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公开(公告)号：CN119472641A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411412480.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
Abstract: 本发明公开了应用于电力巡检的操作型智能足式机器人的控制方法，涉及电力巡检机器人技术领域，包括以下步骤：基于足式机器人搭载的多模态传感器对周围环境进行全方位扫描和检测，以收集环境数据，并对收集的环境数据进行融合，其中，多模态传感器包括前立体视觉传感器、后立体视觉传感器和三维固态激光雷达。本发明通过搭载的多模态传感器，实现对电力设施的全方位扫描和检测，机器人的自主导航能力，结合SLAM技术，使其能够在未知环境中进行有效的路径规划和自主巡检，不仅避免了机器人与障碍物的碰撞，减少了损坏风险，还减少了对人工的依赖，扩大了巡检的范围，确保了巡检的连续性和完整性。
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公开(公告)号：CN115354389A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211036770.2
申请日：2022-08-29
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
Abstract: 本申请提供一种晶体生长炉坩埚驱动轴预对中装置及其控制方法，其中预对中装置包括：具有承载面的基座本体；承载面上可转动地设有坩埚驱动轴，第一轴线的方向为第一方向；坩埚驱动轴的顶端同轴设有透光结构；籽晶直拉杆，籽晶直拉杆沿所述第一方向具有第一端和第二端，靠近第一端侧设有旋转平台，籽晶直拉杆可转动地设于旋转平台，旋转平台的一端通过驱动机构与支架本体的顶端连接；第二端为半球形；激光组件设于第二端的最底端，用于向透光结构发射激光，激光在透光结构上形成激光点；摄像组件设于坩埚驱动轴内靠近透光结构端，用于获取具有激光点的透光结构的图像信息；当判断激光点不在透光结构的中心时，驱动籽晶直拉杆移动。
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公开(公告)号：CN119308023A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411324738.3
申请日：2024-09-23
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
IPC: C30B35/00
Abstract: 本发明涉及用于晶体炉内晶体生长的晶体冷却装置及方法，涉及晶体炉相关领域，用于晶体炉内晶体生长的晶体冷却装置包括工作台，所述工作台敞口一侧交接有两个箱门，所述工作台一侧开设有窗口，通槽，所述通槽开设于所述工作台上，所述通槽内固定有晶体炉本体，所述晶体炉本体外壁内开设有冷却腔，处理盒，所述处理盒固定于所述工作台内，所述处理盒与所述晶体炉本体同轴设置，利用液体随着温度升高，密度逐渐减少的特性，使冷却腔内的冷却液为由下至上逐渐升高，那么，晶体炉本体顶部位置，也就是坩埚的位置的晶体炉本体温度为整个晶体炉本体温度最高的位置，进而不会影响到坩埚的加热。
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公开(公告)号：CN119048465A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411147528.1
申请日：2024-08-21
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
Abstract: 本发明属于工业数据融合监控技术领域，本发明提供了一种基于多源数据融合的晶体炉监控方法及系统，通过对晶体表面进行图像监测，得到晶体表面图像，将晶体表面图像划分为若干个区域，获取存在裂纹的区域，标记为裂纹区域，获取晶体表面缺陷数据，其中，晶体表面缺陷数据包括晶体缺陷分布值和晶体缺陷表征值，将晶体缺陷分布值和晶体缺陷表征值进行求和计算，得到晶体缺陷值，将晶体缺陷值与晶体缺陷阈值进行比较，若晶体缺陷值大于等于晶体缺陷阈值，生成晶体不合格信号，实时监控能够及时发现晶体生长过程中的异常情况，避免这些不良因素继续影响晶体的整体质量。
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公开(公告)号：CN118957739A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049305.1
申请日：2024-08-01
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
IPC: C30B15/22
