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公开(公告)号：CN112135822A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980031204.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D409/04 , C07D409/14 , H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种根据式(1)所述的化合物:其适合用作电子器件的层材料，还涉及包含至少一种根据式(1)所述的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，和它们的制造方法。
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公开(公告)号：CN106062986A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480070560.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 卡斯滕·罗特 , 扬·比尔恩施托克 , 安斯加尔·维尔纳 , 凯·吉尔格 , 延斯·安格曼 , 迈克·策尔纳 , 弗朗西斯科·布卢姆 , 托马斯·罗泽诺 , 托比亚斯·坎茨勒 , 托马斯·卡里兹 , 乌尔里希·登克尔
CPC classification number: H01L51/005 , C07F9/5329 , C07F9/5728 , C07F9/58 , C07F9/64 , C07F9/65522 , C07F9/65527 , C07F9/65583 , C08K5/5397 , H01L27/3209 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/5076 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN117859413A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280056158.3
申请日：2022-08-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H10K50/16 , H10K85/60 , C07D239/74 , C07D239/70 , C07D239/26 , C07D403/10 , C07D405/10 , C07D241/12 , C07D221/18
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管和包含其的显示装置或照明装置，所述有机发光二极管包含不透明衬底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层叠层。
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公开(公告)号：CN112135822B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980031204.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D409/04 , C07D409/14 , H10K85/60 , H10K50/16 , H10K50/13 , H10K50/11 , H10K59/10 , H10K101/30
Abstract: 本发明涉及一种根据式(1)所述的化合物:#imgabs0#其适合用作电子器件的层材料，还涉及包含至少一种根据式(1)所述的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，和它们的制造方法。
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公开(公告)号：CN111630050B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201880086915.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04
Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。
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公开(公告)号：CN115362571A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180019564.8
申请日：2021-06-14
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 安斯加尔·维尔纳 , 杰罗姆·加尼耶 , 多玛果伊·帕维奇科 , 斯特芬·伦格 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
IPC: H01L51/54 , C07C13/04 , C07C255/09
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层结构；并且涉及包含该有机发光二极管的显示器件或照明器件。
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公开(公告)号：CN101580519A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910118264.6
申请日：2005-03-03
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0084 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/1092 , C09K2211/186 , C09K2211/188 , H01L51/002 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/0081 , H01L51/5092 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明用于掺杂有机半导体基质材料的金属络合物。具体地，本发明涉及金属络合物作为掺杂物用于掺杂有机半导体基质材料中的用途，以改变后者的电气特性，及构成基质的n－掺杂物的化合物。为了提供甚至具有低还原电位基质材料的n－掺杂有机半导体，同时实现高电导率，提出使用具有中心原子，优选价电子数至少为16的中性的或者带电过渡金属原子的中性富电子金属络合物，作为所述的掺杂物化合物。所述的络合物特别是多核的并具有至少一个金属－金属键。至少一个配位体与所述的中心原子可以形成π络合物；它是桥接配位体，尤其是hpp，硼酸酯，碳硼烷或者三氮杂环烷烃，或者可以包含至少一个负碳离子－碳原子或者选自C(碳烯)，Si(亚甲硅基)，Ge(亚甲锗基)，Sn，Pb的二价原子。本发明也涉及新颖的n－掺杂物和生产它们的方法。
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