公开(公告)号：US06506676B2

公开(公告)日：2003-01-14

申请号：US10033509

申请日：2001-12-27

申请人： Dae Gyu Park ,  Tae Ho Cha ,  Se Aug Jang ,  Heung Jae Cho ,  Tae Kyun Kim ,  Kwan Yong Lim ,  In Seok Yeo ,  Jin Won Park

发明人： Dae Gyu Park ,  Tae Ho Cha ,  Se Aug Jang ,  Heung Jae Cho ,  Tae Kyun Kim ,  Kwan Yong Lim ,  In Seok Yeo ,  Jin Won Park

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C14/048 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： A method of manufacturing semiconductor devices forms a surface channel CMOSFET in the process of manufacturing a metal gate. The method forms a (TixAly)1-zNz film (where z ranges from about 0.0 to about 0.2) having a work function value ranging from about 4.2 to about 4.3 eV on a gate insulating film in a nMOS region, a (TixAly)1-zNz film (where z ranges from about 0.3 to about 0.6) having a work function value ranging from about 4.8 to about 5.0 eV on the gate insulating film in a pMOS region, thus implementing a surface channel CMOS device both in the nMOS region and the pMOS region. Therefore, the threshold voltage is reduced.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法在制造金属栅极的过程中形成表面沟道CMOSFET。 该方法在nMOS区域的栅极绝缘膜上形成具有约4.2至约4.3eV的功函数值的（TixAly）1-zNz膜（其中z范围为约0.0至约0.2），（TixAly）1 -zNz膜（其中z范围为约0.3至约0.6），在pMOS区域中的栅极绝缘膜上具有约4.8至约5.0eV的功函数值，从而在nMOS区域和 pMOS区域。 因此，阈值电压降低。

公开(公告)号：US08440560B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US12163943

申请日：2008-06-27

申请人： Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Kwan-Yong Lim

发明人： Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Kwan-Yong Lim

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823842 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/10882 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a tungsten (W) line includes forming a silicon-containing layer, forming a diffusion barrier layer over the silicon-containing layer, forming a tungsten layer over the diffusion barrier layer, and performing a thermal treatment process on the tungsten layer to increase a grain size of the tungsten layer.

摘要翻译： 一种制造钨（W）线的方法包括形成含硅层，在含硅层上形成扩散阻挡层，在扩散阻挡层上形成钨层，并在钨层上进行热处理工艺 以增加钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20130109165A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13338648

申请日：2011-12-28

申请人： Heung-Jae CHO

发明人： Heung-Jae CHO

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/66666

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes forming a plurality of pillars by etching a semiconductor substrate, forming a gate dielectric layer on sidewalls of the pillars and on surfaces of the semiconductor substrate between the pillars, forming an implant damage in a portion of the gate dielectric layer between two pillars by implanting ions into the portion of the gate dielectric layer, forming vertical gates to cover the sidewalls of the pillars, and removing the implant damage.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括通过蚀刻半导体衬底形成多个柱，在柱的侧壁上形成栅介质层，并在该柱之间的半导体衬底表面上形成栅极的一部分中的植入物损伤 通过将离子注入到栅极电介质层的部分中，形成两个柱之间的介电层，形成垂直栅极以覆盖柱的侧壁，以及去除植入物损伤。

公开(公告)号：US20120012928A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13244199

申请日：2011-09-23

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Dong-Sun Sheen ,  Se-Aug Jang ,  Heung-Jae Cho ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung ,  Tae-Yoon Kim

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Dong-Sun Sheen ,  Se-Aug Jang ,  Heung-Jae Cho ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung ,  Tae-Yoon Kim

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/78

摘要： A method for fabricating a transistor including a bulb-type recess channel includes forming a bulb-type recess pattern in a substrate, forming a gate insulating layer over the substrate and the bulb-type recess pattern, forming a first gate conductive layer over the gate insulating layer, forming a void movement blocking layer over the first gate conductive layer in the bulb-type recess pattern, and forming a second gate conductive layer over the void movement blocking layer and the first gate conductive layer.

摘要翻译： 一种制造包括灯泡型凹槽的晶体管的方法，包括在衬底中形成灯泡型凹槽图案，在衬底上形成栅极绝缘层和灯泡型凹槽图案，在栅极上形成第一栅极导电层 绝缘层，在所述灯泡型凹槽图案中的所述第一栅极导电层的上方形成空隙移动阻挡层，以及在所述空隙运动阻挡层和所述第一栅极导电层上方形成第二栅极导电层。

公开(公告)号：US08039337B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US13047258

申请日：2011-03-14

申请人： Heung-Jae Cho ,  Moon-Sig Joo ,  Yong-Soo Kim ,  Won-Joon Choi

发明人： Heung-Jae Cho ,  Moon-Sig Joo ,  Yong-Soo Kim ,  Won-Joon Choi

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/28273

摘要： A nonvolatile memory device with a blocking layer controlling the transfer of electric charges in a charge storage layer includes the blocking layer having a first blocking layer in contact with the charge storage layer and a second blocking layer over the first blocking layer, wherein the first blocking layer has a greater energy band gap than the second blocking layer and the second blocking layer has a greater permittivity than the first blocking layer.

