公开(公告)号：CN100557840C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710152772.7

申请日：2007-09-20

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 五十岚一聪 ,  梅津英治 ,  田中健一 ,  西村和正 ,  斋藤正路 ,  井出洋介 ,  中林亮 ,  西山义弘 ,  小林秀和 ,  长谷川直也

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明特别涉及由Mg-O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg-O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。

公开(公告)号：CN101150169A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710152772.7

申请日：2007-09-20

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 五十岚一聪 ,  梅津英治 ,  田中健一 ,  西村和正 ,  斋藤正路 ,  井出洋介 ,  中林亮 ,  西山义弘 ,  小林秀和 ,  长谷川直也

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明特别涉及由Mg－O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg－O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。