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公开(公告)号：CN104900544A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510093046.7
申请日：2015-03-02
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/492
CPC分类号： H01L24/14 , H01L21/561 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/03334 , H01L2224/0346 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05005 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/131 , H01L2224/16058 , H01L2224/161 , H01L2224/291 , H01L2224/32058 , H01L2224/321 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/0645 , H01L2924/0665 , H01L2924/0695 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要： 本发明描述了一种晶片级封装装置、电子装置和用于制造该晶片级封装装置的制造方法，该方法包括在晶片级封装装置上形成暴露的引线末端，以便当将晶片级封装装置结合到另一电部件时提供焊料支撑结构。在各实现方式中，晶片级封装装置包括至少一个集成电路管芯、金属垫、第一电介质层、再分布层、第二电介质层、柱结构、模制层、柱层、和镀覆层，其中柱层被锯切以在晶片级封装装置的至少两个侧面上形成垫触头。暴露的垫触头便于形成焊料角焊缝和支撑结构，结果得到改善的板级可靠性。
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公开(公告)号：CN104218003B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201410198377.2
申请日：2014-04-11
申请人： 马克西姆综合产品公司
摘要： 所描述的半导体器件包括：具有在衬底(例如半导体晶片)上的多个堆叠的裸片的半导体器件。在一个或多个实施方式中，采用根据本公开的示例技术的晶片级封装器件包括：晶片中形成有镀金属和通孔以及晶片的表面上具有氧化层的超薄半导体晶片，放置在该半导体晶片上的集成电路芯片，介于该集成电路芯片和该半导体晶片之间的底部填充层，形成在该半导体晶片、该底部填充层和该集成电路芯片的至少一侧上的缓冲材料，放置在该缓冲层和该集成电路芯片上的粘结层以及放置在该粘结层上的加强层。然后，可以将半导体器件分割成单个半导体芯片封装。
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公开(公告)号：CN104218003A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410198377.2
申请日：2014-04-11
申请人： 马克西姆综合产品公司
摘要： 所描述的半导体器件包括：具有在衬底(例如半导体晶片)上的多个堆叠的裸片的半导体器件。在一个或多个实施方式中，采用根据本公开的示例技术的晶片级封装器件包括：晶片中形成有镀金属和通孔以及晶片的表面上具有氧化层的超薄半导体晶片，放置在该半导体晶片上的集成电路芯片，介于该集成电路芯片和该半导体晶片之间的底部填充层，形成在该半导体晶片、该底部填充层和该集成电路芯片的至少一侧上的缓冲材料，放置在该缓冲层和该集成电路芯片上的粘结层以及放置在该粘结层上的加强层。然后，可以将半导体器件分割成单个半导体芯片封装。
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公开(公告)号：CN104009030A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410057381.7
申请日：2014-02-20
申请人： 马克西姆综合产品公司
摘要： 描述了一种光学器件，所述光学器件将多异构元件集成为单一紧凑封装体。在一个或多个应用方式中，光学器件包括具有表面的承载基底，所述表面包括形成在其中的两个或多个腔体。一个或多个光学组成元件以预先设定结构布置在各个腔体内。封盖被布置在承载基底表面上，以使得封盖将光学组成元件至少基本上包封在它们的各个腔体内。可以是玻璃的封盖被配置成透射预先设定波长频谱内的光。
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公开(公告)号：CN104900544B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510093046.7
申请日：2015-03-02
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/492
CPC分类号： H01L24/14 , H01L21/561 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/03334 , H01L2224/0346 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05005 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/131 , H01L2224/16058 , H01L2224/161 , H01L2224/291 , H01L2224/32058 , H01L2224/321 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/0645 , H01L2924/0665 , H01L2924/0695 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要： 本发明描述了一种晶片级封装装置、电子装置和用于制造该晶片级封装装置的制造方法，该方法包括在晶片级封装装置上形成暴露的引线末端，以便当将晶片级封装装置结合到另一电部件时提供焊料支撑结构。在各实现方式中，晶片级封装装置包括至少一个集成电路管芯、金属垫、第一电介质层、再分布层、第二电介质层、柱结构、模制层、柱层、和镀覆层，其中柱层被锯切以在晶片级封装装置的至少两个侧面上形成垫触头。暴露的垫触头便于形成焊料角焊缝和支撑结构，结果得到改善的板级可靠性。
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公开(公告)号：CN103915397B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201410001440.9
