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公开(公告)号：CN103262276A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059287.X
申请日：2011-11-25
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R15/205 , H01F10/3268 , H01F41/305 , H01L43/08
Abstract: 提供能降低磁阻效应元件的自由磁性层的磁化方向的分散、且跨宽范围测量精度高的磁传感器以及磁传感器的制造方法。本发明的磁传感器(1)是具备在特定的方向有灵敏度轴的磁阻效应元件(11)的磁传感器，磁阻效应元件(11)的特征在于，具有层叠构造，该层叠构造包含固定了磁化方向的铁磁性固定层(30)、非磁性中间层(26)、磁化方向相对于外部磁场变动的自由磁性层(27)、以及对自由磁性层(27)施加交换耦合磁场的反铁磁性层(28)。
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公开(公告)号：CN103389118B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310118706.3
申请日：2013-04-08
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明的目的特别是提供一种磁传感器，相对于延伸部的延伸方向不同的多个蜿蜒状元件而利用一种导体部的图案便足够。第1元件(11)是在Y方向上延伸且在X方向上空出间隔地排列的多条第1延伸部(11a)连接成的蜿蜒状元件。第2元件(12)是在X方向上延伸且在Y方向上空出间隔地排列的多条第2延伸部(12a)连接成的蜿蜒状元件。第1元件及第2元件的至少一方是发挥磁阻效应的磁阻效应元件。导体部(14)连接在隔着间隔对置的第1延伸部(11a)之间或第2延伸部(12a)之间。导体部(14)是具有在X方向上延伸的第1边(14a)及在Y方向上延伸的第2边(14b)的正方形。第1边的长度尺寸(L1)大于间隔(T1)，第2边的长度尺寸(L2)大于间隔(T2)。
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公开(公告)号：CN103389118A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310118706.3
申请日：2013-04-08
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明的目的特别是提供一种磁传感器，相对于延伸部的延伸方向不同的多个蜿蜒状元件而利用一种导体部的图案便足够。第1元件(11)是在Y方向上延伸且在X方向上空出间隔地排列的多条第1延伸部(11a)连接成的蜿蜒状元件。第2元件(12)是在X方向上延伸且在Y方向上空出间隔地排列的多条第2延伸部(12a)连接成的蜿蜒状元件。第1元件及第2元件的至少一方是发挥磁阻效应的磁阻效应元件。导体部(14)连接在隔着间隔对置的第1延伸部(11a)之间或第2延伸部(12a)之间。导体部(14)是具有在X方向上延伸的第1边(14a)及在Y方向上延伸的第2边(14b)的正方形。第1边的长度尺寸(L1)大于间隔(T1)，第2边的长度尺寸(L2)大于间隔(T2)。
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公开(公告)号：CN101150170A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152793.9
申请日：2007-09-21
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种隧道型磁检测元件及其制造方法，该隧道型磁检测元件由Al－O形成绝缘阻挡层，且能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。第二固定磁性层(4c)通过将由CoFeB形成的CoFeB层(4c1)及由CoFe或Co形成的界面层(4c2)顺序层叠而成。在所述第二固定磁性层(4c)上形成有由Al－O构成的绝缘阻挡层(5)。这样，通过设为CoFeB/CoFe/Al－O的层叠构造，能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。进而与目前相比，可抑制RA及电阻变化率(三角形R/R)的偏差。
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