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公开(公告)号：CN110869353A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880033909.3
申请日：2018-05-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 本杰明·舒尔策 , 卡斯滕·洛特
IPC: C07D239/26 , C07D239/74 , C07D251/14 , C07D403/10 , C07D405/10 , C07D409/14 , C07D417/14 , C07F9/53
Abstract: 本发明涉及一种式1化合物和包含有机半导体层的有机电子器件，其中至少一个有机半导体层包含式(1)化合物，其中L1具有式(2)且L2具有式(3)，其中L1和L2在“*”处通过单键独立地键合至Ar1的同一个或不同的芳亚基或杂芳亚基；且其中X1、X2独立地选自O、S和Se；Ar1选自取代或未取代的C20至C52芳亚基或C14至C64杂芳亚基，其中取代的C20至C52芳亚基或C14至C64杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、卤素、OH、C6至C25芳基和C2至C21杂芳基；R1、R2独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基，其中取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；R3、R4独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基，取代或未取代的C6至C18芳亚基、C2至C20杂芳亚基，其中取代的C1至C16烷基的取代基，取代的C6至C18芳亚基、C2至C20杂芳亚基的取代基独立地选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；n选自1至5，其中n是整数。
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公开(公告)号：CN108463897A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680065531.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
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公开(公告)号：CN104247070A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280067206.5
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 拉莫娜·普雷奇 , 卡斯滕·洛特 , 鲁道夫·莱斯曼 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: H01L51/50 , C07D471/00 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0054 , C07D221/18 , C07F9/64 , C09B15/00 , H01L27/3206 , H01L27/3244 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5076
Abstract: 显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层：其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
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公开(公告)号：CN107978683B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201711002821.9
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件。具体地，本发明涉及有机半导体材料以及包含所述半导体材料的电子器件，特别涉及电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含第一电子传输基质化合物和n型电掺杂剂；本发明还涉及包含所述电器件和/或电致发光器件的器件，特别涉及显示器件，特别涉及包含所述OLED的显示器件。
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公开(公告)号：CN107434813B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201710196810.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 拉莫娜·普雷奇 , 卡斯滕·洛特 , 鲁道夫·莱斯曼 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07F9/576 , C07F9/6558
Abstract: 本申请涉及显示器。具体地，本申请涉及如下显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层：其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108463897B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680065531.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
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公开(公告)号：CN107851736B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201680043294.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 乌尔里希·登克尔 , 卡斯滕·洛特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 托马斯·卡里兹
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料，其包含(i)基本上元素形式的正电性元素，其选自碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属，和(ii)至少一种第一化合物，其为包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团的化合物；制造所述半导体材料的方法；包括阴极、阳极和所述半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN108352456B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201680056658.1
申请日：2016-09-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·洛特 , 维金塔斯·扬库什 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 杰罗姆·加尼耶
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，其包含阳极、阴极、发光层、包含第一基质化合物的未掺杂的电子传输层以及包含第二基质化合物和碱金属有机络合物和/或碱金属卤化物的电子注入层，其中所述未掺杂的电子传输层和所述电子注入层布置在所述发光层与阴极之间，其中所述第一基质化合物的还原电势没有9,10‑二(萘‑2‑基)蒽的还原电势这么负，但比4,4’‑双(4,6‑二苯基‑1,3,5‑三嗪‑2‑基)联苯的还原电势更负，其中在两种情况下的所述还原电势是在四氢呋喃中相对于Fc/Fc+测量的；并且所述第一基质化合物的偶极矩被选择为≥0德拜且≤2.5德拜，并且所述第二基质化合物的偶极矩被选择为>2.5德拜且
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公开(公告)号：CN107434813A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710196810.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 拉莫娜·普雷奇 , 卡斯滕·洛特 , 鲁道夫·莱斯曼 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07F9/576 , C07F9/6558
Abstract: 本申请涉及显示器。具体地，本申请涉及如下显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层： 其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
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公开(公告)号：CN107148674A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580053032.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 一种有源OLED显示器，其包含多个OLED像素，每个所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层堆叠物，其中所述有机层堆叠物被提供在所述阴极与所述阳极之间并与二者相接触，并包含电子传输层、空穴传输层和提供在所述空穴传输层与电子传输层之间的发光层，所述显示器还包含驱动电路，其被构造成分开地驱动所述多个OLED像素的像素，其中对于所述多个OLED像素来说，由提供在所述多个OLED像素的有机层堆叠物中的空穴传输层形成共同空穴传输层，所述共同空穴传输层包含空穴传输基质材料和至少一种电子p‑掺杂剂，并且所述空穴传输材料的电导率低于1x10‑3S.m‑1并高于1x10‑8S.m‑1。
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