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公开(公告)号：CN119183306A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310750479.X
申请日：2023-06-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K59/10
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及显示装置，发光器件包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层以及阴极，所述发光层的材料包括量子点，所述发光层的厚度为所述量子点的平均粒径的1～1.5倍；所述空穴传输层的材料的迁移率为0.1×10‑3～2×10‑3cm2/Vs。本申请旨在提升发光器件的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN114672315B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011567168.2
申请日：2020-12-25
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
Abstract: 本申请涉及量子点技术领域，提供了一种量子点配体交换方法、量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点配体交换方法，包括如下步骤：提供含第一配体的第一量子点溶液；在非活性气氛下，将第一量子点溶液和反应物混合，进行回流处理，得到表面含有第二配体的量子点溶液，所述第一配体的配位能力比所述第二配体的配位能力弱；该方法适用于利用弱配体置换强配体的情况，同时能够有效避免量子点原有配体的浪费、实现原有配体的科学合理利用，具有简单、温和、有效、快捷，普适性强，资源回收利用的优点。
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公开(公告)号：CN118109199A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211515392.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 广东聚华新型显示研究院 , TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
Abstract: 本申请公开了一种量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置，所述制备方法包括：提供量子点核溶液；向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长，得到量子点溶液，其中，在加入所述量子点壳层前驱体之前，对所述量子点核溶液进行真空处理；从所述量子点溶液中提取得到量子点；通过在加入所述量子点壳层前驱体进行壳层生长之前，对所述量子点核溶液进行真空处理的操作，得以有效去除量子点核溶液中所存在的短链有机溶剂，从而减少短链有机溶剂对量子点核表面的晶面活性的影响，提升了壳层生长均一性，进而提升了所形成的量子点的粒径均一性。
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公开(公告)号：CN118085846A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211490472.0
申请日：2022-11-25
Applicant: TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
Inventor： 聂志文
IPC: C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/54 , C09K11/89 , C09K11/62 , C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/75 , H10K50/115 , H10K59/10 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种量子点及其制备方法、发光器件及显示装置。本申请的量子点的制备方法，通过将向所述核溶液中通入包含臭氧和氧气的预设气体，将所述核溶液中的所述非配位溶剂氧化成短链的羧酸，短链的羧酸可以作为配体与所述配位溶剂发生竞争，与核表面的配位连接的配位溶剂进行配体交换，从而减小了核表面的空间位阻，有助于提升核表面的晶面活性，有利于壳层生长时金属离子和非金属离子沿着核表面进行高质量壳层生长，减小壳层生长过程中缺陷的产生，减少了俄歇复合的概率，提高壳层的质量，即提高量子点的质量和发光效率。
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公开(公告)号：CN116925768A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210323258.X
申请日：2022-03-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种量子点及其制备方法、发光二极管、显示装置。量子点制备方法包括：提供混合溶液，混合溶液包括配位溶液、非配位溶液和量子点核；去除预设比例的非配位溶液；提供壳层阳离子前驱体和壳层阴离子前驱体，进行量子点壳层生长；其中，配位溶液的沸点高于非配位溶液的沸点。去除低沸点的非配位溶液，提高反应体系的沸点，使壳层高温生长，从而提高核壳量子点的结晶性，提升了量子点的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113023767B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911352574.4
申请日：2019-12-25
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米颗粒的改性方法，包括步骤：获取氧化锌溶液和甜菜碱类配体；将所述氧化锌溶液和所述甜菜碱类配体混合处理，在预设温度的保护气体氛围下反应，分离得到改性氧化锌。本发明提供的氧化锌纳米颗粒的改性方法，操作简单，快捷，适合工业化生产，满足应用需求，且制得的表面接枝有甜菜碱类配体的改性氧化锌，稳定性好、单分散性能优异，能够一定程度上阻碍电子的传输速率，提高电子和空穴在量子点发光层中的复合效率。
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公开(公告)号：CN114316942A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011048617.2
申请日：2020-09-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，提供了一种复合材料及其制备方法和发光二极管。本申请提供的复合材料包括发光量子点、不发光量子点和连接配体，连接配体连接发光量子点和不发光量子点。如此，使得不发光量子点作为保护量子点并结合连接配体表面修饰发光量子点，实现了在不影响发光量子点的光学性能的基础上有效填补发光量子点的表面缺陷，提高了量子点材料的光学稳定性；同时，将不发光量子点通过连接配体连接发光量子点，有效增加各发光量子点之间的距离，避免发生团聚，并提高了能量利用效率，利于获得具有超高单色性且发光性能优异的复合材料。
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公开(公告)号：CN113809248A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010546265.7
申请日：2020-06-15
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于发光器件材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括有机半导体材料、有机分子和金属离子，所述有机分子具有如下式I所示的结构，所述有机分子上的羧基与所述金属离子配位，并通过所述金属离子连接至所述有机半导体材料；式I中R1为‑(CH2)n‑，n为大于或等于1的整数。该复合材料缩短了有机半导体材料的分子间距，增强了分子间的共轭共振效应，使得空穴在有机半导体材料的分子间传导能力提升，从而提高了空穴迁移率，同时该复合材料通过该有机分子掺杂可以有效改善其结晶性，从而降低该复合材料的电阻，进一步增强了复合材料的空穴传输能力。
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公开(公告)号：CN119183310A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310750680.8
申请日：2023-06-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K59/10 , H10K85/00 , H10K101/30
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及显示装置，所述发光器件包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述发光层的材料包括核壳量子点，所述核壳量子点具有多个壳层，所述多个壳层的带隙自内而外逐渐变大，且所述多个壳层中位于最外层的外壳层的材料为ZnS；其中，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，所述第一空穴传输材料的迁移率为2×10‑6～1×10‑3cm2/Vs，所述第二空穴传输材料的迁移率大于等于1×10‑3cm2/Vs，且所述空穴传输层与所述发光层的能级差的绝对值为0.1～1.6eV。本申请旨在同时提升发光器件的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN119183309A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310750612.1
申请日：2023-06-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K59/10
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及显示装置，所述发光器件包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述发光层的材料包括核壳量子点，所述核壳量子点包括多个壳层，所述多个壳层包括相邻的第一壳层、第二壳层和第三壳层，其中，所述第二壳层的材料的带隙小于所述第一壳层的材料的带隙，且小于所述第三壳层的材料的带隙，所述发光层的厚度为所述核壳量子点的平均粒径的1.6～2.3倍；所述空穴传输层的材料的迁移率大于10×10‑3cm2/Vs，且小于100×10‑3cm2/Vs。本申请旨在同时提升发光器件的发光效率和使用寿命。
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