公开(公告)号：US09246050B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US14394739

申请日：2013-04-17

申请人： HUNETPLUS CO., LTD.

发明人： Hyuk-Jin Cha ,  Heon Lee ,  Eun-Seo Choi

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0033

摘要： Provided is a method of manufacturing a substrate for a light emitting diode including a convex section forming step and a crystallization/crystallizing step. According to the method and the substrate for the light emitting diode, light extraction is significantly improved and nano to micron sized pattern, economically formed.

摘要翻译： 提供一种制造包括凸部形成步骤和结晶/结晶步骤的发光二极管的基板的方法。 根据该方法和用于发光二极管的基板，光提取显着提高，纳米至微米尺寸图案经济地形成。

公开(公告)号：US09231060B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US13713567

申请日：2012-12-13

申请人： Tsinghua University ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

发明人： Yang Wei ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/267 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1606

摘要： An epitaxial structure includes a substrate having an epitaxial growth surface, a first epitaxial layer, a graphene layer and a second epitaxial layer. The first epitaxial layer is stacked on the epitaxial growth surface. The graphene layer is coated on the first epitaxial layer. The second epitaxial layer is located on the first epitaxial layer and covers the graphene layer.

摘要翻译： 外延结构包括具有外延生长表面的衬底，第一外延层，石墨烯层和第二外延层。 第一外延层堆叠在外延生长表面上。 石墨烯层被涂覆在第一外延层上。 第二外延层位于第一外延层上并覆盖石墨烯层。

公开(公告)号：US20150376778A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：US14765258

申请日：2014-02-01

申请人： SOLAN, LLC

发明人： Mark Alan Davis

IPC分类号： C23C16/26 ,  G03F7/36 ,  H05K3/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C16/26 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/76885 ,  H05K3/4007 ,  H05K2203/125

摘要： A method for forming a graphite-based structure comprises patterning a substrate thereby forming a plurality of elements, each respective element in the plurality of elements separated from an adjacent element by a corresponding trench in a plurality of trenches on the substrate. A first element in the plurality of elements has a first surface. A first trench in the plurality of trenches separates the first element from an adjacent element in the plurality of elements, and the first trench has a second surface. The first surface and the second surface are separated by a first side wall of the first element. The method further comprises creating a graphene initiating layer on the first side wall of the first element. The method also comprises generating graphene using the graphene initiating layer thereby forming the graphite-based structure.

摘要翻译： 一种用于形成石墨基结构的方法，包括使衬底形成图案，从而形成多个元件，多个元件中的每个元件通过衬底上的多个沟槽中的相应沟槽与相邻元件分离。 多个元件中的第一元件具有第一表面。 多个沟槽中的第一沟槽将第一元件与多个元件中的相邻元件分开，并且第一沟槽具有第二表面。 第一表面和第二表面由第一元件的第一侧壁分开。 该方法还包括在第一元件的第一侧壁上创建石墨烯起始层。 该方法还包括使用石墨烯起始层产生石墨烯，从而形成基于石墨的结构。

公开(公告)号：US09214596B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US13880708

申请日：2011-10-26

申请人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

发明人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/36 ,  H01L29/06 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/38 ,  H01L29/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10S977/734

摘要： According to the present invention, a method for manufacturing a compound semiconductor comprises: forming a graphene-derived material layer on either a first selected substrate or a first selected compound semiconductor layer; forming a second compound semiconductor layer of at least one layer on at least said graphene-derived material layer, and changing the graphene-derived material layer so as to separate said second compound semiconductor layer of at least one layer.

摘要翻译： 根据本发明，一种化合物半导体的制造方法包括：在第一选定基板或第一选定化合物半导体层上形成石墨烯材料层; 在至少所述石墨烯衍生的材料层上形成至少一层的第二化合物半导体层，以及改变所述石墨烯衍生的材料层，以将至少一层的所述第二化合物半导体层分离。

公开(公告)号：US09214581B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US14178133

申请日：2014-02-11

申请人： California Institute of Technology

发明人： Arezou Khoshakhlagh ,  David Z Ting ,  Sarath D. Gunapala ,  Cory J. Hill

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/101 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/035236 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544

摘要： Systems and methods of implementing barrier infrared detectors on lattice mismatched substrates are provided. The barrier infrared detector systems combine an active detector structure (e.g., contact/barrier/absorber pairs) with a non-lattice matched substrate through a multi-layered transitional structure that forms a virtual substrate that can be strain balanced with the detector structure. The transitional metamorphic layer may include one or both of at least one graded metamorphic buffer layer or interfacial misfit array (IMF). A further interfacial layer may be interposed within the transitional structure, in some embodiments this interfacial layer includes at least one layer of AlSb.

摘要翻译： 提供了在晶格失配衬底上实施屏障红外探测器的系统和方法。 屏障红外探测器系统通过形成可与检测器结构应变平衡的虚拟衬底的多层过渡结构将活性检测器结构（例如，接触/阻挡/吸收体对）与非晶格匹配衬底组合。 过渡变质层可以包括至少一个梯度变质缓冲层或界面失配阵列（IMF）中的一个或两个。 在过渡结构中可以插入另外的界面层，在一些实施例中，该界面层包括至少一层AlSb。

公开(公告)号：US09214343B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US13489200

申请日：2012-06-05

申请人： Jung-inn Sohn ,  Seung-Nam Cha ,  Sung-min Kim ,  Sang-woo Kim

发明人： Jung-inn Sohn ,  Seung-Nam Cha ,  Sung-min Kim ,  Sang-woo Kim

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L21/02 ,  H01L41/113 ,  H01L41/18 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02645 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L41/113 ,  H01L41/18

摘要： A ZnSnO3/ZnO nanowire, a method of forming a ZnSnO3/ZnO nanowire, a nanogenerator including a ZnSnO3/ZnO nanowire, a method of forming a ZnSnO3 nanowire, and a nanogenerator including a ZnSnO3 nanowire are provided. The ZnSnO3/ZnO nanowire includes a core and a shell that surrounds the core, wherein the core includes ZnSnO3 and the shell includes ZnO.

