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公开(公告)号：CN116334740B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310627350.X
申请日：2023-05-31
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本申请的实施例提供了一种单晶炉及单晶炉降氧方法，涉及单晶炉技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、加热器、保温筒、供氩装置以及吸氧装置，保温筒设置于炉体内，坩埚设置于保温筒内，坩埚内用于盛放硅液，加热器设置于炉体内，以对坩埚进行加热；供氩装置设置于炉体上，以向坩埚内通入氩气；吸氧装置设置于炉体内，用于吸附坩埚内的氧气，其能够在不降低发热圈的高度的基础上降低坩埚内的氧含量。
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公开(公告)号：CN116145239B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310443553.3
申请日：2023-04-24
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅生长技术领域，具体涉及单晶硅加料监测方法和单晶硅连续加料装置及其生长装置，包括以下步骤：在连续加料时，基于光源经光栅网格发出的光束网格照射到当前时刻硅料上形成的当前时刻网格图案，结合霍夫变换，实时获取各多边形的顶点；实时获取若干单个封闭网格的相应面积Sa1；基于Sa1，实时获取单个封闭网格面积的几何平均值Sa；基于Sa、SL，实时获取当前时刻下|Sa‑SL|的值来判断下次连续加料时机；循环S5‑S9，直至达到拉制单晶硅所需重量时停止加料。本发明通过光束网络形成的矩形的形变量并经特定关系的转化后相应地对硅料熔化情况进行实时准确监测，从而利于获取连续加料的时机和加料次数。
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公开(公告)号：CN116288663A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310559541.7
申请日：2023-05-18
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种改善单晶硅棒扭曲变形的设备调试方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。方法包括：检查和调整晶转和埚转；如果晶棒扭转改善不到预期效果，则检查系统中的液口距；在液口距合适的情况下，当V实≤V目‑V浮时，则间歇地降低目标拉速V目；当V实＞V目‑V浮时，如果实际晶升＞设定晶升，则降低实际晶升；在液口距超过合适范围的情况下，则间隙地降低目标液口距。方法能够避免依据经验无法准确判断带来的晶体扭曲变形的原因，避免采取措施过度、与系统自动控制过程相冲突、加剧扭转变形等问题。
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公开(公告)号：CN117364231B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311678001.7
申请日：2023-12-08
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
IPC分类号： G06F18/214 , G06F18/213 , G06F17/16 , C30B15/20 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及硅棒含氧量控制的技术领域，特别是涉及一种基于多参数协同控制的硅棒含氧量调控方法及系统，其能够有效解决单晶炉使用时间延长和环境变化对硅棒含氧量控制的挑战，提高硅棒的质量和性能；方法包括：获取硅棒生产要求，并对硅棒生产要求进行含氧量数据识别、提取，获得硅棒含氧量规定值；根据预先设定的数据采集时间频率对单晶炉内硅棒拉制环境数据进行持续采集，并将每次采集的环境数据与采集时间戳相关联，获得炉内拉制环境数据集合；炉内拉制环境数据集合包括结晶温度、拉制速度、气氛流速以及炉内气压；按照采集时间戳的先后顺序，将设定数量的炉内拉制环境数据集合进行数据排序、对齐，获得炉内拉制环境特征矩阵。
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公开(公告)号：CN116495471A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310746433.0
申请日：2023-06-25
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
IPC分类号： B65G47/90
摘要： 本发明涉及一种单晶硅棒转移运输装置。本发明涉及单晶硅棒领域，包括连接柱；所述连接柱上固接有扶手；所述连接柱底部一侧转动连接有夹持组件；所述夹持组件包括底框架；通过设置横向移动的第一夹板与竖向移动的第二夹板，在对单晶硅棒夹持时，可通过横向移动第一夹板与竖向移动第二夹板来调节对不同尺寸的单晶硅棒的夹持，其次利用第一夹板底部设置的尖端，可实现对相邻两个紧贴的单晶硅棒之间缝隙的扩张，使得第一夹板更易于伸入，从而便于对单晶硅棒的中部进行夹持，且在第一夹板移动时，拉扯拉绳，配合拉绳的拉力，实现将尖端收缩在第一夹板内，避免尖端对夹持组件的移动产生影响。
