公开(公告)号：US08906778B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13163378

申请日：2011-06-17

申请人： YewChung Sermon Wu ,  Bau-Ming Wang ,  Feng-Ching Hsiao

发明人： YewChung Sermon Wu ,  Bau-Ming Wang ,  Feng-Ching Hsiao

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/187 ,  H01L33/0079

摘要： The present invention related to a method for manufacturing a semiconductor, comprising steps of: providing a growing substrate; forming a semiconductor substrate on the growing substrate; forming a first structure with plural grooves and between the growing substrate and the semiconductor substrate; and changing the temperature of the growing substrate and the semiconductor substrate.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造半导体的方法，包括以下步骤：提供生长衬底; 在生长衬底上形成半导体衬底; 形成具有多个凹槽的第一结构，并且在所述生长衬底和所述半导体衬底之间; 并且改变生长衬底和半导体衬底的温度。

公开(公告)号：US08906726B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13902958

申请日：2013-05-27

申请人： Tsinghua University ,  Hon Hai Precision Industry Co., Ltd.

发明人： Yang Wei ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/0062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/36 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/742 ,  H01L2924/00

摘要： A method for making light emitting diode, the method includes the following steps. First, a substrate having an epitaxial growth surface is provided. Second, a carbon nanotube layer is suspended above the epitaxial growth surface. Third, a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer are grown on the epitaxial growth surface in that order, wherein the first semiconductor layer includes a buffer layer, an intrinsic semiconductor layer, and a doped semiconductor layer stacked in that order. Fourth, the doped semiconductor layer is exposed by removing the substrate, the buffer layer, and the intrinsic semiconductor layer. Fifth, a first electrode is prepared on the first semiconductor layer and a second electrode is prepared on the second semiconductor layer.

摘要翻译： 一种制造发光二极管的方法，该方法包括以下步骤。 首先，提供具有外延生长面的基板。 第二，碳纳米管层悬浮在外延生长表面上方。 第三，第一半导体层，有源层和第二半导体层以该顺序生长在外延生长表面上，其中第一半导体层包括缓冲层，本征半导体层和以该顺序堆叠的掺杂半导体层 。 第四，通过去除衬底，缓冲层和本征半导体层来暴露掺杂半导体层。 第五，在第一半导体层上制备第一电极，在第二半导体层上制备第二电极。

公开(公告)号：US08890208B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US12884560

申请日：2010-09-17

申请人： Makoto Miyoshi ,  Yoshitaka Kuraoka ,  Shigeaki Sumiya ,  Mitsuhiro Tanaka

发明人： Makoto Miyoshi ,  Yoshitaka Kuraoka ,  Shigeaki Sumiya ,  Mitsuhiro Tanaka

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  C23C16/30 ,  H01L29/201

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C23C16/303 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： Provided is an epitaxial substrate capable of manufacturing a HEMT device that has excellent two-dimensional electron gas characteristics and is capable of performing normally-off operation. A channel layer is formed of a first group III nitride represented by Inx1Aly1Gaz1N (x1+y1+z1=1) so as to have a composition in a range determined by x1=0 and 0≦y1≦0.3. A barrier layer is formed of a second group III nitride represented by Inx2Aly2Gaz2N (x2+y2+z2=1) so as to have a composition, in a ternary phase diagram with InN, AlN and GaN being vertices, in a range surrounded by four straight lines determined in accordance with the composition (AlN molar fraction) of the first group III nitride and to have a thickness of 5 nm or less.

摘要翻译： 提供了能够制造具有优异的二维电子气特性并且能够执行常关操作的HEMT器件的外延衬底。 沟道层由Inx1Aly1Gaz1N（x1 + y1 + z1 = 1）表示的第一III族氮化物形成，以使得其组成在由x1 = 0和0＆lt; 1lE; y1＆nlE; 0.3确定的范围内。 阻挡层由Inx2Aly2Gaz2N（x2 + y2 + z2 = 1）表示的第二III族氮化物形成，以具有以InN，AlN和GaN为顶点的三元相图中的组成，在四个围绕的范围内 根据第一III族氮化物的组成（AlN摩尔分数）确定并且具有5nm或更小的厚度的直线。

公开(公告)号：US08890200B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US14056147

申请日：2013-10-17

申请人： LG Innotek Co., Ltd.

