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公开(公告)号：CN101150170A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152793.9
申请日：2007-09-21
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种隧道型磁检测元件及其制造方法，该隧道型磁检测元件由Al－O形成绝缘阻挡层，且能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。第二固定磁性层(4c)通过将由CoFeB形成的CoFeB层(4c1)及由CoFe或Co形成的界面层(4c2)顺序层叠而成。在所述第二固定磁性层(4c)上形成有由Al－O构成的绝缘阻挡层(5)。这样，通过设为CoFeB/CoFe/Al－O的层叠构造，能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。进而与目前相比，可抑制RA及电阻变化率(三角形R/R)的偏差。
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公开(公告)号：CN104760923A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410806304.7
申请日：2014-12-22
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使形成基于铝的配线层也能够抑制由热滞引起的输出变动的MEMS传感器。在正方形的MEMS传感器(1)的4个角部形成有金的电极片(16a、16b、16c、16d)。电极片(16a、16b、16c、16d)与检测元件部(15a、15b、15c)通过连结配线层(20、25)导通。连结配线层(20、25)由铝的下部配线层(21、26)和金的上部配线层(22、27)构成。通过以适当的长度将铝的下部配线层(21、26)平衡良好地配置，能够抑制因热滞引起的基于残留应力的输出变动。
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公开(公告)号：CN100557840C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg-O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg-O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN101150169A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg－O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg－O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN104760923B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410806304.7
申请日：2014-12-22
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使形成基于铝的配线层也能够抑制由热滞引起的输出变动的MEMS传感器。在正方形的MEMS传感器(1)的4个角部形成有金的电极片(16a、16b、16c、16d)。电极片(16a、16b、16c、16d)与检测元件部(15a、15b、15c)通过连结配线层(20、25)导通。连结配线层(20、25)由铝的下部配线层(21、26)和金的上部配线层(22、27)构成。通过以适当的长度将铝的下部配线层(21、26)平衡良好地配置，能够抑制因热滞引起的基于残留应力的输出变动。
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