摘要翻译： 提供ZnSnO 3 / ZnO纳米线，形成ZnSnO 3 / ZnO纳米线的方法，包括ZnSnO 3 / ZnO纳米线的纳米发生器，形成ZnSnO 3纳米线的方法和包含ZnSnO 3纳米线的纳米发生器。 ZnSnO 3 / ZnO纳米线包括芯和围绕芯的壳，其中芯包括ZnSnO 3，壳包括ZnO。

公开(公告)号：US09209349B2

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：US14184171

申请日：2014-02-19

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Kee Won Lee ,  Jong Uk Seo ,  Suk Ho Yoon ,  Keon Hun Lee ,  Sang Don Lee

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： A method of fabricating a nitride semiconductor light emitting device is provided. The method includes growing a first group-III-nitride semiconductor layer on a substrate, the first group-III-nitride semiconductor layer having a top surface formed as a group-III-rich surface exhibiting a group-III-polarity and a bottom surface formed as a N-rich surface exhibiting a N-polarity. The method further includes selectively etching a N-polarity region in the top surface of the first group III nitride semiconductor layer, forming a second group III nitride semiconductor layer on the first group III nitride semiconductor layer to fill the etched N-polarity region and forming a light emitting structure including first and second conductivity type nitride semiconductor layers and an active layer on the second group III nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法。 该方法包括在衬底上生长第一III族氮化物半导体层，第一III族氮化物半导体层具有形成为具有III族极性的III族富集表面的顶表面和底表面 形成为呈现N极性的富N的表面。 该方法还包括选择性地蚀刻第一III族氮化物半导体层的顶表面中的N极区域，在第一III族氮化物半导体层上形成第二III族氮化物半导体层以填充蚀刻的N极区域并形成 包括第一和第二导电型氮化物半导体层的发光结构和在第二III族氮化物半导体层上的有源层。

公开(公告)号：US09206524B2

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：US13559199

申请日：2012-07-26

申请人： Yu Zhang ,  Qian Sun ,  Jung Han

发明人： Yu Zhang ,  Qian Sun ,  Jung Han

IPC分类号： C25F3/12 ,  C25B1/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  C30B29/40

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  G02B1/02 ,  G02B1/118 ,  G02B5/1861 ,  G02B6/29356 ,  G02B6/29358 ,  G02B2207/107 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/30635 ,  H01L21/326 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E60/366 ,  Y10T428/24997

摘要： This invention relates to methods of generating NP gallium nitride (GaN) across large areas (>1 cm2) with controlled pore diameters, pore density, and porosity. Also disclosed are methods of generating novel optoelectronic devices based on porous GaN. Additionally a layer transfer scheme to separate and create free-standing crystalline GaN thin layers is disclosed that enables a new device manufacturing paradigm involving substrate recycling. Other disclosed embodiments of this invention relate to fabrication of GaN based nanocrystals and the use of NP GaN electrodes for electrolysis, water splitting, or photosynthetic process applications.

摘要翻译： 本发明涉及跨越具有受控孔径，孔密度和孔隙率的大面积（> 1cm 2）生成NP氮化镓（GaN）的方法。 还公开了产生基于多孔GaN的新型光电子器件的方法。 此外，公开了分离和产生独立的结晶GaN薄层的层转移方案，其能够实现涉及衬底回收的新器件制造范例。 本发明的其它公开的实施例涉及GaN基纳米晶体的制造和用于电解，水分解或光合过程应用的NP GaN电极的使用。

公开(公告)号：US20150332915A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：US14810023

申请日：2015-07-27

申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

发明人： Keiichi Yui ,  Ken Nakata ,  Tsuyoshi Kouchi ,  Isao Makabe

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention includes a step of forming a first layer of InAlN, a step of forming a second layer of InAlGaN on the first layer under a growth temperature higher than that of the first layer, and a step of forming a third layer of GaN, AlGaN or InGaN under a growth temperature higher than that of the first layer.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面的制造半导体器件的方法包括形成第一层InAlN的步骤，在比第一层的生长温度高的第一层上形成第二层InAlGaN的步骤 以及在比第一层高的生长温度下形成第三层GaN，AlGaN或InGaN的步骤。

公开(公告)号：US09178091B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US13377931

申请日：2010-05-26

申请人： Chantal Arena ,  Heather McFelea

发明人： Chantal Arena ,  Heather McFelea

IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

摘要： Methods of fabricating photovoltaic devices include forming a plurality of subcells in a vertically stacked arrangement on a semiconductor material, each of the subcells being formed at a different temperature than an adjacent subcell such that the adjacent subcells have differing effective band-gaps. The methods of fabricating also include inverting the structure, attaching another substrate to a second semiconductor material, and removing the substrate. For example, each of the subcells may comprise a III-nitride material, and each subsequent subcell may include an indium content different than the adjacent subcell. Novel structures may be formed using such methods.

摘要翻译： 制造光伏器件的方法包括在半导体材料上以垂直堆叠布置形成多个子电池，每个子电池形成在与相邻子电池不同的温度下，使得相邻的子电池具有不同的有效带隙。 制造方法还包括翻转结构，将另一衬底附接到第二半导体材料，以及去除衬底。 例如，每个子电池可以包括III族氮化物材料，并且每个后续子电池可以包括不同于相邻子电池的铟含量。 可以使用这种方法形成新的结构。