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公开(公告)号：CN107978684A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711005583.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 金炳求
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D221/18 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D495/04 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5076 , H01L51/508 , H01L51/56 , H01L51/0062
Abstract: 本发明涉及用于有机发光二极管的电子传输层叠层。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)，其制造方法和包含所述OLED的装置，所述有机发光二极管(OLED)包括至少两个电子传输层的ETL叠层，其中第一电子传输层包含电荷传输化合物且第二电子传输层包含吖啶化合物和碱金属盐和/或碱金属有机络合物。
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公开(公告)号：CN113508113B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080011511.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 本杰明·舒尔策 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 李承宰
IPC: C07D405/14 , C07D403/14 , C07D409/14 , C07D493/04 , H10K85/60 , H10K50/16
Abstract: 本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN107978684B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201711005583.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 金炳求
Abstract: 本发明涉及用于有机发光二极管的电子传输层叠层。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)，其制造方法和包含所述OLED的装置，所述有机发光二极管(OLED)包括至少两个电子传输层的ETL叠层，其中第一电子传输层包含电荷传输化合物且第二电子传输层包含吖啶化合物和碱金属盐和/或碱金属有机络合物。
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公开(公告)号：CN113508113A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080011511.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 本杰明·舒尔策 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 李承宰
IPC: C07D405/14 , C07D403/14 , C07D409/14 , C07D493/04 , H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
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公开(公告)号：CN108292706B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107434813B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201710196810.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 拉莫娜·普雷奇 , 卡斯滕·洛特 , 鲁道夫·莱斯曼 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07F9/576 , C07F9/6558
Abstract: 本申请涉及显示器。具体地，本申请涉及如下显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层：其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
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公开(公告)号：CN111630035A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880080292.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D219/02 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D417/10 , C07D251/24 , C07F9/28 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及用作电子器件的层材料的包含TAE结构的化合物，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111527082A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880080296.9
申请日：2018-10-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D405/14 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D251/24 , C07F5/02 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及包含与取代或未取代三嗪环直接结合的TAE结构的化合物，其用作电子器件的层材料，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110678474A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880033634.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 维金塔斯·扬库什 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 乌尔里希·登克尔
IPC: C07F9/53
Abstract: 本发明涉及由通式(I)表示的化合物在包含于电子器件中的半导体层中的用途，相应的半导体层，相应的电子器件和相应的化合物，其中A1和A2独立地选自C1至C60含碳基团；A3至A9独立地选自氢、C1至C60含碳基团或卤素；R1和R2独立地选自通过sp3-杂化的碳原子与磷原子连接的C1至C60含碳基团；X是共价单键或由1至120个共价键合的原子组成的间隔基团。
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公开(公告)号：CN109761919A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317425.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 多玛果伊·帕维奇科 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/46
CPC classification number: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D407/10 , C07D409/10
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
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