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公开(公告)号：CN116334740B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310627350.X
申请日：2023-05-31
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本申请的实施例提供了一种单晶炉及单晶炉降氧方法，涉及单晶炉技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、加热器、保温筒、供氩装置以及吸氧装置，保温筒设置于炉体内，坩埚设置于保温筒内，坩埚内用于盛放硅液，加热器设置于炉体内，以对坩埚进行加热；供氩装置设置于炉体上，以向坩埚内通入氩气；吸氧装置设置于炉体内，用于吸附坩埚内的氧气，其能够在不降低发热圈的高度的基础上降低坩埚内的氧含量。
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公开(公告)号：CN116446036A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310702793.0
申请日：2023-06-14
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种单晶炉水冷装置。本发明属于单晶体制造技术领域，包括主炉筒；所述主炉筒顶部经法兰固接有炉盖；所述炉盖顶部经法兰固接有连接筒；所述主炉筒内卡接有连接保温筒；所述保温筒内顶部卡接有水冷单元；通过设置水冷单元，采用可径向滑动的多个水冷板配合延伸板，可根据不同直径的单晶体进行位置调节，保持热传导距离不变或降低，同时延伸板的存在可提高热传导面积，均用于确保对单晶体冷却时，冷却效率不降或是提高，避免单晶体制造过程中，处于引晶和放肩步骤之间所形成的小直径连接单晶体未冷却完全，在后续大直径单晶体生成时，对小直径连接单晶体产生较大的拉力而形变或是断裂，造成单晶体制造失败。
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公开(公告)号：CN116397318A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310680124.8
申请日：2023-06-09
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及单晶炉技术领域，尤其是指一种单晶坩埚装载装置；包括上滑柱，所述上滑柱的顶部固接有对接盘，所述对接盘的顶部设置有坩埚托盘，所述坩埚托盘呈圆盘形设置，所述坩埚托盘包括三个体积相同的瓣片，所述坩埚托盘的顶面中部固接有环形的锁定环，所述瓣片的外侧设置有驱动组件，所述驱动组件用于带动瓣片在对接盘的顶部滑动，通过驱动组件让三个石墨坩埚分离，此时石墨坩埚和石英坩埚相互分离，两者直接存在缝隙，可以更加便捷的将石英坩埚取出，且相互分离的石墨坩埚也更加方便取出，通过此种设置，不仅方便了石英坩埚的取出过程，同时也方便了石墨坩埚的安放和取出过程。
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公开(公告)号：CN116145239B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310443553.3
申请日：2023-04-24
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅生长技术领域，具体涉及单晶硅加料监测方法和单晶硅连续加料装置及其生长装置，包括以下步骤：在连续加料时，基于光源经光栅网格发出的光束网格照射到当前时刻硅料上形成的当前时刻网格图案，结合霍夫变换，实时获取各多边形的顶点；实时获取若干单个封闭网格的相应面积Sa1；基于Sa1，实时获取单个封闭网格面积的几何平均值Sa；基于Sa、SL，实时获取当前时刻下|Sa‑SL|的值来判断下次连续加料时机；循环S5‑S9，直至达到拉制单晶硅所需重量时停止加料。本发明通过光束网络形成的矩形的形变量并经特定关系的转化后相应地对硅料熔化情况进行实时准确监测，从而利于获取连续加料的时机和加料次数。
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公开(公告)号：CN116288663A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310559541.7
申请日：2023-05-18
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种改善单晶硅棒扭曲变形的设备调试方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。方法包括：检查和调整晶转和埚转；如果晶棒扭转改善不到预期效果，则检查系统中的液口距；在液口距合适的情况下，当V实≤V目‑V浮时，则间歇地降低目标拉速V目；当V实＞V目‑V浮时，如果实际晶升＞设定晶升，则降低实际晶升；在液口距超过合适范围的情况下，则间隙地降低目标液口距。方法能够避免依据经验无法准确判断带来的晶体扭曲变形的原因，避免采取措施过度、与系统自动控制过程相冲突、加剧扭转变形等问题。
