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公开(公告)号：CN101517427A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780035610.3
申请日：2007-02-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: H04M1/0245 , B82Y25/00 , G01R33/07 , G01R33/093 , H04M2250/12
Abstract: 本发明的目的是提供一种与外部磁场的极性无关、可利用双极进行稳定动作的采用了磁阻效应元件的磁性传感器。第1磁阻效应元件(10、11)的电阻值R根据正方向上的外部磁场(H1)的磁场强度变化而发生变化，并且第2磁阻效应元件(12、13)保持固定的电阻值。另外，上述第2磁阻效应元件(12、13)的电阻值R根据负方向上的外部磁场(H2)的磁场强度变化进行变化，并且上述第1磁阻效应元件(10、11)保持固定的电阻值。由此构成与外部磁场的极性无关、可利用双极进行稳定动作的磁性传感器。
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公开(公告)号：CN100557840C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg-O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg-O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN101150169A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg－O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg－O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN101517427B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780035610.3
申请日：2007-02-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: H04M1/0245 , B82Y25/00 , G01R33/07 , G01R33/093 , H04M2250/12
Abstract: 本发明的目的是提供一种与外部磁场的极性无关、可利用双极进行稳定动作的采用了磁阻效应元件的磁性传感器。第1磁阻效应元件(10、11)的电阻值R根据正方向上的外部磁场(H1)的磁场强度变化而发生变化，并且第2磁阻效应元件(12、13)保持固定的电阻值。另外，上述第2磁阻效应元件(12、13)的电阻值R根据负方向上的外部磁场(H2)的磁场强度变化进行变化，并且上述第1磁阻效应元件(10、11)保持固定的电阻值。由此构成与外部磁场的极性无关、可利用双极进行稳定动作的磁性传感器。
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