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公开(公告)号：CN110678474A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880033634.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 维金塔斯·扬库什 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 乌尔里希·登克尔
IPC: C07F9/53
Abstract: 本发明涉及由通式(I)表示的化合物在包含于电子器件中的半导体层中的用途，相应的半导体层，相应的电子器件和相应的化合物，其中A1和A2独立地选自C1至C60含碳基团；A3至A9独立地选自氢、C1至C60含碳基团或卤素；R1和R2独立地选自通过sp3-杂化的碳原子与磷原子连接的C1至C60含碳基团；X是共价单键或由1至120个共价键合的原子组成的间隔基团。
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公开(公告)号：CN107750404A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201680027228.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/54 , H01L51/50 , C07D401/04 , C07D401/14 , C07D405/14
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D401/04 , C07D401/14 , C07D405/14 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0003 , H01L51/001 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0067 , H01L51/0073 , H01L51/0077 , H01L51/5076 , H01L51/508 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及基质化合物和有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管(OLED)包含发光层和至少两个电子传输层的电子传输层叠层，其中第一电子传输层和第二电子传输层包含至少一种基质化合物，其中‑所述第一电子传输层的一种基质化合物或多种基质化合物与所述第二电子传输层的一种基质化合物或多种基质化合物不同；且另外，‑所述第一电子传输层包含卤化锂和/或锂有机络合物的掺杂剂；且‑所述第二电子传输层不含掺杂剂；其中‑所述第二电子传输层(162)的至少一种基质化合物具有化学式Ia、Ib和/或Ic：其中Ar＝取代或未取代的具有6～20个成环碳原子的亚芳基；或亚咔唑基；ET＝具有13～40个成环碳原子的取代或未取代的芳基基团；或具有14～40个成环原子的取代或未取代的杂芳基基团。
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公开(公告)号：CN104321406A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380027430.6
申请日：2013-03-28
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0058 , C07D311/96 , C07D405/14 , C09K11/06 , C09K2211/1088 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/5012 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及根据式1的化合物在电子器件中所包含的电子传输层或电子注入层中的用途，其中R1、R2、R1′、R2′中的每个独立地选自H、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基和C6-C10芳基，或者在氧杂蒽骨架的同一芳族环上的两个取代基是彼此连接以一起形成稠合的二价C2-C10烃基基团的烃基基团；X和X′独立地选自C和N，如果X为C则R5为H，如果X′为C则R5′为H，如果X为N则R5为孤电子对，如果X′为N则R5′为孤电子对，和R3、R4、R3′、R4′中的每个独立地选自H和C6-C10芳基，其条件是R3、R4和R3′、R4′都不同时为芳基，和如果X为C，则R3与R4不同时为H，和如果X′为C，则R3′与R4′不同时为H，或者同一苯环或吡啶环上的两个取代基是彼此连接以一起形成表示稠合的被取代或未被取代的六元芳族环的二价C4-C10烃基基团的烃基基团。
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公开(公告)号：CN113228334B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201980081983.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 乌尔里希·登克尔
Abstract: 本发明涉及一种有机发光器件，所述有机发光器件包含阳极、阴极、至少两个发光层、和至少一个电荷产生层，其中所述至少两个发光层布置在阳极和阴极之间，并且其中所述至少一个电荷产生层布置在所述至少两个发光层中的两个之间；其中电荷产生层包含n型子层和p型子层，其中n型子层包含a)至少一种第一有机化合物，所述第一有机化合物包含至少一个P＝X基团，其中X选自O、S和Se；b)至少一种第二有机化合物，所述第二有机化合物包含至少一个金属络合基团、或者两个金属络合基团；和c)零价金属掺杂剂，其中所述零价金属掺杂剂是选自碱金属、碱土金属、稀土金属、第3族过渡金属及其混合物的金属；以及涉及所述有机发光器件的制备方法和在其中使用的组合物。
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公开(公告)号：CN107851736B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201680043294.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 乌尔里希·登克尔 , 卡斯滕·洛特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 托马斯·卡里兹