发明人： Sun Kyun Lee

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A light emitting device includes a substrate including a plurality of convex portions, and a first semiconductor layer over the substrate. A plurality of first pits is provided in a top surface of the first semiconductor layer, and a plurality of second pits is provided in the top surface of the first semiconductor layer. A first metallic compound is provided in the first pits, and a second metallic compound is provided in the second pits. A second semiconductor layer is provided over the first semiconductor layer, and a light emitting structure is provided over the second semiconductor layer. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer.

摘要翻译： 一种发光器件包括：包括多个凸部的基板，以及在该基板上的第一半导体层。 多个第一凹坑设置在第一半导体层的顶表面中，并且多个第二凹坑设置在第一半导体层的顶表面中。 在第一凹坑中提供第一金属化合物，并且在第二凹坑中提供第二金属化合物。 在第一半导体层上设置第二半导体层，在第二半导体层上设置发光结构。 发光结构包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。

公开(公告)号：US20140335683A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：US14021108

申请日：2013-09-09

申请人： National Taiwan University

发明人： CHING-FUH LIN ,  Chun-Wei Ku ,  Hao-Yu Wu

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/16 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02631

摘要： A method for producing a gallium nitride layer using a pulsed laser is disclosed. The method includes (1) providing a substrate; (2) forming a zinc oxide layer on the substrate; and (3) forming a gallium nitride thin film on the zinc oxide layer by pulsed laser deposition (PLD).

摘要翻译： 公开了一种使用脉冲激光产生氮化镓层的方法。 该方法包括（1）提供基板; （2）在基板上形成氧化锌层; 和（3）通过脉冲激光沉积（PLD）在氧化锌层上形成氮化镓薄膜。

公开(公告)号：US20140335681A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：US14268053

申请日：2014-05-02

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Joo-ho LEE ,  Yong-sung KIM ,  Chang-youl MOON ,  Sung-hee LEE ,  Chang-seung LEE

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02527 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015

摘要： Graphene transferring methods, a device manufacturing method using the same, and substrate structures including graphene, include forming a catalyst layer on a first substrate, forming a graphene layer on the catalyst layer, forming a protection metal layer on the graphene layer, attaching a supporter to the protection metal layer, separating the first substrate from the catalyst layer such that the protection metal layer, the graphene layer, and the catalyst layer remain on the supporter, removing the catalyst layer from the supporter, and transferring the protection metal layer and the graphene layer from the supporter to a second substrate.

摘要翻译： 石墨烯转移方法，使用其的器件制造方法和包括石墨烯的衬底结构包括在第一衬底上形成催化剂层，在催化剂层上形成石墨烯层，在石墨烯层上形成保护金属层， 将保护金属层，石墨烯层和催化剂层保留在支撑体上，从支撑体除去催化剂层，将保护金属层和保护金属层转移到保护金属层， 石墨烯层从支撑体到第二基底。

公开(公告)号：US20140327015A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14336978

申请日：2014-07-21

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： Shoichi Kawashima ,  Takeshi Kawashima ,  Yasuhiro Nagatomo ,  Katsuyuki Hoshino

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/2003 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/136 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/045 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2095 ,  H01S5/32341

摘要： The method of producing a GaN-based microstructure includes a step of preparing a semiconductor structure provided with a trench formed in a main surface of the nitride semiconductor and a heat-treating mask covering a main surface of the nitride semiconductor excluding the trench, a first heat-treatment step of heat-treating the semiconductor structure under an atmosphere containing nitrogen element to form a crystallographic face of the nitride semiconductor on at least a part of a sidewall of the trench, a step of removing the heat-treating mask after the first heat-treatment step and a second heat-treatment step of heat-treating the semiconductor structure under an atmosphere containing nitrogen element to close an upper portion of the trench on the sidewall of which the crystallographic face is formed with a nitride semiconductor.

