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公开(公告)号：CN119233665A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730562.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 烟台大学
IPC: H10K50/10 , H10K50/12 , H10K50/15 , H10K71/00 , H10K101/30 , H10K101/40
Abstract: 本发明属于发光器件技术领域，具体涉及一种钙钛矿发光器件及其制备方法和应用。所述钙钛矿发光器件包括依次层叠的衬底、阳极、空穴传输‑磷光敏化层、钙钛矿发光层、磷光超薄层、电子传输层、电子注入层和阴极。本发明的钙钛矿发光器件结合了空穴传输‑磷光敏化层与磷光超薄层，通过合理调控敏化层中掺杂材料的浓度以及超薄层的厚度，实现了高效的电荷传输与能量转移，显著提升了钙钛矿发光器件的性能；这种结构设计充分利用了敏化层和超薄层的协同作用，为高效钙钛矿发光器件的开发提供了新思路。
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公开(公告)号：CN119183310A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310750680.8
申请日：2023-06-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K59/10 , H10K85/00 , H10K101/30
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及显示装置，所述发光器件包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述发光层的材料包括核壳量子点，所述核壳量子点具有多个壳层，所述多个壳层的带隙自内而外逐渐变大，且所述多个壳层中位于最外层的外壳层的材料为ZnS；其中，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，所述第一空穴传输材料的迁移率为2×10‑6～1×10‑3cm2/Vs，所述第二空穴传输材料的迁移率大于等于1×10‑3cm2/Vs，且所述空穴传输层与所述发光层的能级差的绝对值为0.1～1.6eV。本申请旨在同时提升发光器件的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN118830345A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025296.X
申请日：2023-03-02
Applicant: 九州有机光材股份有限公司
IPC: H10K85/60 , C09K11/06 , H10K50/12 , H10K71/70 , H10K101/20 , H10K101/30
Abstract: 具有发光层的有机发光元件的发光特性优异，所述发光层包含跃迁偶极矩大于1且ΔPBHT(Tn‑T2)大于0.02的延迟荧光材料。ΔPBHT(Tn‑T2)表示T3或T4的PBHT与T2的PBHT之差。
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公开(公告)号：CN118805454A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025322.9
申请日：2023-03-02
Applicant: 九州有机光材股份有限公司
IPC: H10K85/60 , C09K11/06 , H10K50/12 , H10K71/70 , H10K101/20 , H10K101/30
Abstract: 具有发光层的有机发光元件的耐久性优异，所述发光层包含ΔE(Tn‑S1)小于0.10eV且ΔE(Tn‑T1)小于0.15eV的延迟荧光材料。Tn表示能量大于延迟荧光材料的最低激发单重态能量的激发三重态中能量最小的激发三重态，ΔE(Tn‑S1)表示延迟荧光材料的Tn的能量与最低激发单重态能量之差，ΔE(Tn‑T1)表示延迟荧光材料的Tn的能量与最低激发三重态能量之差。
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公开(公告)号：CN118765122A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410738751.7
申请日：2024-06-07
Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所
IPC: H10K50/12 , H10K85/40 , H10K85/60 , H10K85/30 , H10K101/00 , H10K101/30 , H10K101/40
Abstract: 本发明属于有机发光二极管(OLED)显示领域，公开了一种陷阱抑制型敏化有机电致发光器件、组装方法及应用研究。本发明有机电致发光器件的有机发光层包含主体、敏化剂和发光染料三类组分。本发明有机发光层中采用高HOMO(已占据分子轨道)能级的四苯基硅类空穴材料作为主体，减小了主体与发光染料之间的能级差，有效抑制了空穴陷阱，从而实现电荷传输平衡以及抑制激子淬灭，获得了低驱动电压和高器件效率。该有机电致发光器件在显示和照明领域具有应用潜力，可以显著降低能耗和提升发光亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118696618A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380019412.7
申请日：2023-03-14
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H10K30/60 , H01L27/146 , H10K30/30 , H10K39/32 , H10K85/60 , H10K101/30 , H10K101/40
Abstract: 本发明提供了一种能够提高光响应性的光电转换元件、光检测装置和光检测系统。根据本公开一个实施方案的光电转换元件包括：第一电极(11)；与第一电极(11)相对配置的第二电极(13)；和设置在第一电极(11)和第二电极(13)之间的光电转换层(12)，所述光电转换层包含具有结晶性的空穴输送材料、至少一种类型的色素材料和电子输送材料，其中在所述至少一种类型的色素材料与所述电子输送材料之间的界面处形成的陷阱密度是在所述空穴输送材料与所述电子输送材料之间的界面处形成的陷阱密度的0倍以上且5倍以下。
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公开(公告)号：CN118401028A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410473609.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 聊城大学
IPC: H10K50/10 , H10K50/12 , H10K50/18 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K101/25 , H10K101/30
Abstract: 本发明属于有机发光二极管技术领域，公开了一种稳定的TADF敏化白光OLED器件及其制备方法，结构为ITO/PEDOT:PSS/DMAc‑DPS:PT‑01‑TB/DPEPO(x nm)/Bphen/LiF/Al，以PEDOT:PSS作为空穴传输材料，以DMAc‑DPS:PT‑01‑TB作为发光层，以DEPEO作为激子阻挡层，以Bphen作为电子传输材料，以LiF作为电子注入层，以ITO和Al作为阳极和阴极。本发明的旋涂单发光层白光器件可以调控分子之间的能级匹配和电荷传递过程，提高敏化发光的效率；主体的T1通过RISC过程转换为S1后再经#imgabs0#能量转移到客体用于发光。
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公开(公告)号：CN112802983B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202011267249.0
申请日：2020-11-13
Applicant: 环球展览公司
Abstract: 本申请涉及用于电致发光装置的主体材料。公开了一种OLED配置，其尽管包含发射光谱比发射体的发射光谱更红的激发复合物，但来自所述激发复合物的发射被抑制以使得总OLED发射光谱仍由所述发射体的发射主导。
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公开(公告)号：CN118159056A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410270880.8
申请日：2024-03-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Inventor： 王琳琳
IPC: H10K50/13 , H10K101/40 , H10K101/30
Abstract: 本申请公开了一种发光器件、发光面板及发光装置，该发光器件包括位于电子阻挡层和空穴阻挡层之间的第一发光层和第二发光层，所述电子阻挡层、第一发光层、第二发光层和空穴阻挡层依次设置，所述第二发光层的激发态能级大于所述第一发光层的激发态能级。该发光器件通过第二发光层和第一发光层的能级搭配，实现发光器件效率和寿命的权衡，使发光器件具有较高的效率和寿命。
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公开(公告)号：CN118126070A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211542763.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 华为技术有限公司 , 江苏三月科技股份有限公司
IPC: C07F5/02 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/12 , H10K101/30
Abstract: 有机化合物及其应用，有机化合物具有如式(I)所示的结构：#imgabs0#其中，M1、M2分别独立地为取代或未取代的芳环、或取代或未取代的芳杂环；X为碳C或氮N；Z为C‑R1或N，R1每次出现独立地选自氢原子、氘原子、氚原子、硼原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的烷基胺基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的杂芳胺基、取代或未取代的硼烷基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的芳香硅基。该有机化合物可用于提高绿色发光器件的发光色纯度和工作寿命。
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