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公开(公告)号：CN112368858B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201980039301.6
申请日：2019-06-13
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H10K85/60 , H10K50/18 , H10K50/165
Abstract: 本发明涉及一种有机材料和一种包含所述有机材料的电子器件，特别是电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含四取代的吡嗪。
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公开(公告)号：CN112135822B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980031204.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D409/04 , C07D409/14 , H10K85/60 , H10K50/16 , H10K50/13 , H10K50/11 , H10K59/10 , H10K101/30
Abstract: 本发明涉及一种根据式(1)所述的化合物:#imgabs0#其适合用作电子器件的层材料，还涉及包含至少一种根据式(1)所述的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，和它们的制造方法。
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公开(公告)号：CN109761920B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811317441.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 多玛果伊·帕维奇科
IPC: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D405/14 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种根据式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包括至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111630050B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201880086915.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04
Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。
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公开(公告)号：CN117044426A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280021127.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示装置和具有式(3)或(5)的化合物，所述有机电子器件包含阳极、阴极、至少一个光活性层和至少一个半导体层；其中所述至少一个半导体层布置在所述阳极与至少一个光活性层之间，其中所述至少一个半导体层包含化合物，所述化合物包含金属M和至少一个由式(1)表示的配体L。
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公开(公告)号：CN108292706B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
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公开(公告)号：CN116868703A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280012274.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H10K59/121
Abstract: 本发明涉及一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且有机层叠层的每一层可以形成共同半导体层，其中‑至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：‑阳极层，‑共同阴极层，‑至少一个发光层，其为任选的共同发光层，‑至少一个有机层叠层。
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公开(公告)号：CN115804267A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180045206.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 马克斯·皮特·努尔伦 , 本杰明·舒尔策 , 雅各布·亚切克·乌达尔奇克 , 马丁·安曼 , 皮埃尔·塞登格兰兹
Abstract: 本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含异构化合物的混合物。
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公开(公告)号：CN113490672A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080009718.0
申请日：2020-01-16
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策
IPC: C07F9/53 , C07D491/14 , C07D495/14 , H01L51/00
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件和包含在该有机电子器件中的化合物，其中所述化合物由式(I)表示：HAr‑L‑Ar1‑(‑R1)m。
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公开(公告)号：CN111630035A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880080292.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D219/02 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D417/10 , C07D251/24 , C07F9/28 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及用作电子器件的层材料的包含TAE结构的化合物，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
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