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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881418A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610092657.0
申请日：2006-06-13
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01L43/12
Abstract: 本发明的目的特别在于提供一种磁检测元件及其制造方法，在利用层叠体形成用掩模层将具有固定磁性层、非磁性材料层、以及自由磁性层的层叠体形成为预定形状时，能够将上述层叠体适当地形成为预定形状，并且能够防止上述自由磁性层的腐蚀。在自由磁性层(28)上层叠有中间层(35)、防腐蚀层(36)，上述防腐蚀层(36)防止由反应性离子蚀刻腐蚀自由磁性层(28)。由此，能够将层叠体(22)适当地形成为预定形状，并且能够防止上述自由磁性层(28)的腐蚀，能够制造再生特性良好的磁检测元件。
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公开(公告)号：CN100557840C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg-O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg-O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN101150169A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg－O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg－O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN108351373A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680059792.7
申请日：2016-08-19
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01R15/20
Abstract: 本发明提供一种电流探测装置，将形成在反馈线圈上的屏蔽层形成为平坦的状态而防止绝缘层的龟裂，进而能够提高屏蔽层的饱和磁化。在基板(2)上形成有磁探测部(11、12、13、14)和覆盖它们的下部绝缘层(4)。在下部绝缘层(4)上形成有形成反馈线圈(30)的对置探测部(30a)的多条线圈层(35)，在线圈层(35)的两侧形成有高度调整层(36、37)。线圈层(35)和高度调整层(36、37)被上部绝缘层(9)覆盖，在其上形成有屏蔽层(3)。因此，能够将屏蔽层(3)形成为大致平坦的状态。
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公开(公告)号：CN100399423C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610092657.0
申请日：2006-06-13
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明的目的特别在于提供一种磁检测元件及其制造方法，在利用层叠体形成用掩模层将具有固定磁性层、非磁性材料层、以及自由磁性层的层叠体形成为预定形状时，能够将上述层叠体适当地形成为预定形状，并且能够防止上述自由磁性层的腐蚀。在自由磁性层(28)上层叠有中间层(35)、防腐蚀层(36)，上述防腐蚀层(36)防止由反应性离子蚀刻腐蚀自由磁性层(28)。由此，能够将层叠体(22)适当地形成为预定形状，并且能够防止上述自由磁性层(28)的腐蚀，能够制造再生特性良好的磁检测元件。
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