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公开(公告)号:CN102668114A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080019090.9
申请日:2010-04-19
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提出了一种简化的制造方法和所制造的双面太阳能电池(BSC),该简化的制造方法减低了制造成本。该BSC包括位于衬底(101)的前表面上的通过例如磷扩散步骤形成的活动区(107)。后表面包括掺杂区(103),该掺杂区具有与衬底相同的导电性,但是具有更高的掺杂水平。通过例如丝网印刷来形成触点网格(111/113)。利用激光划片机来实现前结隔离。
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公开(公告)号:CN102498062A
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201080018680.X
申请日:2010-02-10
Applicant: 卡利太阳能有限公司
IPC: C01B33/02
CPC classification number: C01B33/037 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , C30B35/007
Abstract: 本发明提供一种用于UMG-Si提纯的过程控制方法,其执行熔化UMG-Si的定向固化以形成硅锭。所述锭被分割为多个块,并映射每个硅块的电阻率分布。基于电阻率映射,计算用于去除定向固化过程中浓缩和捕捉在锭中的杂质的剪切线。然后,通过沿着块的计算的剪切线剪切每个块,去除浓缩的杂质。
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公开(公告)号:CN102656704A
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN201080019089.6
申请日:2010-04-19
Applicant: 卡利太阳能有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种简化的制造方法以及所制造的双面太阳能电池(BSC),该简化的制造方法降低了制造成本。该BSC包括通过例如磷扩散步骤形成的位于衬底(101)的前表面上的活动区(103)。在去除PSG之后,进行磷扩散,并隔离前结,介电层(105/107)被沉积在前表面和后表面上。通过例如丝网印刷形成触点网格(109/111)。在沉积后表面电介质之前,将金属网格施加到该后表面,在触点烧制期间,该后表面触点网格对准且合成到该金属网格。
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公开(公告)号:CN102598272A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080018681.4
申请日:2010-04-29
Applicant: 卡利太阳能有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/66 , C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , C30B35/007
Abstract: 本发明提供一种用于确定UMG-Si原料批中的硼和磷浓度的质量控制方法。通过来自于UMG-Si原料批的熔化UMG-Si的定向固化形成硅测试锭。测量所述硅测试锭的自上而下的电阻率。然后,映射所述硅测试锭的电阻率分布。基于所述硅测试锭的所述电阻率分布,计算所述UMG-Si硅原料批的磷和硼浓度。此外,可以在多炉腔晶体生长器中同时生长多个测试锭,其中每个测试锭对应于一个UMG-Si原料批。
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公开(公告)号:CN102549765A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201080019116.X
申请日:2010-04-19
Applicant: 卡利太阳能有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种简化制造方法和所形成的双面太阳能电池(BSC),该简化制造方法降低了制造成本。BSC包括后表面触点网格(113)和覆盖的覆盖金属反射器(117)。掺杂非晶硅层插入触点网格和覆盖层之间。
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