公开(公告)号：US07994558B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US11510709

申请日：2006-08-28

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L27/10885 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

摘要： A semiconductor memory device includes a titanium layer and a titanium nitride layer formed on a substrate, a thin layer formed on the titanium nitride layer, and a metal layer formed on the thin layer, wherein the thin layer increases a grain size of the metal layer.

摘要翻译： 半导体存储器件包括钛基层和形成在衬底上的氮化钛层，形成在氮化钛层上的薄层和形成在薄层上的金属层，其中薄层增加金属层的晶粒尺寸 。

公开(公告)号：US20110165769A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US13047258

申请日：2011-03-14

申请人： Heung-Jae CHO ,  Moon-Sig Joo ,  Yong-Soo Kim ,  Won-Joon Choi

发明人： Heung-Jae CHO ,  Moon-Sig Joo ,  Yong-Soo Kim ,  Won-Joon Choi

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/28273

摘要： A nonvolatile memory device with a blocking layer controlling the transfer of electric charges in a charge storage layer includes the blocking layer having a first blocking layer in contact with the charge storage layer and a second blocking layer over the first blocking layer, wherein the first blocking layer has a greater energy band gap than the second blocking layer and the second blocking layer has a greater permittivity than the first blocking layer.

摘要翻译： 具有控制电荷存储层中的电荷转移的阻挡层的非易失性存储器件包括具有与电荷存储层接触的第一阻挡层和第一阻挡层上的第二阻挡层的阻挡层，其中第一阻塞 层具有比第二阻挡层更大的能带隙，并且第二阻挡层具有比第一阻挡层更大的介电常数。

公开(公告)号：US07928493B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12430481

申请日：2009-04-27

申请人： Heung-Jae Cho ,  Moon-Sig Joo ,  Yong-Soo Kim ,  Won-Joon Choi

发明人： Heung-Jae Cho ,  Moon-Sig Joo ,  Yong-Soo Kim ,  Won-Joon Choi

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/28273

摘要： A nonvolatile memory device with a blocking layer controlling the transfer of electric charges in a charge storage layer includes the blocking layer having a first blocking layer in contact with the charge storage layer and a second blocking layer over the first blocking layer, wherein the first blocking layer has a greater energy band gap than the second blocking layer and the second blocking layer has a greater permittivity than the first blocking layer.

摘要翻译： 具有控制电荷存储层中的电荷转移的阻挡层的非易失性存储器件包括具有与电荷存储层接触的第一阻挡层和第一阻挡层上的第二阻挡层的阻挡层，其中第一阻塞 层具有比第二阻挡层更大的能带隙，并且第二阻挡层具有比第一阻挡层更大的介电常数。

公开(公告)号：US20110068393A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12957231

申请日：2010-11-30

申请人： Heung-Jae CHO ,  Hong-Seon Yang ,  Se-Aug Jang

发明人： Heung-Jae CHO ,  Hong-Seon Yang ,  Se-Aug Jang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28114 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7851

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a recess in an area where a gate is to be formed, spacers formed over sidewalls of the recess, and a first gate electrode filling in the recess. The spacers include material having the first work function or insulation material. The first gate electrode includes material having a second work function, wherein the second work function is higher than that of the spacers.

摘要翻译： 半导体器件包括：衬底，其具有在要形成栅极的区域中的凹部;衬垫形成在凹槽的侧壁上;以及填充在凹部中的第一栅电极。 间隔物包括具有第一功函或绝缘材料的材料。 第一栅电极包括具有第二功函数的材料，其中第二功函数高于隔片的功函数。

公开(公告)号：US20110068380A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12953255

申请日：2010-11-23

申请人： Yong-Soo KIM ,  Hong-Seon YANG ,  Se-Aug JANG ,  Seung-Ho PYI ,  Kwon HONG ,  Heung-Jae CHO ,  Kwan-Yong LIM ,  Min-Gyu SUNG ,  Seung-Ryong LEE ,  Tae-Yoon KIM

发明人： Yong-Soo KIM ,  Hong-Seon YANG ,  Se-Aug JANG ,  Seung-Ho PYI ,  Kwon HONG ,  Heung-Jae CHO ,  Kwan-Yong LIM ,  Min-Gyu SUNG ,  Seung-Ryong LEE ,  Tae-Yoon KIM

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66553 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66621

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes providing a substrate having a bulb-type recessed region, forming a gate insulating layer over the bulb-type recessed region and the substrate, and forming a gate conductive layer over the gate insulating layer. The gate conductive layer fills the bulb-type recessed region. The gate conductive layer includes two or more conductive layers and a discontinuous interface between the conductive layers.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括提供具有灯泡型凹陷区域的衬底，在灯泡型凹陷区域上形成栅极绝缘层和衬底，并在栅极绝缘层上形成栅极导电层。 栅极导电层填充灯泡型凹陷区域。 栅极导电层包括两个或多个导电层和导电层之间的不连续界面。