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公开(公告)号：CN118984892A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202380032892.0
申请日：2023-02-01
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： [课题]提供能够定量评价石英坩埚的变形、偏心的有无或变形、偏心的大小的硅单晶的制造方法和装置。[解决方案]本发明是从石英坩埚11内的硅熔液2提拉硅单晶的硅单晶的制造方法，其中以规定的时间间隔取得包含反映在硅熔液2的熔液面2a上的石英坩埚11的镜像11M的影像，根据在石英坩埚11至少旋转一圈期间取得的多张影像所映现的石英坩埚11的镜像11M的位置的时间变化来评价石英坩埚11的变形或偏心。
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公开(公告)号：CN118957732A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411064947.9
申请日：2024-08-05
申请人： 云南美科新能源发展有限公司 , 包头美科硅能源有限公司
摘要： 本发明公开了一种低功耗炉底保温结构及其拉晶工艺，涉及单晶炉保温领域，用于对单晶炉底部进行保温，包括保温组件和第一炉底保温毡，所述第一炉底保温毡紧贴所述单晶炉底部外壁，所述保温组件由内至外为多层同轴心结构，且所述保温组件由内至外的每层依次紧贴设置，所述保温组件的内壁紧贴所述第一炉底保温毡的外壁。本发明设计了一种低功耗炉底保温结构，包括保温组件和第一炉底保温毡；且所述保温组件为由内至外的多层同轴心结构，能够增加炉底保温性能，减少炉底保温处的热量散失，减少引晶、等径功率，达到降低功耗的效果，节约电耗成本。
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公开(公告)号：CN118932484A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310515445.2
申请日：2023-05-09
申请人： 内蒙古中环晶体材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种单晶硅棒的取运系统及方法，涉及单晶硅生产技术领域，以解决目前采用通过天车使用挂钩及牵引绳将单晶硅棒提起，在单晶硅棒从副室内旋出后，通过取晶筒放置在车间，对单晶表面结构造成损伤，导致单晶尾部出现裂纹、崩边的现象，导致硅棒反切，影响产出量的问题。此单晶硅棒的取运系统包括轨道，安装于硅棒生产车间的顶部；运载装置，包括基座、升降组件和抓取组件，基座与轨道滑动连接，用于带动升降组件和抓取组件移动；升降组件连接于基座的底部；抓取组件连接于升降组件的端部，用于夹持单晶硅棒，本发明的有益效果是有效的减少单晶硅棒的损耗，并且能够节约生产区域的空间，降低人力运输成本，避免产量的过多损失。
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公开(公告)号：CN118910726A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411233789.5
申请日：2024-09-04
申请人： 北京北方华创真空技术有限公司
摘要： 本申请涉及晶体加工设备的技术领域,公开了一种连续加料连续长晶的晶体生长装置，其包括拉晶单元，包括炉体、坩埚以及隔离阀；坩埚位于炉体中，炉体上具有与炉体内部连通的进料通道，隔离阀安装于进料通道上，用于对进料通道进行启闭；以及送料单元，包括基座、仓体、加料仓、送料管以及波纹管；加料仓架设于仓体中，送料管一端安装仓体中并与加料仓的出料口相对，且仓体具有供送料管延伸出的让位口；波纹管连接于进料通道与仓体之间，以将进料通道与让位口连通，且波纹管同时套设送料管；仓体移动于基座上，以能够带动送料管远离仓体的一端通过进料通道进入或离开炉体。本申请能够使晶体加工过程中不易受到外部环境的影响。
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公开(公告)号：CN118910721A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411029262.0
申请日：2024-07-30
申请人： 宁波诺丁汉大学 , 诺丁汉大学卓越灯塔计划(宁波)创新研究院
摘要： 本发明公开了基于内部供热生产多晶硅的气固流化床，涉及多晶硅生产技术领域；为了解决现有气固流化床生产多晶硅过程中大量的多晶硅在高温壁面沉积，降低传热效率，阻碍连续化生产的问题；也为了解决现有气固流化床生产多晶硅技术的工业放大问题；气固流化床具体包括流化床壳体，所述流化床壳体为矩形，所述流化床壳体外壁包覆有冷却套，所述冷却套一侧底端设置有冷却流体进口，所述冷却套一侧顶端设置有冷却流体出口，所述流化床壳体内壁底端固定有加热件。本发明通过设置有冷却套、冷却流体进口、冷却流体出口和加热件，利用加热件内部加热和冷却套严格控制流化床壳体的壁面温度，也通过矩形模块化的床体设计解决气固流化床的工业放大问题。
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公开(公告)号：CN114929951B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202080091664.7
申请日：2020-11-20
申请人： 信越半导体株式会社
摘要： 本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部向原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于冷却筒，冷却辅助筒的材料由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，冷却辅助筒具有覆盖冷却筒的面对原料融液的底面的结构，冷却辅助筒与冷却筒的底面的间隙是1.0mm以下。由此，能够提供一种可增大结晶内温度梯度并实现单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。
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公开(公告)号：CN113272479B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980066785.3
申请日：2019-09-09
申请人： 环球晶圆股份有限公司
发明人： M·波里尼
摘要： 本发明公开用于制造单晶硅铸锭的方法，其中硅熔融物中的掺杂剂浓度受到控制。所述掺杂剂浓度的所述控制通过所述单晶硅铸锭的颈部、冠部及主体部分中的位错的减少或消除来增强铸锭质量。
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公开(公告)号：CN118880438A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411039116.6
申请日：2024-07-31
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，涉及半导体单晶硅拉晶技术领域，通过等径预定距离后，提高拉速，以使晶棒在预定拉速下拉制，增大温度梯度，使得得到的待滚磨晶棒中小尺寸的氧沉淀点位增多，将待滚磨晶棒进行滚磨、分段、切片，得到硅片；对含有诸多小尺寸氧沉淀的硅片进行热处理，氧和空位在高温下的扩散，其在硅晶表面的浓度低于饱和度，小尺寸的氧沉淀在高温下的溶解，使得热处理后硅片的DZ洁净区的深度增加，DZ洁净区深度达到60μm以上。
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