要： This invention discloses a manufacturing process for preparing sol-gel optical waveguides comprising the steps of solution preparation, an optical waveguide photoresist module process, and optical waveguide molding and sintering. The solution is prepared by mixing water and alcohol to form an alcoholic solution with a properly adjusted pH value followed by mingling with tetraethylorthosilicate (TEOS) at room temperature. The optical waveguide photoresist module process comprises the steps of soft baking, exposure, development, washing by deionized water, drying by a nitrogen gun, and hard baking. The optical waveguide molding and sintering comprises the steps of spinning, sintering, and photoresist module removal.

    摘要翻译： 本发明公开了一种制备溶胶 - 凝胶光波导的制造方法，其包括溶液制备，光波导光致抗蚀剂模块工艺和光波导模塑和烧结步骤。 通过混合水和醇来形成具有适当调节的pH值的醇溶液，然后在室温下与原硅酸四乙酯（TEOS）混合来制备溶液。 光波导光致抗蚀剂模块工艺包括软烘烤，曝光，显影，用去离子水洗涤，用氮气枪干燥和硬烘烤的步骤。 光波导模制和烧结包括纺丝，烧结和光致抗蚀剂模块去除的步骤。

    Flash memory structure and method for fabricating the same
    5.
    发明申请
    Flash memory structure and method for fabricating the same 审中-公开
    闪存结构及其制造方法

    公开(公告)号：US20070075358A1

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：US11288194

    申请日：2005-11-29

    申请人： Jason Chen ,  Chien Kang Kao

    发明人： Jason Chen ,  Chien Kang Kao

    IPC分类号： H01L29/792

    CPC分类号： H01L29/7923 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/4234

    摘要： A flash memory structure comprises a silicon substrate having at least one concave structure, two doped regions positioned in the semiconductor substrate and at two sides of the concave structure, at least one carrier trapping region positioned in the concave structure, and a conductive layer positioned above the concave structure. The concave structure comprises two grooves having a U-shaped or V-shaped profile. The grooves have an inclined plane with (111) orientation and a bottom plane with (100) orientation of the silicon substrate. The carrier trapping region comprises a dielectric stack positioned in the concave structure, wherein the dielectric stack comprises a first oxide layer positioned on the surface of the silicon substrate, a nitride block positioned on the surface of the first oxide layer and in the concave structure, and a second oxide layer covering the first oxide layer and the nitride block.

    摘要翻译： 闪速存储器结构包括具有至少一个凹结构的硅衬底，位于半导体衬底中的两个掺杂区域和位于凹构造两侧的至少一个载体捕获区域，以及位于该凹构造中的导电层 凹形结构。 凹形结构包括具有U形或V形轮廓的两个凹槽。 凹槽具有具有（111）取向的倾斜平面和具有（100）硅衬底取向的底平面。 载体捕获区域包括位于凹形结构中的电介质堆叠，其中电介质叠层包括位于硅衬底表面上的第一氧化物层，位于第一氧化物层的表面上和凹形结构中的氮化物块， 以及覆盖第一氧化物层和氮化物块的第二氧化物层。

    Flash memory structure and method for fabricating the same
    7.
    发明申请
    Flash memory structure and method for fabricating the same 审中-公开
    闪存结构及其制造方法

    公开(公告)号：US20080121984A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US12010827

    申请日：2008-01-30

    申请人： Jason Chen ,  Chien Kang Kao

    发明人： Jason Chen ,  Chien Kang Kao

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L29/42352 ,  H01L29/045 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

    摘要： A flash memory structure comprises a silicon substrate having at least one concave structure, two doped regions positioned in the semiconductor substrate and at two sides of the concave structure, at least one carrier-trapping region positioned in the concave structure, and a conductive layer positioned above the concave structure. The concave structure comprises two grooves having a U-shaped or V-shaped profile. The grooves have an inclined plane with (111) orientation and a bottom plane with (100) orientation of the silicon substrate. The carrier-trapping region comprises a dielectric stack positioned in the concave structure, wherein the dielectric stack comprises a first oxide layer positioned on the surface of the silicon substrate, a nitride block positioned on the surface of the first oxide layer and in the concave structure, and a second oxide layer covering the first oxide layer and the nitride block.

    摘要翻译： 闪速存储器结构包括具有至少一个凹结构的硅衬底，位于半导体衬底中的两个掺杂区域和位于凹构造两侧的至少一个载流子捕获区域，以及定位在凹形结构中的导电层 在凹形结构之上。 凹形结构包括具有U形或V形轮廓的两个凹槽。 凹槽具有具有（111）取向的倾斜平面和具有（100）硅衬底取向的底平面。 载体捕获区域包括位于凹形结构中的电介质堆叠，其中介电堆叠包括位于硅衬底的表面上的第一氧化物层，位于第一氧化物层表面上的氮化物块和凹形结构 以及覆盖第一氧化物层和氮化物块的第二氧化物层。