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公开(公告)号：CN102841510B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210202367.2
申请日：2012-06-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70616
Abstract: 本发明公开了用以确保源和图像稳定性的系统和方法，其中光刻设备特性的直接测量和晶片量测被结合以通过使用模拟模型来实现光刻设备/过程的时间漂移的减小。模拟模型可以具有子部分。例如，子模型可以表示第一组光学条件，另一子模型可以表示第二组光学条件。第一组光学条件可以是一组标准照射条件，第二组光学条件可以是一组定制照射条件。使用子模型之间的内在关系，可以在不进行晶片量测的情况下较快地实现定制照射条件下的稳定性控制。
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公开(公告)号：CN110023839A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073895.3
申请日：2017-11-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括：获得具有多个设计图案多边形的器件设计图案布局；由计算机自动识别所述器件设计图案布局中的多边形的单位单元；识别所述器件设计图案布局内所述单位单元的多次出现以构建层级；和由所述计算机通过将设计用于所述单位单元的光学邻近校正重复地应用至所述层级中的所述单位单元的所述出现从而对所述器件设计图案布局执行光学邻近校正。
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公开(公告)号：CN110023839B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201780073895.3
申请日：2017-11-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F1/36 , G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 一种方法，包括：获得具有多个设计图案多边形的器件设计图案布局；由计算机自动识别所述器件设计图案布局中的多边形的单位单元；识别所述器件设计图案布局内所述单位单元的多次出现以构建层级；和由所述计算机通过将设计用于所述单位单元的光学邻近校正重复地应用至所述层级中的所述单位单元的所述出现从而对所述器件设计图案布局执行光学邻近校正。
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公开(公告)号：CN112740110A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980062893.3
申请日：2019-09-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中所描述的是一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：获得(i)图案化过程的图案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索图案、和(iii)包括介于所述搜索图案的所述第一特征与所述第二特征之间的相对位置的第一搜索条件；和从所述图案集合确定满足与所述搜索图案的所述第一特征和所述第二特征相关联的所述第一搜索条件的候选图案的第一集合。
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公开(公告)号：CN118605091A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410810951.9
申请日：2019-09-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G06F30/398
Abstract: 本文中所描述的是一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：获得(i)图案化过程的图案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索图案、和(iii)包括介于所述搜索图案的所述第一特征与所述第二特征之间的相对位置的第一搜索条件；和从所述图案集合确定满足与所述搜索图案的所述第一特征和所述第二特征相关联的所述第一搜索条件的候选图案的第一集合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109283800B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201811040666.4
申请日：2015-01-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制造过程由所述PWLP产生的缺陷的存在、存在机率、特性、或其组合。
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公开(公告)号：CN102841510A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210202367.2
申请日：2012-06-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70616
Abstract: 本发明公开了用以确保源和图像稳定性的系统和方法，其中光刻设备特性的直接测量和晶片量测被结合以通过使用模拟模型来实现光刻设备/过程的时间漂移的减小。模拟模型可以具有子部分。例如，子模型可以表示第一组光学条件，另一子模型可以表示第二组光学条件。第一组光学条件可以是一组标准照射条件，第二组光学条件可以是一组定制照射条件。使用子模型之间的内在关系，可以在不进行晶片量测的情况下较快地实现定制照射条件下的稳定性控制。
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公开(公告)号：CN112740110B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201980062893.3
申请日：2019-09-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中所描述的是一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：获得(i)图案化过程的图案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索图案、和(iii)包括介于所述搜索图案的所述第一特征与所述第二特征之间的相对位置的第一搜索条件；和从所述图案集合确定满足与所述搜索图案的所述第一特征和所述第二特征相关联的所述第一搜索条件的候选图案的第一集合。
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公开(公告)号：CN109283800A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811040666.4
申请日：2015-01-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制造过程由所述PWLP产生的缺陷的存在、存在机率、特性、或其组合。
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公开(公告)号：CN105980934B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201580008223.5
申请日：2015-01-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制造过程由所述PWLP产生的缺陷的存在、存在机率、特性、或其组合。
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