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公开(公告)号：CN114341104B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080059299.1
申请日：2020-08-17
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07C311/48 , C07C211/64 , H01B1/12
Abstract: 本公开的新型掺杂物包含下述式(1)所示的阴离子和抗衡阳离子。在该式(1)中，R1和R2可以为选自硝基、氰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、卤代烷基、磺基、烷基磺酰基、卤代磺酰基、卤代烷基磺酰基中的至少一种基团，或者也可以为R1与R2彼此键合而形成的基团[‑SO2‑L‑SO2‑](式中，L表示卤代亚烷基)。该抗衡阳离子也可以为下述式(2)所示的自由基阳离子。(式中，R1和R2为任选地彼此键合而形成杂环的吸电子性基团，R3～R5表示氢原子氢原子、任选地具有取代基的烃基或任选地具有取代基的杂环基)。该掺杂物能形成显现高传导率的导电性组合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115461415B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202180031352.1
申请日：2021-04-27
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C08L101/12 , H01B1/12
Abstract: 本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成，该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子，优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116941019A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280016616.0
申请日：2022-02-24
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: H01L21/312
Abstract: 本公开提供一种适合于具有非化学计量组成的化合物的密封件。本公开涉及一种具有非化学计量组成的化合物用密封件，其包括：聚合物层和无机氧化物绝缘体层，所述聚合物层包括：包含有机溶剂可溶性聚合物的第一聚合物层。
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公开(公告)号：CN116057058B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202180054043.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07D471/22 , H10K85/60 , H10K71/12
Abstract: 本发明提供一种能够通过印刷工艺形成体现高电荷迁移率的有机半导体的化合物。本公开的化合物如下述式(1)所示。下述式(1)中，X1、X2相同或不同，表示‑O‑、‑NR1‑或‑PR2‑。Y1、Y2相同或不同，表示氧原子或硫原子。Z1～Z8相同或不同，表示＝N‑或＝CR3‑。所述R1、R2、R3相同或不同，表示氢原子或有机基团。n表示0以上的整数。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115397803A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028713.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07C211/56 , C08G61/12 , H01B1/12
Abstract: 本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中，R1～R3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是，R1～R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中，Ar1、Ar2、Ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同，表示0以上的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115135640B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080096972.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 株式会社大赛璐 , 国立大学法人东京大学
IPC: C07D307/77 , C07D333/50 , C07D409/14 , C07D417/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H10K85/60 , H10K10/46 , H10K101/30
Abstract: 本发明提供化学稳定性优异、对溶剂具有高溶解性、且显示出优异的载流子迁移率的化合物。所述化合物为下述式(1)表示的化合物。[式(1)中，X1、X2、X3、R1～R10如说明书中所定义。]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116918074A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280016632.X
申请日：2022-02-24
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种能廉价地制造，长期稳定性优异，p型晶体管与n型晶体管的动作的平衡良好，以高速进行动作的无机/有机混合互补型半导体器件。本公开涉及一种无机/有机混合互补型半导体器件，其包括：基板；p型有机半导体单晶层；所述基板与所述单晶层之间的n型非晶态金属氧化物无机半导体层；以及所述单晶层与所述无机半导体层之间的保护层，所述单晶层配置为：从与所述单晶层的主面垂直的方向观察时，所述单晶层的至少一部分与所述无机半导体层重叠，或所述单晶层不与所述无机半导体层重叠，所述单晶层与所述无机半导体层之间的距离为1mm以下，所述无机半导体层具有所述单晶层侧的氧缺陷量比所述基板侧的氧缺陷量多的、厚度方向的氧缺陷量的分布。
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公开(公告)号：CN114341104A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080059299.1
申请日：2020-08-17
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07C311/48 , C07C211/64 , H01B1/12
Abstract: 本公开的新型掺杂物包含下述式(1)所示的阴离子和抗衡阳离子。在该式(1)中，R1和R2可以为选自硝基、氰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、卤代烷基、磺基、烷基磺酰基、卤代磺酰基、卤代烷基磺酰基中的至少一种基团，或者也可以为R1与R2彼此键合而形成的基团[‑SO2‑L‑SO2‑](式中，L表示卤代亚烷基)。该抗衡阳离子也可以为下述式(2)所示的自由基阳离子。(式中，R1和R2为任选地彼此键合而形成杂环的吸电子性基团，R3～R5表示氢原子氢原子、任选地具有取代基的烃基或任选地具有取代基的杂环基)。该掺杂物能形成显现高传导率的导电性组合物。
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公开(公告)号：CN115397803B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202180028713.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07C211/56 , C08G61/12 , H01B1/12
Abstract: 本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中，R1～R3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是，R1～R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中，Ar1、Ar2、Ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同，表示0以上的整数。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116057058A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054043.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C07D471/22
Abstract: 本发明提供一种能够通过印刷工艺形成体现高电荷迁移率的有机半导体的化合物。本公开的化合物如下述式(1)所示。下述式(1)中，X1、X2相同或不同，表示‑O‑、‑NR1‑或‑PR2‑。Y1、Y2相同或不同，表示氧原子或硫原子。Z1～Z8相同或不同，表示＝N‑或＝CR3‑。所述R1、R2、R3相同或不同，表示氢原子或有机基团。n表示0以上的整数。
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