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公开(公告)号：CN107148674A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580053032.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 一种有源OLED显示器，其包含多个OLED像素，每个所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层堆叠物，其中所述有机层堆叠物被提供在所述阴极与所述阳极之间并与二者相接触，并包含电子传输层、空穴传输层和提供在所述空穴传输层与电子传输层之间的发光层，所述显示器还包含驱动电路，其被构造成分开地驱动所述多个OLED像素的像素，其中对于所述多个OLED像素来说，由提供在所述多个OLED像素的有机层堆叠物中的空穴传输层形成共同空穴传输层，所述共同空穴传输层包含空穴传输基质材料和至少一种电子p‑掺杂剂，并且所述空穴传输材料的电导率低于1x10‑3S.m‑1并高于1x10‑8S.m‑1。
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公开(公告)号：CN107148674B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201580053032.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 一种有源OLED显示器，其包含多个OLED像素，每个所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层堆叠物，其中所述有机层堆叠物被提供在所述阴极与所述阳极之间并与二者相接触，并包含电子传输层、空穴传输层和提供在所述空穴传输层与电子传输层之间的发光层，所述显示器还包含驱动电路，其被构造成分开地驱动所述多个OLED像素的像素，其中对于所述多个OLED像素来说，由提供在所述多个OLED像素的有机层堆叠物中的空穴传输层形成共同空穴传输层，所述共同空穴传输层包含空穴传输基质材料和至少一种电子p‑掺杂剂，并且所述空穴传输材料的电导率低于1x10‑3S.m‑1并高于1x10‑8S.m‑1。
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公开(公告)号：CN110140228A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780076674.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制备有机电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供可适用于制备有机电子器件的层叠体(33)，该层叠体包含：aa)光吸收层(32)；和bb)电导率为至少10-7S/cm且厚度为0.1至100nm的有机半导体层；其中有机半导体层和光吸收层之间的距离选自0至500nm；b)提供光源；c)通过将光吸收层暴露于来自光源的光对其进行辐照处理；其中该辐照处理对于层叠体的至少1cm2、优选至少100cm的表面积是均匀的；其中辐照处理的持续时间为10ms或更短，并且辐照处理的能量密度在光吸收层的位置处为0.1至20J/cm2；并且光吸收层对于从光源辐照的光的吸收高于有机半导体层的相应吸收；以及可通过这种方式获得的有机电子器件和包含该有机电子器件的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108232039B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201711326547.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及闪光灯照明照射方法和可以通过这种方式获得的有机电子器件元件。具体而言，所述方法包括：a)提供适用于制备有机电子器件的分层结构，其包含：aa)包含第一电极结构和非电极部分的衬底；bb)由格栅材料形成的格栅，其中格栅的空白区布置在至少一部分第一电极结构之上，并且格栅材料布置在至少一部分非电极部分之上；和cc)包含至少一个电导率为至少1E‑7S/cm的氧化还原掺杂层的层堆叠物，所述层堆叠物被沉积在格栅上；其中通过吸收光谱法测量的格栅材料的光密度高于空白区的光密度；以及b)将光脉冲照射在分层结构上，所述光脉冲具有
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公开(公告)号：CN106062986A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480070560.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 卡斯滕·罗特 , 扬·比尔恩施托克 , 安斯加尔·维尔纳 , 凯·吉尔格 , 延斯·安格曼 , 迈克·策尔纳 , 弗朗西斯科·布卢姆 , 托马斯·罗泽诺 , 托比亚斯·坎茨勒 , 托马斯·卡里兹 , 乌尔里希·登克尔
CPC classification number: H01L51/005 , C07F9/5329 , C07F9/5728 , C07F9/58 , C07F9/64 , C07F9/65522 , C07F9/65527 , C07F9/65583 , C08K5/5397 , H01L27/3209 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/5076 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN110140228B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201780076674.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制备有机电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供可适用于制备有机电子器件的层叠体(33)，该层叠体包含：aa)光吸收层(32)；和bb)电导率为至少10‑7S/cm且厚度为0.1至100nm的有机半导体层；其中有机半导体层和光吸收层之间的距离选自0至500nm；b)提供光源；c)通过将光吸收层暴露于来自光源的光对其进行辐照处理；其中该辐照处理对于层叠体的至少1cm2、优选至少100cm的表面积是均匀的；其中辐照处理的持续时间为10ms或更短，并且辐照处理的能量密度在光吸收层的位置处为0.1至20J/cm2；并且光吸收层对于从光源辐照的光的吸收高于有机半导体层的相应吸收；以及可通过这种方式获得的有机电子器件和包含该有机电子器件的装置。
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公开(公告)号：CN106062986B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201480070560.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 卡斯滕·罗特 , 扬·比尔恩施托克 , 安斯加尔·维尔纳 , 凯·吉尔格 , 延斯·安格曼 , 迈克·策尔纳 , 弗朗西斯科·布卢姆 , 托马斯·罗泽诺 , 托比亚斯·坎茨勒 , 托马斯·卡里兹 , 乌尔里希·登克尔
Abstract: 本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN108232039A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711326547.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及闪光灯照明照射方法和可以通过这种方式获得的有机电子器件元件。具体而言，所述方法包括：a)提供适用于制备有机电子器件的分层结构，其包含：aa)包含第一电极结构和非电极部分的衬底；bb)由格栅材料形成的格栅，其中格栅的空白区布置在至少一部分第一电极结构之上，并且格栅材料布置在至少一部分非电极部分之上；和cc)包含至少一个电导率为至少1E‑7S/cm的氧化还原掺杂层的层堆叠物，所述层堆叠物被沉积在格栅上；其中通过吸收光谱法测量的格栅材料的光密度高于空白区的光密度；以及b)将光脉冲照射在分层结构上，所述光脉冲具有
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