申请日：2014-01-02
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L23/31
摘要： 描述了用于高电流应用的晶圆级封装半导体装置，其具有用于提供电互连的支柱。在实施方式中，晶圆级封装装置包括集成电路芯片，所述集成电路芯片具有至少一个附在所述集成电路芯片上形成的支柱。支柱构造成提供与集成电路芯片的电互连。晶圆级封装装置还包括被构造以支承所述支柱的封装结构。晶圆级封装装置还包括构造在集成电路芯片（例如大的裸晶）上的集成电路芯片装置（例如小的裸晶）。在晶圆级封装装置中，集成电路芯片装置的高度小于支柱的高度和/或小于支柱和一个或多个焊接触点的组合高度。
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公开(公告)号：CN103681576B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310414914.8
申请日：2013-09-12
申请人： 马克西姆综合产品公司
发明人： P·R·哈珀
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/94 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16265 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/17505 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81986 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本申请公开了一种半导体封装器件，所述半导体封装器件包括在其中集成的无源能量元件。在一实施例中，半导体封装器件包括具有第一表面和第二表面的半导体基底。所述半导体基底包括一个或多个集成电路，所述集成电路接近第一表面形成。半导体封装器件还包括设置在第二表面之上的无源能量元件。无源能量元件与所述一个或多个集成电路电连接。半导体封装器件还包括了装封结构，其在第二表面上设置并且至少大体上装封所述无源能量元件。
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公开(公告)号：CN103915397A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410001440.9
申请日：2014-01-02
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L23/31
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/311 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L24/81 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/1515 , H01L2924/00 , H01L2224/03
摘要： 本发明描述了用于高电流应用的晶圆级封装半导体装置，其具有用于提供电互连的支柱。在实施方式中，晶圆级封装装置包括集成电路芯片，所述集成电路芯片具有至少一个附在所述集成电路芯片上形成的支柱。支柱构造成提供与集成电路芯片的电互连。晶圆级封装装置还包括被构造以支承所述支柱的封装结构。晶圆级封装装置还包括构造在集成电路芯片（例如大的裸晶）上的集成电路芯片装置（例如小的裸晶）。在晶圆级封装装置中，集成电路芯片装置的高度小于支柱的高度和/或小于支柱和一个或多个焊接触点的组合高度。
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公开(公告)号：CN103681645A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310414898.2
申请日：2013-09-12
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L25/10 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/576 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/17505 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81986 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本申请公开了一种半导体封装器件，其包括具有存储电路的集成电路器件封装体。在一实施方式中，半导体封装器件包括具有第一表面和第二表面的半导体基底。所述半导体基底包括一个或多个集成电路，所述集成电路接近第一表面（例如与第一表面相邻、在第一表面中或上）形成。半导体封装器件还包括设置在第二表面之上的集成电路器件，该集成电路器件包括用于存储敏感数据的存储电路。在一个或多个实施方式中，半导体封装器件包括贯穿基底通路，所述贯穿基底通路提供至集成电路封装体的电连接。半导体封装器件还包括了装封结构，所述装封结构在第二表面上设置并且至少大体上装封集成电路器件封装体。
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公开(公告)号：CN103681576A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310414914.8
申请日：2013-09-12
申请人： 马克西姆综合产品公司
发明人： P·R·哈珀
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/94 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16265 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/17505 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81986 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本申请公开了一种半导体封装器件，所述半导体封装器件包括在其中集成的无源能量元件。在一实施例中，半导体封装器件包括具有第一表面和第二表面的半导体基底。所述半导体基底包括一个或多个集成电路，所述集成电路接近第一表面形成。半导体封装器件还包括设置在第二表面之上的无源能量元件。无源能量元件与所述一个或多个集成电路电连接。半导体封装器件还包括了装封结构，其在第二表面上设置并且至少大体上装封所述无源能量元件。
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