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公开(公告)号：CN102870072B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201180019161.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种尤其对配线部的结构进行改良，从而能够减小配线电阻的经时变化的输入装置。本发明的输入装置的特征在于，具备基板，该基板具有：基材；设置在基材表面的输入区域的电极部；在位于所述输入区域的外侧的所述基材表面的非输入区域中与所述电极部电连接的配线部，所述配线部(16)包括：由Cu构成的配线主体层(29)；形成在所述配线主体层(29)的表面(29a)上，且膜厚比所述配线主体层(29)薄的由Cu合金构成的表面保护层(30)。
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公开(公告)号：CN101150170A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152793.9
申请日：2007-09-21
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种隧道型磁检测元件及其制造方法，该隧道型磁检测元件由Al－O形成绝缘阻挡层，且能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。第二固定磁性层(4c)通过将由CoFeB形成的CoFeB层(4c1)及由CoFe或Co形成的界面层(4c2)顺序层叠而成。在所述第二固定磁性层(4c)上形成有由Al－O构成的绝缘阻挡层(5)。这样，通过设为CoFeB/CoFe/Al－O的层叠构造，能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。进而与目前相比，可抑制RA及电阻变化率(三角形R/R)的偏差。
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公开(公告)号：CN102870072A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180019161.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种尤其对配线部的结构进行改良，从而能够减小配线电阻的经时变化的输入装置。本发明的输入装置的特征在于，具备基板，该基板具有：基材；设置在基材表面的输入区域的电极部；在位于所述输入区域的外侧的所述基材表面的非输入区域中与所述电极部电连接的配线部，所述配线部(16)包括：由Cu构成的配线主体层(29)；形成在所述配线主体层(29)的表面(29a)上，且膜厚比所述配线主体层(29)薄的由Cu合金构成的表面保护层(30)。
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公开(公告)号：CN100557840C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg-O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg-O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN101150169A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg－O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg－O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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