摘要翻译： 制造GaN基微结构的方法包括制备在氮化物半导体的主表面上形成有沟槽的半导体结构和覆盖除了沟槽之外的氮化物半导体的主表面的热处理掩模的步骤，第一 在包含氮元素的气氛下对半导体结构进行热处理的热处理工序，在沟槽的侧壁的至少一部分上形成氮化物半导体的结晶面，在第一工序之后，除去热处理罩 热处理步骤和在包含氮元素的气氛下对半导体结构进行热处理的第二热处理步骤，以在氮化物半导体的形成有结晶面的侧壁上封闭沟槽的上部。

公开(公告)号：US20140327012A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14111163

申请日：2012-04-16

申请人： Abdallah Ougazzaden ,  Marie-Antoinette Poisson ,  Vinod Ravindran ,  Ali Soltani ,  Jean-Claude De Jaeger

发明人： Abdallah Ougazzaden ,  Marie-Antoinette Poisson ,  Vinod Ravindran ,  Ali Soltani ,  Jean-Claude De Jaeger

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic HEMT transistor structure comprises a heterojunction formed from a first layer, called a buffer layer, of a first wide bandgap semiconductor material, and a second layer of a second wide bandgap semiconductor material, with a bandgap width EG2 larger than that Eg1 of the first material, and a two-dimensional electron gas flowing in a channel confined in the first layer under the interface of the heterojunction. The first layer furthermore comprises a layer of a BGaN material under the channel, with an average boron concentration of at least 0.1%, improving the electrical performance of the transistor. Application to microwave power components.

摘要翻译： 电子HEMT晶体管结构包括由第一宽带隙半导体材料的第一层（称为缓冲层）和第二宽带隙半导体材料的第二层形成的异质结，其带隙宽度EG2大于 第一材料和在限制在第一层的异质结界面下的通道中流动的二维电子气。 第一层还包括在沟道下方的BGaN材料层，其平均硼浓度至少为0.1％，改善了晶体管的电性能。 应用于微波功率元件。

公开(公告)号：US08878233B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13880706

申请日：2011-10-26

申请人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

发明人： Sung-Jin An ,  Dong-Gun Lee ,  Seok-Han Kim

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L33/12 ,  H01L21/36 ,  H01L29/06 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/38 ,  H01L29/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  Y10S977/734

摘要： Provided are a compound semiconductor device and a manufacturing method thereof. A substrate and a graphene oxide layer are provided on the substrate. A first compound semiconductor layer is provided on the graphene oxide layer. The first compound semiconductor layer is selectively grown from the substrate exposed by the graphene oxide.

摘要翻译： 提供一种化合物半导体器件及其制造方法。 衬底和石墨烯氧化物层设置在衬底上。 在石墨烯氧化物层上设置第一化合物半导体层。 从由石墨烯氧化物曝光的基板选择性地生长第一化合物半导体层。

公开(公告)号：US08865347B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US11679726

申请日：2007-02-27

申请人： Evelyn Hu ,  Angela Belcher ,  Xina Quan

发明人： Evelyn Hu ,  Angela Belcher ,  Xina Quan

IPC分类号： H01M4/13 ,  H01M4/34 ,  H01M4/54 ,  H01M10/32 ,  H01M4/00 ,  H01L21/02 ,  H01M4/62 ,  H01L31/0735 ,  H01M4/1391 ,  C07K1/04 ,  H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  C07K7/06 ,  B82Y10/00 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/1393 ,  C07K14/47 ,  H01L31/0304 ,  C07K7/08 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/505 ,  H01M4/133 ,  H01M4/131

CPC分类号： H01L31/0304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C07K1/047 ,  C07K7/06 ,  C07K7/08 ,  C07K14/4711 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/505 ,  H01M4/624 ,  H01M4/626 ,  H01M10/0525 ,  Y02E10/544 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/521 ,  Y02P70/54

摘要： Alloys of tunable compositions and corresponding optical, electrical and mechanical properties are described. Also described are their uses in optoelectronic devices and material interfaces.

摘要翻译： 描述了可调谐组合物的合金和相应的光学，电学和机械性能。 还描述了它们在光电子器件和材料界面中的用途。