-
公开(公告)号：CN103261493A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180055458.1
申请日：2011-11-17
申请人： 思利科材料有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C01B33/037 , C30B29/06 , H01L31/18
CPC分类号： F27B14/10 , B22D27/045 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及使用定向固化用于纯化硅的装置和方法。所述装置可以用于硅的定向固化多于一次而没有故障。本发明的装置和方法可以用于制造用于太阳能电池的硅晶体。
-
公开(公告)号：CN103237928A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180056479.5
申请日：2011-11-23
申请人： 思利科材料有限公司
IPC分类号： C30B11/00 , C30B11/04 , C30B11/08 , C30B13/00 , C30B13/08 , C30B13/10 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B29/52
CPC分类号： C30B13/10 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B11/08 , C30B13/00 , C30B13/08 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B29/52 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 描述了使用不同等级的硅原料形成硅锭和硅晶体的技术。共同特征是将预定量的锗添加至熔体并进行结晶以将锗引入各个晶体硅材料的硅晶格。这种引入的锗导致各个硅材料特征的改进，包括增加的材料强度和改进的电学性能。这在将这种材料应用于太阳能电池制造并从这些太阳能电池制造模块时引起积极影响。
-
公开(公告)号：CN102668103A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080048499.3
申请日：2010-10-27
申请人： 卡利太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种使用富氧界面层(209)的抗极化太阳能电池。所述富氧界面层可由SiOxNy组成，所述SiOxNy可具有在接近所述太阳能电池的富氧至远离所述太阳能电池的富氮之间变化的渐变分布。可将氧化硅钝化层(601)插入所述太阳能电池和SiOxNy渐变介电层之间。所述渐变SiOxNy介电层可被非渐变SiOxNy介电层和SiN AR涂层(703)替换。
-
公开(公告)号：CN102656704A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080019089.6
申请日：2010-04-19
申请人： 卡利太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种简化的制造方法以及所制造的双面太阳能电池(BSC)，该简化的制造方法降低了制造成本。该BSC包括通过例如磷扩散步骤形成的位于衬底(101)的前表面上的活动区(103)。在去除PSG之后，进行磷扩散，并隔离前结，介电层(105/107)被沉积在前表面和后表面上。通过例如丝网印刷形成触点网格(109/111)。在沉积后表面电介质之前，将金属网格施加到该后表面，在触点烧制期间，该后表面触点网格对准且合成到该金属网格。
-
公开(公告)号：CN102598272A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080018681.4
申请日：2010-04-29
申请人： 卡利太阳能有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/66 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , C30B35/007
摘要： 本发明提供一种用于确定UMG-Si原料批中的硼和磷浓度的质量控制方法。通过来自于UMG-Si原料批的熔化UMG-Si的定向固化形成硅测试锭。测量所述硅测试锭的自上而下的电阻率。然后，映射所述硅测试锭的电阻率分布。基于所述硅测试锭的所述电阻率分布，计算所述UMG-Si硅原料批的磷和硼浓度。此外，可以在多炉腔晶体生长器中同时生长多个测试锭，其中每个测试锭对应于一个UMG-Si原料批。
-
公开(公告)号：CN102549765A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080019116.X
申请日：2010-04-19
申请人： 卡利太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种简化制造方法和所形成的双面太阳能电池(BSC)，该简化制造方法降低了制造成本。BSC包括后表面触点网格(113)和覆盖的覆盖金属反射器(117)。掺杂非晶硅层插入触点网格和覆盖层之间。
-
-
公开(公告)号：CN103813983B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280044634.6
申请日：2012-09-14
申请人： 思利科材料有限公司
IPC分类号： C01B33/037 , C30B11/00 , C30B29/06 , C30B28/06 , B22D27/04
CPC分类号： B22D27/045 , C01B33/02 , C01B33/037 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B23/00 , C30B23/025 , C30B29/06 , C30B29/36 , C30B35/002
摘要： 本发明涉及一种使用快速定向凝固而提纯材料的装置和方法。所示的设备和方法提供了对在定向凝固过程中的温度梯度和冷却速率的控制，这产生更高纯度的材料。本发明的装置和方法可用于制备用于诸如太阳能电池的太阳能应用的硅材料。模具（801）通过壁结构（802）和基底（804）限定。系统（800）还包括顶部加热器（820）用以控制熔融硅（801）的热梯度和冷却速度。壁结构（801）包括从模具（801）的边缘到与底部（804）面接的界面的厚度渐缩。
-
公开(公告)号：CN102598272B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201080018681.4
申请日：2010-04-29
申请人： 思利科材料有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/66 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , C30B35/007
摘要： 本发明提供一种用于确定UMG-Si原料批中的硼和磷浓度的质量控制方法。通过来自于UMG-Si原料批的熔化UMG-Si的定向固化形成硅测试锭。测量所述硅测试锭的自上而下的电阻率。然后，映射所述硅测试锭的电阻率分布。基于所述硅测试锭的所述电阻率分布，计算所述UMG-Si硅原料批的磷和硼浓度。此外，可以在多炉腔晶体生长器中同时生长多个测试锭，其中每个测试锭对应于一个UMG-Si原料批。
-
公开(公告)号：CN104093666A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007123.1
申请日：2013-02-01
申请人： 思利科材料有限公司
IPC分类号： C01B33/037 , C01B11/00
CPC分类号： C22B9/00 , C01B33/02 , C01B33/037 , C22B21/06 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/14 , F27B14/20
摘要： 本发明涉及使用部分凝固来纯化材料的装置和方法。所示的设备和方法提供了对部分凝固过程中的温度梯度和冷却速率的控制，这产生更高纯度的材料。本发明的装置和方法可以用于制造用于太阳能应用，例如太阳能电池中的硅材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
26 条记录 (耗时 0.067 秒)