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公开(公告)号：CN116219535B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310506574.5
申请日：2023-05-08
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及单晶生产技术领域，具体而言，涉及晶体生长方法，其包括分段预热、熔接和引晶；其中，分段预热包括第一预热、第二预热和第三预热，其中，第一预热时籽晶以第一预设速度朝向硅熔体的液面下降，第二预热时籽晶以第二预设速度朝向硅熔体的液面下降，第三预热时籽晶以第一预设速度朝向硅熔体的液面下降；第一预设速度、第二预设速度、第三预设速度依次减小；熔接包括：控制熔体初始接触面与硅熔体的液面接触5‑30s后，再使籽晶下降预设高度。本发明的方法能够缓解热应力，减少籽晶表面的缺陷；而且还可以减少位错生成、并缩短位错滑移长度，降低初始熔接位置位错密度，进而便于在无位错或低位错区域进行初始引晶，以提高晶体成活率。
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公开(公告)号：CN116200806B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310484648.X
申请日：2023-05-04
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅生产技术领域，具体涉及一种生产单晶硅的停炉方法及单晶炉，方法包括：在硅熔液的液面温度高于950℃~1050℃时，采用CCD相机监测液面温度；在液面温度不高于950℃~1050℃时，采用广角红外测温单元监测硅晶棒表面和单晶炉内加热器发热区的温度，向单晶炉内通氩气进行冷却；冷却的条件包括：硅晶棒和坩埚分别转动；在硅晶棒表面的温度降至950℃~1050℃时，使硅晶棒进行第一提升和第二提升，使坩埚下移；在硅晶棒表面的温度降至880℃‑920℃时，使热屏上移，使坩埚下移；在硅晶棒表面的温度降至440℃~460℃时，取出硅晶棒；在加热器发热区温度降至310℃‑330℃时，拆炉和/或装炉。本发明的方法能提高生产效率，避免事故，提高晶棒质量，避免热场部件老化。
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公开(公告)号：CN116180214A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310476767.0
申请日：2023-04-28
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司 , 云南宇泽半导体有限公司
摘要： 本发明涉及单晶硅的技术领域，特别是涉及一种单晶炉用降氧式加热装置，其结构简单，主加热器由若干个加热片拼接而成，主加热器故障时，能够快速定位到加热片，并且无需拆除大量器件即可完成对加热片的更换，降低了使用成本；包括主加热器；所述主加热器包括若干个加热片，这些加热片呈圆周阵列设置形成主加热器，每个加热片的两端均固定有电极板。
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公开(公告)号：CN116145239A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310443553.3
申请日：2023-04-24
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅生长技术领域，具体涉及单晶硅加料监测方法和单晶硅连续加料装置及其生长装置，包括以下步骤：在连续加料时，基于光源经光栅网格发出的光束网格照射到当前时刻硅料上形成的当前时刻网格图案，结合霍夫变换，实时获取各多边形的顶点；实时获取若干单个封闭网格的相应面积Sa1；基于Sa1，实时获取单个封闭网格面积的几何平均值Sa；基于Sa、SL，实时获取当前时刻下|Sa‑SL|的值来判断下次连续加料时机；循环S5‑S9，直至达到拉制单晶硅所需重量时停止加料。本发明通过光束网络形成的矩形的形变量并经特定关系的转化后相应地对硅料熔化情况进行实时准确监测，从而利于获取连续加料的时机和加料次数。
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公开(公告)号：CN116288658B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310572905.5
申请日：2023-05-22
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种顶部间歇性掺杂的单晶炉及其掺杂方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。顶部间歇性掺杂的单晶炉包括炉体和间隙性掺杂器，间隙性掺杂器安装在炉体的喉口位置，间隙性掺杂器包括相互连接、且可相对转动的上盘和下盘，上盘上开设有多个第一通孔，第一通孔内用于装载掺杂剂，下盘上开设有第二通孔，控制下盘相对上盘转动，以使第二通孔移动至第一通孔的下方、释放第一通孔内的掺杂剂。通过间隙性掺杂器实现在炉体内顶投间歇式加入掺杂剂，能够对硅液中杂质浓度得到有效精准把控，降低了杂质对硅晶体缺陷的负面影响，提高了单晶硅棒的成晶率和晶棒品质。
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