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    固化物的制造方法、半导体器件的制造方法、处理液及树脂组合物
    1.
    发明公开
    固化物的制造方法、半导体器件的制造方法、处理液及树脂组合物 审中-公开

    公开(公告)号：CN118946611A

    公开(公告)日：2024-11-12

    申请号：CN202380031626.6

    申请日：2023-03-23

    申请人： 富士胶片株式会社

    发明人： 奈良裕树 ,  尾田和也

    IPC分类号： C08F290/14 ,  G03F7/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/312

    摘要： 一种固化物的制造方法、包含上述固化物的半导体器件的制造方法、上述固化物的制造方法中使用的处理液以及上述固化物的制造方法，该固化物的制造方法包括：膜形成工序，将包含含有由式(1)表示的重复单元的聚酰亚胺前体及溶剂的树脂组合物应用于基材上而形成膜；处理工序，使处理液与上述膜接触；及加热工序，在上述处理工序之后，对上述膜进行加热，上述处理液含有选自由碱性化合物及产碱剂组成的组中的至少1种化合物。#imgabs0#

    层叠体、层叠体的制造方法、中空结构体及电子零件
    2.
    发明公开
    层叠体、层叠体的制造方法、中空结构体及电子零件 审中-实审

    公开(公告)号：CN118647934A

    公开(公告)日：2024-09-13

    申请号：CN202380018865.8

    申请日：2023-01-30

    申请人： 东丽株式会社

    发明人： 小山祐太朗 ,  荒木斉

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  G03F7/037 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H10N30/80

    摘要： 提供一种高温高湿条件下的保存时的布线腐蚀少的层叠体。一种层叠体，为在压电体基板上依次形成有厚度为0.1μm～5μm的金属布线(M1)、膜厚为0.5μm～4μm的有机绝缘膜(P1)的浮雕图案、以及厚度为0.1μm～5μm的金属布线(M2)的层叠体，所述有机绝缘膜(P1)含有使包含碱可溶性树脂(A)、与萘醌二叠氮化合物(E)的感光性树脂组合物硬化而获得的硬化物，相对于所述碱可溶性树脂(A)100质量份，所述萘醌二叠氮化合物(E)的含量为5质量份～25质量份，在利用离子溶出量的测定方法对所述有机绝缘膜(P1)进行测定时，离子溶出量为2000ppm以下。

    介质层的制造方法
    4.
    发明公开
    介质层的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117712029A

    公开(公告)日：2024-03-15

    申请号：CN202311590343.3

    申请日：2023-11-27

    申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

    发明人： 王妍 ,  黄加香 ,  李琳 ,  管毓崧 ,  李宗旭

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

    摘要： 本申请涉及半导体集成电路后段工艺技术领域，具体涉及一种介质层的制造方法。所述介质层的制造方法包括以下步骤：提供半导体底层，所述半导体底层的表面形貌起伏形成有间隙；以第一沉积速率，依照在所述半导体底层的表面形貌，在所述半导体底层的表面上沉积形成第一TEOS层；以第二沉积速率在所述第一TEOS层上沉积形成第二TEOS层；所述第一沉积速率小于所述第二沉积速率，所述第一TEOS层与所述第二TEOS层填充满所述间隙。该介质层的制造方法，可以在保证均匀无孔的填充的同时，避免因绝缘介质层中各个膜层的刻蚀速率不同导致接触孔轮廓不均匀的问题。

    感光性树脂组合物
    6.
    发明公开
    感光性树脂组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN115698855A

    公开(公告)日：2023-02-03

    申请号：CN202180038895.6

    申请日：2021-05-25

    申请人： 住友电木株式会社

    发明人： 北畑太郎 ,  森清治

    IPC分类号： G03F7/023 ,  G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  H01L21/312

