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公开(公告)号：CN119522009A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411633771.4
申请日：2024-11-15
Applicant: 中国人民大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池的离子迁移检测的方法和设备，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，所述方法包括：获取氟掺杂的锡氧化物涂层玻璃基片，在玻璃基片上旋涂SnO2胶体溶液，以得到电子传输层；根据预设的前驱体溶液配方制备不同成分的钙钛矿溶液，将钙钛矿溶液旋涂在电子传输层上并进行退火处理，以得到不同成分的钙钛矿薄膜；在钙钛矿薄膜上涂覆Spiro‑OMeTAD溶液，以得到空穴传输层；在空穴传输层上沉积金电极，以得到太阳能电池器件；模拟不同的光照条件和不同的工作负载条件，运行太阳能电池器件，评估界面离子累积量与负载的关系。本发明解决现有钛矿太阳能电池在实际工作条件下因离子迁移引起的性能不稳定和电流电压滞后等问题。
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公开(公告)号：CN119510506A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411412481.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于蒸镀OLED的缺陷检测方法及系统，涉及蒸镀OLED缺陷检测技术领域，包括以下步骤：选取洁净基板作为蒸镀基础，并在基板上安装具有镂空图案的掩膜，使掩膜与基板对齐安装；通过物理气相沉积方法在掩膜表面制备压电感测薄膜。本发明在OLED基板与掩膜之间设置压电感测薄膜，通过检测薄膜受到的压力变化识别掩膜的缺陷，在蒸镀前即可发现并修复掩膜缺陷，避免对OLED面板质量造成不良影响，提高产品良率，能够覆盖整个掩膜表面，实现无遗漏检测，并且利用机器学习算法构建缺陷检测模型，识别不同严重程度的缺陷，通过精确的特征提取和机器学习模型的智能分析，实现高准确度的缺陷识别，显著提高了OLED产品的质量可靠性。
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公开(公告)号：CN119403413A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411511724.2
申请日：2024-10-28
Applicant: 吉林大学
IPC: H10K71/00 , H10K71/10 , H10K71/70 , H10K71/60 , H10K71/80 , H10K71/16 , H10K50/125 , H10K50/15 , H10K50/844 , C30B29/54 , C30B23/00
Abstract: 本发明属于有机发光二极管器件制备技术领域，具体公开了基于有机单晶双功能层的三基色OLED器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：有机单晶的生长制备；衬底预处理；有机单晶材料的水汽透过率测试；基于有机单晶电荷传输层的红绿蓝三基色OLED器件的制备。本发明采用上述的基于有机单晶双功能层的三基色OLED器件及其制备方法，将有机单晶半导体材料代替传统蒸镀的无定形薄膜，以红绿蓝三基色发光薄膜作为发光层，以有机单晶高迁移率和优异的水氧阻隔性能，在器件中起到电荷传输层和水氧阻隔层的双功能层作用，提高了OLED器件的电流效率以及稳定性。
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公开(公告)号：CN119403352A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411979405.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 南开大学
IPC: H10K50/00 , H10K50/805 , H10K50/844 , H10K71/00 , H10K71/70 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及分子光电子器件技术领域，具体公开了基于钙钛矿量子点的可调谐偏振光子源及其制备方法，方法包括以下步骤：将石墨烯‑PMMA结构转移至硅片表面并标记图案；按照图案在石墨烯上制作外引电极；制作石墨烯电极对；制备手性可调控的手性分子：将手性分子与石墨烯电极酰胺缩合，然后加入钙钛矿量子点前驱体溶液反应，将量子点原位组装于石墨烯电极对之间，得到可调谐偏振光子源。本发明基于虚线刻蚀法的石墨烯电极单分子器件，构筑圆偏振光子源，采用在石墨烯电极边缘连接手性分子，并引入手性位点原位组装量子点的方式，构建质量高、形貌可控的量子点，使得分子连接成功率大大提高的同时又使得分子连接周期缩短。
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公开(公告)号：CN112909048B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202011387086.X
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K71/70 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 提供了一种感测单元和具有该感测单元的显示装置。所述感测单元包括第一导电层、绝缘层和设置在绝缘层上的第二导电层，第一导电层包括第一线部分，第一线部分包括第一辅助感测线、第二辅助感测线和连接线。第二导电层包括电极部分和第二线部分，电极部分包括第一感测图案和第二感测图案，第二线部分包括与第一辅助感测线叠置并且电连接到第一感测图案的第一感测线和与第二辅助感测线叠置的第二感测线。第一感测线设置在第二感测图案与第二感测线之间，连接线不与第一辅助感测线叠置，在平面图中连接线与第一感测线交叉，并且通过穿过绝缘层限定的接触孔将第二感测线电连接到第二感测图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119012886B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411480748.6
