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公开(公告)号：CN107403676A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710264626.7
申请日：2017-04-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: H01F1/147 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/24 , B22F2003/248 , H01F27/255 , H01F41/0246
Abstract: 关于含有结晶质磁性材料的粉末以及非晶质磁性材料的粉末的压粉磁芯，提供绝缘耐压特性优异并且实现铁损降低的良好的电感器的压粉磁芯。压粉磁芯(1)为含有结晶质磁性材料的粉末以及非晶质磁性材料的粉末，所述结晶质磁性材料的粉末的含量相对于所述结晶质磁性材料的粉末的含量与所述非晶质磁性材料的粉末的含量的总和的质量比率即第一混合比率为40质量％以上且90质量％以下。
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公开(公告)号：CN105304259B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510303573.6
申请日：2015-06-04
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01F1/22 , H01F27/255 , H01F41/02
Abstract: 提供一种含有结晶质磁性材料粉末及非晶质磁性材料粉末的压粉磁芯及其制造方法、电子电气部件及电子电气设备，即使在1MHz以上的高频带区域也具有优异的磁特性。压粉磁芯含有结晶质磁性材料粉末及非晶质磁性材料粉末，在使用2个常数kh及ke通过下述公式(1)表示在有效最大磁通密度Bm为15mT的条件下测定的铁损Pcv(单位：kW/m3)的频率f(单位：kHz)依赖性时，满足Pcv＝kh×f×Bm1.6+ke×f2×Bm2 (1)一个常数kh为1.5×10－3kW/m3/kHz/(mT)1.6以下，且另一常数ke为3.0×10－7kW/m3/(kHz)2/(mT)2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107093514B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610866168.X
申请日：2016-09-29
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01F27/255 , H01F27/28 , H01F27/34 , H01F41/02
Abstract: 提供一种含有结晶质磁性材料的粉末和非晶质磁性材料的粉末的压粉磁芯，在具备这种压粉磁芯的电感器中，可使直流叠加特性提高和使铁损降低。含有结晶质磁性材料的粉末和非晶质磁性材料的粉末的压粉磁芯(1)，其特征在于，非晶质磁性材料的粉末的中值粒径D50A为15μm以下，并且与结晶质磁性材料的粉末的中值粒径D50C满足下式(1)，1≤D50A/D50C≤3.5(1)。
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公开(公告)号：CN105529134B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510633679.2
申请日：2015-09-30
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制对磁特性的影响，并提高了磁性部件的表面的绝缘性的电感元件。该电感元件(10)具备：磁性部件(1)，其具备包含含有Fe的强磁性金属粉末的成型体以及形成在成型体的表面部上的绝缘层；导电性部件(2)，其具有位于磁性部件(1)的内部的部分；和导电性的连接端部(3a、3b)，其在相对于导电性部件(2)电连接的状态下形成在磁性部件(1)的表面上，绝缘层具备通过磷酸盐处理来形成的磷酸盐层。
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公开(公告)号：CN107093514A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610866168.X
申请日：2016-09-29
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01F27/255 , H01F27/28 , H01F27/34 , H01F41/02
CPC classification number: H01F27/255 , H01F27/2895 , H01F27/34 , H01F41/0246
Abstract: 提供一种含有结晶质磁性材料的粉末和非晶质磁性材料的粉末的压粉磁芯，在具备这种压粉磁芯的电感器中，可使直流叠加特性提高和使铁损降低。含有结晶质磁性材料的粉末和非晶质磁性材料的粉末的压粉磁芯(1)，其特征在于，非晶质磁性材料的粉末的中值粒径D50A为15μm以下，并且与结晶质磁性材料的粉末的中值粒径D50C满足下式(1)。1≤D50A/D50C≤3.5 (1)
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公开(公告)号：CN100557840C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg-O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg-O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN101150169A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg－O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg－O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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