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公开(公告)号：CN116121848A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310400021.1
申请日：2023-04-14
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司 , 云南宇泽半导体有限公司
摘要： 本发明涉及单晶炉的技术领域，特别是涉及一种单晶炉热场降氧保温装置，在使用过程中，可对中保温筒下半部分与坩埚之间形成的氩气流通通道进行调节，从而适应更多工况，降低含氧量；包括：固定座，呈环形，中部设置供坩埚穿过的通孔，固定座与炉体内壁连接，固定座沿径向开设若干导向孔；若干调节板，相邻调节板滑动连接，调节板端部设置有固定轴，固定轴一端穿过导向孔。
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公开(公告)号：CN116288658B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310572905.5
申请日：2023-05-22
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种顶部间歇性掺杂的单晶炉及其掺杂方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。顶部间歇性掺杂的单晶炉包括炉体和间隙性掺杂器，间隙性掺杂器安装在炉体的喉口位置，间隙性掺杂器包括相互连接、且可相对转动的上盘和下盘，上盘上开设有多个第一通孔，第一通孔内用于装载掺杂剂，下盘上开设有第二通孔，控制下盘相对上盘转动，以使第二通孔移动至第一通孔的下方、释放第一通孔内的掺杂剂。通过间隙性掺杂器实现在炉体内顶投间歇式加入掺杂剂，能够对硅液中杂质浓度得到有效精准把控，降低了杂质对硅晶体缺陷的负面影响，提高了单晶硅棒的成晶率和晶棒品质。
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公开(公告)号：CN116446036B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310702793.0
申请日：2023-06-14
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种单晶炉水冷装置。本发明属于单晶体制造技术领域，包括主炉筒；所述主炉筒顶部经法兰固接有炉盖；所述炉盖顶部经法兰固接有连接筒；所述主炉筒内卡接有连接保温筒；所述保温筒内顶部卡接有水冷单元；通过设置水冷单元，采用可径向滑动的多个水冷板配合延伸板，可根据不同直径的单晶体进行位置调节，保持热传导距离不变或降低，同时延伸板的存在可提高热传导面积，均用于确保对单晶体冷却时，冷却效率不降或是提高，避免单晶体制造过程中，处于引晶和放肩步骤之间所形成的小直径连接单晶体未冷却完全，在后续大直径单晶体生成时，对小直径连接单晶体产生较大的拉力而形变或是断裂，造成单晶体制造失败。
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公开(公告)号：CN116428902B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310678043.4
申请日：2023-06-09
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种单晶炉双相复合换热器、单晶炉和换热方法；单晶炉双相复合换热器包括换热壳体和分隔板，换热壳体包括相互连接且间隔分布的内壳和外壳，内壳的内壁和外壳的内壁之间形成换热腔，内壳的外壁围合形成提拉通道；分隔板连接于内壳的内壁和外壳的内壁之间，用于将换热腔分隔为水冷换热腔和相变换热腔，其中，水冷换热腔位于相变换热腔的上方，水冷换热腔用于循环冷却水，相变换热腔用于盛装有机换热介质、并用于容纳有机换热介质挥发形成的气相换热介质。本发明的单晶炉双相复合换热器和换热方法能够稳定、可靠地控制纵向温度梯度，以保证晶体在高拉速下稳定地生长，提高晶体生产效率。
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公开(公告)号：CN116219532B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310507657.6
申请日：2023-05-08
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅生产领域，具体涉及一种单晶炉用导流筒、制备方法及单晶炉，导流筒包括自上而下具有第一直筒段和第一锥筒段的外导流筒和自上而下具有第二直筒段和第二锥筒段的内导流筒，第二直筒段的竖直高度小于第一直筒段的竖直高度；以及碳毡填充区，其包括，位于第二直筒段与外导流筒之间的温度梯度增强区和位于第二锥筒段与外导流筒之间的斜向低温度梯度区；碳毡填充区填充有高密度碳毡层和围绕高密度碳毡层竖直设置的低密度碳毡层，温度梯度增强区填充有水平和竖直的高密度碳毡层，斜向低温度梯度区填充有倾斜的高密度碳毡层。本发明能有效抑制碳毡粉化的影响，改善保温层排布不均匀的影响，抑制拉晶断线和提高晶体质量，提高生产效率。
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