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公开(公告)号：CN109313391A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780029327.3
申请日：2017-04-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·乔詹姆森 , S·A·米德莱布鲁克斯 , 斯蒂芬·亨斯克 , 王德胜
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种方法包括：获得衬底上的多个结构的图像，通过转移设计布局的对应图案而将多个结构中的每一个结构形成到所述衬底上；获得所述结构中的每一个结构相对于该结构的参照点的位移；以及基于所述位移，使用硬件计算机系统将多个结构中的每一个结构分配到多个组中的一个组中。
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公开(公告)号：CN105814491B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480067198.3
申请日：2014-10-13
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： S·G·J·玛斯吉森 , 斯蒂芬·亨斯克 , M·G·M·M·范卡拉埃吉
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70683 , G03F7/213 , G03F7/22 , G03F7/70466 , G03F7/70616 , G03F7/70633
摘要： 一种用于光刻中的检查设备被披露。其包括用于衬底的支撑件，所述支撑件承载多个量测目标；光学系统，用于在预定照射条件下照射目标并且用于检测在所述照射条件下由目标衍射的辐射的预定部分；处理器，所述处理器布置成用来从衍射辐射的所述检测部分计算出对于特定目标的不对称度的测量；以及控制器，用于使所述光学系统和处理器测量出所述目标中至少两个目标的不对称度，所述至少两个目标具有在衬底上的一层内的结构与更小子结构之间的位置偏置的不同的已知分量；并且使所述光学系统和处理器从所述不对称度测量的结果计算出对于所述更小尺寸的结构的光刻过程的性能参数的测量。还披露了具备由光刻过程所形成的多个新型量测目标的衬底。
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公开(公告)号：CN102662309A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210140632.9
申请日：2006-09-08
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/84 , G03F7/70441 , G03F7/705
摘要： 公开了系统和方法，所述系统和方法用于检验所制造的光刻掩模；从掩模检验数据中提取物理掩模数据；基于在所述物理掩模数据和掩模布局数据之间的差别确定系统的掩模误差数据；基于所述系统的掩模误差数据生成系统的掩模误差参数；形成具有系统的掩模误差参数的独立的掩模误差模型；采用特定的掩模和/或特定的投影系统预期光刻过程的图案化性能；以及预期工艺修正，所述工艺修正优化图案化性能并由此优化最终器件产量。
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公开(公告)号：CN115104068A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180014721.6
申请日：2021-02-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： K·范因根史奇劳 , A·史拉奇特 , 瓦迪姆·尤里耶维奇·季莫什科夫 , M·库伊曼 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , H·A·迪伦 , 斯蒂芬·亨斯克 , 路易斯·阿尔贝托·科利纳·圣玛丽亚·科琳娜 , 蒋爱琴 , 王富明 , 苏达沙南·拉格纳坦
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本文中描述关于改善与芯片的制造相关联的模拟过程和解决方案(例如，重定目标图案)的方法。方法包括获得多个剂量‑焦距设置、和基于与所述多个剂量‑焦距设置中的每个设置相关联的被印制的图案的特性的测量值的参考分布。所述方法还包括基于调整模型和所述多个剂量‑焦距设置来确定所述特性的概率密度函数(PDF)，使得减小所述PDF与所述参考分布之间的误差。所述PDF可以是所述调整模型和与剂量相关联的方差的函数，所述调整模型被配置成改变对所述PDF的非线性剂量敏感度贡献的比例。可以基于所述特性的所确定的PDF来调整过程窗口。
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公开(公告)号：CN109283800B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201811040666.4
申请日：2015-01-07
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制造过程由所述PWLP产生的缺陷的存在、存在机率、特性、或其组合。
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公开(公告)号：CN101305320B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680041991.1
申请日：2006-09-08
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/84 , G03F7/70441 , G03F7/705
摘要： 公开了系统和方法，所述系统和方法用于检验所制造的光刻掩模；从掩模检验数据中提取物理掩模数据；基于在所述物理掩模数据和掩模布局数据之间的差别确定系统的掩模误差数据；基于所述系统的掩模误差数据生成系统的掩模误差参数；形成具有系统的掩模误差参数的独立的掩模误差模型；采用特定的掩模和/或特定的投影系统预期光刻过程的图案化性能；以及预期工艺修正，所述工艺修正优化图案化性能并由此优化最终器件产量。
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公开(公告)号：CN115877673A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310087729.6
申请日：2018-12-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本文中描述一种方法。所述方法包括：获得(i)所述特征的参数的测量结果、(ii)与图案化过程的过程变量相关的数据、(iii)基于所述参数的所述测量结果和与所述过程变量相关的所述数据而被定义为所述过程变量的函数的所述参数的函数行为、(iv)所述特征的失效率的测量结果，以及(v)针对所述过程变量的设定的所述过程变量的概率密度函数；基于转换函数将所述过程变量的所述概率密度函数转换成所述参数的概率密度函数，其中基于所述过程变量的所述函数来确定所述转换函数；以及基于所述参数的所述概率密度函数、以及所述失效率的所述测量结果，来确定所述参数的参数极限。
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公开(公告)号：CN109313391B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201780029327.3
申请日：2017-04-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·乔詹姆森 , S·A·米德莱布鲁克斯 , 斯蒂芬·亨斯克 , 王德胜
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种方法包括：获得衬底上的多个结构的图像，通过转移设计布局的对应图案而将多个结构中的每一个结构形成到所述衬底上；获得所述结构中的每一个结构相对于该结构的参照点的位移；以及基于所述位移，使用硬件计算机系统将多个结构中的每一个结构分配到多个组中的一个组中。
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