    摘要： 本发明提供一种感光性树脂组合物，其含有成分(A)：碱溶性树脂，其中，成分(A)含有成分(a1)：联苯芳烷基型酚醛树脂，在以下的条件1下测量的感光性树脂组合物的固化膜的拉伸伸长率为10％以上200％以下：(条件1)(i)使感光性树脂组合物在200℃、180分钟的条件下固化而形成固化膜，并由固化膜制作6.5mm×20mm×10μm厚度的试样。(ii)根据JIS K7161，在23℃、试验速度5mm/min的条件下实施试样的拉伸试验并求出拉伸伸长率。

    上层膜形成用组合物和相分离图案制造方法
    7.
    发明公开
    上层膜形成用组合物和相分离图案制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115668464A

    公开(公告)日：2023-01-31

    申请号：CN202180040825.4

    申请日：2021-06-04

    申请人： 日产化学株式会社

    发明人： 水落龙太 ,  清水祥 ,  田村护

    IPC分类号： H01L21/312 ,  C08F222/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  C08F212/04

    摘要： 本发明提供显示出对疏水性溶剂良好的溶解性、在不使形成于基板上的包含嵌段共聚物的层溶解、溶胀等的情况下能够引起嵌段共聚物的垂直取向的上层膜形成用组合物。该上层膜形成用组合物是用于使形成于基板上的包含嵌段共聚物的层进行相分离的上层膜形成用组合物，其中包含(A)共聚物，所述共聚物包含(a)源自马来酰亚胺结构的单元结构及源自苯乙烯结构的单元结构、和(B)作为溶剂的在常温常压下为液态的非芳香族烃化合物。

    ONO层表面光刻胶返工的改善方法
    8.
    发明公开
    ONO层表面光刻胶返工的改善方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115050748A

    公开(公告)日：2022-09-13

    申请号：CN202210669524.4

    申请日：2022-06-14

    申请人： 上海华力集成电路制造有限公司

    发明人： 王佳兴 ,  刘政红 ,  陈昊瑜 ,  黄冠群 ,  齐瑞生

    IPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/312

    摘要： 本发明提供一种ONO层表面光刻胶返工的改善方法，提供衬底，衬底上的第一、二区域均形成有叠层，叠层由自下而上依次叠加的第一氧化层、氮化层和第二氧化层组成，在第一区域中的第二氧化层上形成第一光刻胶层；去除需返工的第一光刻胶层，并保留第二氧化层；在第二氧化层上形成第二光刻胶层，之后通过光刻打开第二光刻胶层，使得第二区域上的第二氧化层裸露；刻蚀去除裸露的第二氧化层，使得其下方的氮化层裸露；去除剩余的第二光刻胶层，之后刻蚀去除第二区域中裸露的氮化层；刻蚀去除第一区域中的第一氧化层和第二区域中的第二氧化层。本发明降低返工时由于光刻胶粘附性问题而使得在特殊区域产生低良率问题，良率得到提升，可靠性得到保证。

    一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法
    9.
    发明公开
    一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114743870A

    公开(公告)日：2022-07-12

    申请号：CN202210252387.4

    申请日：2022-03-15

    申请人： 华南理工大学

    发明人： 李国强 ,  李善杰 ,  王文樑 ,  邢志恒

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/312

    摘要： 本发明公开了一种百纳米级栅极凹槽的刻蚀方法，包括以下步骤：先在半导体外延片上依次形成第一导电金属层、光刻胶层和第二导电金属层，再进行电子束曝光，再对第二导电金属层进行刻蚀，再对光刻胶层进行显影和定影暴露出栅极凹槽区域，再对栅极凹槽区域进行刻蚀形成栅极凹槽，再剥离光刻胶层后对第一导电金属层进行刻蚀，即可形成百纳米级的栅极凹槽。本发明通过在光刻胶底部及顶部分别溅射薄层导电金属，抑制了电子束光刻过程中的电子临近效应及背散射效应，大幅提升了百纳米级栅极凹槽的刻蚀精度。