申请日：2024-10-23
Applicant: 国鲸科技(广东横琴粤澳深度合作区)有限公司
IPC: H10K71/70 , H10K50/844 , G01D21/02
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光器件密封监测方法、系统、设备及介质，包括：使用耐湿性和粘附性强的有机材料作为封装的第一层；在第二层采用无机材料形成致密的封装层，在无机材料层与下一层之间嵌入湿度传感器和氧气传感器，在无机材料层沉积后，使用光学干涉检测技术检测封装层，再通过电学特性监测，检测有无因材料沉积导致的器件电性能变化；将复合材料均匀地覆盖在第二层无机材料表面作为第三层，低温退火固化封装层，在传感器区域留有足够空间进行信号传输；第四层封装完成后，使用非接触式光学检测方法，通过传感器数据，验证每一层的密封效果是否达到预期。本发明实时监测封装状态，有效阻隔湿气和氧气的渗透，提升了器件的密封性和稳定性。
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公开(公告)号：CN119072152A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410679219.2
申请日：2024-05-29
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 内山辉晓
IPC: H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/40 , H10K71/70 , G01R31/52 , G01R31/54 , G02F1/1345 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1333
Abstract: 本发明涉及基板、基板的检查方法及显示装置的制造方法。一实施方式涉及的基板具备包含多个像素的显示区域、包围前述显示区域的周边区域、和设置于前述周边区域的检查焊盘部，其中，前述检查焊盘部具备在第1方向上排列的多个第1焊盘及多个第2焊盘、在前述第1方向上排列的并且相对前述多个第1焊盘被配置于在与前述第1方向交叉的第2方向上错开的位置的多个第3焊盘、和分别连接前述多个第1焊盘和前述多个第3焊盘的多条第1布线。
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公开(公告)号：CN114678406B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210280948.1
申请日：2022-03-21
Applicant: 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H10K59/126 , H01L23/544 , H10K59/131 , H10K71/70
Abstract: 本发明提供了显示面板和显示装置。显示面板包括：盖板，盖板的周边区域的四周设置有胶层；基板，基板与盖板相对设置，基板具有显示区和周边区，基板包括：衬底；测试走线，测试走线位于周边区的至少一侧；第一反射金属膜层，第一反射金属膜层位于周边区的四周，且位于测试走线靠近显示区的一侧；第二反射金属膜层，在水平分布方向上，第二反射金属膜层位于测试走线和第一反射金属膜层之间，且与第一反射金属膜层不电连接；测试走线、第一反射金属膜层、第二反射金属膜层均设置在衬底靠近盖板的一侧。由此，第一反射金属膜层和第二反射金属膜层不电连接，可避免反射金属膜层在激光烧结过程中熔融金属溢出与测试走线短接的情况，使产品良率提高。
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公开(公告)号：CN118946227A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410558581.4
申请日：2024-05-08
Applicant: 佳能特机株式会社
IPC: H10K71/16 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/458 , C23C16/52 , H10K71/70 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供制造方法、成膜装置及成膜方法，制造方法是制造电子器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法具有：第一工序，在基板的第一面形成膜；第二工序，在所述第一工序之后密封所述膜；以及第三工序，在所述第一工序之后且在所述第二工序之前，在用第一静电卡盘以在所述第一工序中形成有所述膜的基板的所述第一面朝向重力方向的方式保持所述基板的状态下，测量所述膜的厚度，所述第一静电卡盘包括第一保持面，该第一保持面在所述基板的与所述第一面相反一侧的第二面保持所述基板，所述第一保持面具有在重力方向一侧成为凸形状的表面形状。
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公开(公告)号：CN118632604B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411118447.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 深圳黑晶光电技术有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种可原位监测钙钛矿薄膜闪蒸干燥时间的装置及方法，属于钙钛矿电池技术领域。包括发射光源、载物台、漫射器，以及依次连接的光电传感器、图像处理器、像素采集模块、编码识别模块及输出模块；利用发射光源发射光线，经由漫射器到达载物台上的薄膜样品并输出反射光，所述光电传感器、图像处理器、像素采集模块、编码识别模块及输出模块依次对反射光进行解析、处理以及图像化等操作，实现对钙钛矿薄膜闪蒸干燥过程中的厚度以及时间的实时精确监控，提高薄膜大规模生产效率。
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