Abstract: 本申请提供一种直拉式晶体生长炉自动控制方法、系统、设备及介质，包括以下步骤：获取晶体的目标尾端特征以及材料类型，根据材料类型，得到温度敏感度和速度敏感度；当实时生长长度大于或等于第一预设长度且实时生长直径大于或等于第一预设直径时，根据目标尾端特征，得到对应的收尾工艺集合，收尾工艺集合包括若干组不同的收尾工艺参数、以及每组收尾工艺参数对应的使用条件；若温度敏感度和速度敏感度在收尾工艺集合中具有可匹配到的使用条件时，将使用条件作为目标使用条件，以在目标使用条件对应的收尾工艺参数下对晶体进行收尾。该方案可规避晶体材料改性或尾端质量欠佳问题，提升收尾工序的确定性和准确性，优化晶体产品的质量和性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119510506A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411412481.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于蒸镀OLED的缺陷检测方法及系统，涉及蒸镀OLED缺陷检测技术领域，包括以下步骤：选取洁净基板作为蒸镀基础，并在基板上安装具有镂空图案的掩膜，使掩膜与基板对齐安装；通过物理气相沉积方法在掩膜表面制备压电感测薄膜。本发明在OLED基板与掩膜之间设置压电感测薄膜，通过检测薄膜受到的压力变化识别掩膜的缺陷，在蒸镀前即可发现并修复掩膜缺陷，避免对OLED面板质量造成不良影响，提高产品良率，能够覆盖整个掩膜表面，实现无遗漏检测，并且利用机器学习算法构建缺陷检测模型，识别不同严重程度的缺陷，通过精确的特征提取和机器学习模型的智能分析，实现高准确度的缺陷识别，显著提高了OLED产品的质量可靠性。
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公开(公告)号：CN119411092A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411273725.8
申请日：2024-09-12
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
Abstract: 本发明涉及蒸镀控制技术领域，本发明公开了一种OLED有机蒸镀腔体部件微污染残留的控制方法；包括获取甄别事件，判定是否满足微污染残留控制需求，获取OLED蒸镀设备在子区间中的残留影响数据，预测出下一个子区间的污染状态值，从残留影响数据中识别出目标数据，并制定出与目标数据相对应的微污染控制指令；相对于现有技术，本发明能够提高了微污染残留控制的门槛，极大的缩减了无关数据的采集量，同时能够在OLED蒸镀设备即将出现微污染残留的现象之前，及时且准确的制定出针对性的控制指令，确保OLED蒸镀设备能够在出现微污染残留现象之前进行合理且及时的优化控制处理，防止OLED蒸镀设备腔体部件上发生微污染残留的现象。
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公开(公告)号：CN117646272B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311679377.X
申请日：2023-12-08
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种监测晶体生长的控制系统和方法，涉及晶体生长技术领域。本发明利用光学显微镜、超分辨率技术、数值模拟技术等手段，对晶体的形貌和边界信息进行高效的获取、处理和分析，从而实现对晶体的生长速率和生长方向的精确计算，以及对晶体生长的目标和标准的有效评估，分析晶体生长过程中的形貌变化和生长机制，同时根据晶体生长的状态和异常，对晶体生长过程中的相关参数进行实时调节，以提高晶体生长的质量和效率。
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公开(公告)号：CN117626411A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311718797.4
申请日：2023-12-14
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
IPC: C30B15/20 , G06F18/213 , G06F18/10
Abstract: 本发明公开了一种晶体炉真空控制系统及真空度控制方法，涉及晶体生长控制技术领域。该系统中，声波传感器用于采集晶体炉内的声波信号，预处理模块用于对声波信号进行预处理，并提取出声波信号的特征参数，异常诊断模块用于判断晶体炉内的真空度是否存在异常，预测模块用于预测晶体炉内的真空度变化趋势，并确定晶体炉内的真空度调节需求，控制模块用于计算出晶体炉内的本效平衡控制参数，执行模块用于控制晶体炉内的相关设备。本发明通过对晶体炉内的声波信号进行分析和处理，实现晶体炉内的真空度的快速和精确控制，提高晶体生长的质量和效率。
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公开(公告)号：CN115287604A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211034070.X
申请日：2022-08-26
Applicant: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
Abstract: 本申请提供一种连续蒸镀系统及使用方法，设计主坩埚、次坩埚及材料室，通过监控蒸镀源重量变化连续向蒸镀室补充蒸镀源，而不必一次加入大量的蒸镀源，实现较长时间的连续蒸镀作业；通过在蒸镀室内设计第一浓度检测仪和第二浓度检测仪，利用蒸镀源气体浓度控制基板向蒸镀室输送的连续性，使基板在蒸镀源气体浓度均匀性较高的环境中形成蒸镀层，提高了蒸镀层质量的一致性；通过在蒸镀室内设计蒸镀罩，有效控制了蒸镀源气体的扩散方向，使其沿蒸镀源气体通道均匀的沉积在基板上，进一步提高了蒸镀质量的均匀性和一致性；通过设计挡板，加快了蒸镀罩内蒸镀源气体浓度的均匀化速度，既提高了蒸镀作业效率，也可以节约蒸镀源，提高蒸镀源利用率。
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