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公开(公告)号：CN111630050B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201880086915.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04
Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111630050A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880086915.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04
Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113508113B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080011511.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 本杰明·舒尔策 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 李承宰
IPC: C07D405/14 , C07D403/14 , C07D409/14 , C07D493/04 , H10K85/60 , H10K50/16
Abstract: 本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113508113A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080011511.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 本杰明·舒尔策 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 李承宰
IPC: C07D405/14 , C07D403/14 , C07D409/14 , C07D493/04 , H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
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公开(公告)号：CN109942552A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811330890.7
申请日：2018-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基、芴基和杂芴基的化合物。具体地，本发明涉及根据式1的化合物，所述化合物适用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种根据式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN112368858B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201980039301.6
申请日：2019-06-13
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H10K85/60 , H10K50/18 , H10K50/165
Abstract: 本发明涉及一种有机材料和一种包含所述有机材料的电子器件，特别是电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含四取代的吡嗪。
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公开(公告)号：CN112135822B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980031204.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D409/04 , C07D409/14 , H10K85/60 , H10K50/16 , H10K50/13 , H10K50/11 , H10K59/10 , H10K101/30
Abstract: 本发明涉及一种根据式(1)所述的化合物:#imgabs0#其适合用作电子器件的层材料，还涉及包含至少一种根据式(1)所述的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，和它们的制造方法。
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公开(公告)号：CN109761920B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811317441.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 多玛果伊·帕维奇科
IPC: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D405/14 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种根据式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包括至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。#imgabs0#
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