具有垂直二极管结的光传感器

    公开(公告)号:CN104051552A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410151172.9

    申请日:2014-03-14

    摘要: 本发明描述了一种包括集成在其中的沟槽结构的光传感器。在一实施方式中,所述光传感器包括具有第一导电类型掺杂材料的基底,和设置在所述基底中的多个沟槽。所述光传感器还包括接近所述多个沟槽形成的扩散区。所述扩散区包括第二导电类型的掺杂材料。在第一导电类型的掺杂材料和第二导电类型的掺杂材料的界面处生成有耗尽区。所述耗尽区构造为将电荷载流子吸引到所述耗尽区,所述电荷载流子的至少基本上大部分由于入射到所述基底上的光而产生。

    具有垂直二极管结的光传感器

    公开(公告)号:CN104051552B

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201410151172.9

    申请日:2014-03-14

    摘要: 本发明描述了一种包括集成在其中的沟槽结构的光传感器。在一实施方式中,所述光传感器包括具有第一导电类型掺杂材料的基底,和设置在所述基底中的多个沟槽。所述光传感器还包括接近所述多个沟槽形成的扩散区。所述扩散区包括第二导电类型的掺杂材料。在第一导电类型的掺杂材料和第二导电类型的掺杂材料的界面处生成有耗尽区。所述耗尽区构造为将电荷载流子吸引到所述耗尽区,所述电荷载流子的至少基本上大部分由于入射到所述基底上的光而产生。