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公开(公告)号：CN119269369A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411511721.9
申请日：2024-10-28
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体公开了有机单晶薄膜水汽透过率的测试方法，包括如下步骤：有机单晶的生长制备，称量有机单晶材料粉末，放置于双温区石英管式炉中，利用物理气相传输法作为核心生长机制，在石英管的内壁上生长出薄片状的有机单晶材料；衬底预处理，利用纯净的氮气对清洗后的衬底进行吹干，完成整个修饰和清洗流程；有机单晶水汽透过率的测试方法。本发明采用上述的有机单晶薄膜水汽透过率的测试方法，利用物理气相传输法制备了大面积的有机单晶，将Ca层置于有机单晶层之下，并且通过两侧蒸镀的电极连接Ca电极，通过结合模板剥离法和钙腐蚀方法对有机单晶材料进行水汽渗透定量分析。
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公开(公告)号：CN120018691A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510204445.X
申请日：2025-02-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于有机发光二极管技术领域，具体公开了基于蒽基衍生物有机单晶OLED器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：有机单晶的生长制备；衬底预处理；基于有机单晶发光层的OLED器件制备。本发明采用上述的基于蒽基衍生物有机单晶OLED器件及其制备方法，基于蒽基衍生物材料体系，通过末端修饰端基基团，改变分子在晶体内部的堆积模式，调控电荷输运、发光效率、光耦合输出等特性，基于TBU‑DNA有机单晶作为发光层材料，通过合理选择电荷传输层、电荷阻挡层材料进行器件结构优化，最终构建了高性能有机单晶蓝光OLED器件。
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公开(公告)号：CN119403413A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411511724.2
申请日：2024-10-28
Applicant: 吉林大学
IPC: H10K71/00 , H10K71/10 , H10K71/70 , H10K71/60 , H10K71/80 , H10K71/16 , H10K50/125 , H10K50/15 , H10K50/844 , C30B29/54 , C30B23/00
Abstract: 本发明属于有机发光二极管器件制备技术领域，具体公开了基于有机单晶双功能层的三基色OLED器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：有机单晶的生长制备；衬底预处理；有机单晶材料的水汽透过率测试；基于有机单晶电荷传输层的红绿蓝三基色OLED器件的制备。本发明采用上述的基于有机单晶双功能层的三基色OLED器件及其制备方法，将有机单晶半导体材料代替传统蒸镀的无定形薄膜，以红绿蓝三基色发光薄膜作为发光层，以有机单晶高迁移率和优异的水氧阻隔性能，在器件中起到电荷传输层和水氧阻隔层的双功能层作用，提高了OLED器件的电流效率以及稳定性。
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公开(公告)号：CN119121371A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411241594.5
申请日：2024-09-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物辅助制备钙钛矿单晶薄膜阵列的方法，包括如下步骤：利用光刻工艺在硅片盖板上制备周期性尺寸可调的沟槽，将加入含氧基团聚合物添加剂的钙钛矿前驱体溶液滴入盖板和衬底之间，并将盖板和衬底放入自制夹具中用螺丝拧紧形成限域空间，含氧基团聚合物调控钙钛矿单晶的成核和生长，通过空间限域法得到尺寸可控的阵列化钙钛矿单晶薄膜。本发明采用上述一种聚合物辅助制备钙钛矿单晶薄膜阵列的方法，将含氧基团聚合物添加到钙钛矿前驱体溶剂中，能够有效降低晶体生长过程的成核位点，减缓晶粒生长，结合光刻工艺构筑的尺寸可调的阵列化几何限域空间，实现钙钛矿晶体的保形生长，得到尺寸可控的阵列化钙钛矿单晶薄膜。
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