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料，其包含(i)基本上元素形式的正电性元素，其选自碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属，和(ii)至少一种第一化合物，其为包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团的化合物；制造所述半导体材料的方法；包括阴极、阳极和所述半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN107438908B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201680020759.3
申请日：2016-04-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 乌尔里希·登克尔 , 维金塔斯·扬库什 , 卡斯滕·罗特 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 卡特娅·格雷斐 , 乌尔里希·黑格曼 , 欧姆莱恩·法德尔
CPC classification number: H01L51/0052 , C07F9/5325 , C07F9/65517 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0073 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/552
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C2‑C30杂烷基、C6‑C30芳基、C2‑C30杂芳基、C1‑C30烷氧基、C3‑C30环烷氧基、C6‑C30芳氧基，以及选自具有通式E‑A‑的结构单元，其中A为C6‑C30亚苯基间隔单元，以及E为电子传输单元，其选自C10‑C60芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C6‑C60杂芳基，并且包含具有至少10个离域电子的共轭系统，并且至少一个选自R1、R2和R3的基团具有通式E‑A‑；和ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：其中M+为携带单一基本电荷的正金属离子，并且A1、A2、A3和A4各自独立地选自H、取代或未取代的C6‑C20芳基和取代或未取代的C2‑C20杂芳基，其中所述取代或未取代的C2‑C20杂芳基的含至少5个成环原子的杂芳基环包含至少一个选自O、S和N的杂原子。
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公开(公告)号：CN106663746A8
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201580035807.1
申请日：2015-06-26
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/54 , C07D405/14 , H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种电掺杂半导体材料，以及电子器件和化合物，所述电掺杂半导体材料包含：iii)至少一种选自由至少一种金属阳离子和至少一种阴离子组成的金属盐的电掺杂剂，和iv)至少一种式(1)的基质化合物，其中R1、R2、R1′、R2′各自独立地选自H、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基和C6-C14芳基，或者在氧杂蒽骨架的相同芳族环上的两个取代基是彼此连接以一起形成环状的二价C2-C10烃基基团的烃基基团，并且A和A′独立地选自包含至少一个sp2杂化氮原子的C1-C20杂芳基基团。
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公开(公告)号：CN104321406B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380027430.6
申请日：2013-03-28
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0058 , C07D311/96 , C07D405/14 , C09K11/06 , C09K2211/1088 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/5012 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及根据式1的化合物在电子器件中所包含的电子传输层或电子注入层中的用途，其中R1、R2、R1′、R2′中的每个独立地选自H、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基和C6‑C10芳基，或者在氧杂蒽骨架的同一芳族环上的两个取代基是彼此连接以一起形成稠合的二价C2‑C10烃基基团的烃基基团；X和X′独立地选自C和N，如果X为C则R5为H，如果X′为C则R5′为H，如果X为N则R5为孤电子对，如果X′为N则R5′为孤电子对，和R3、R4、R3′、R4′中的每个独立地选自H和C6‑C10芳基，其条件是R3、R4和R3′、R4′都不同时为芳基，和如果X为C，则R3与R4不同时为H，和如果X′为C，则R3′与R4′不同时为H，或者同一苯环或吡啶环上的两个取代基是彼此连接以一起形成表示稠合的被取代或未被取代的六元芳族环的二价C4‑C10烃基基团的烃基基团。
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公开(公告)号：CN113646916A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080019064.X
申请日：2020-02-05
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 皮埃尔·塞登格兰兹 , 彼得·罗巴斯奇克 , 乌尔里希·登克尔 , 斯特凡·左特 , 安妮·法德尔 , 马丁·安曼 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种制备有机半导体层的方法，其包括以下步骤：a)在第一真空热蒸发源中提供第一组合物，所述第一组合物包含aa)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含至少一个未取代或取代的C10‑C30稠合芳基基团和/或至少一个未取代或取代的C3‑C30杂芳基基团，其中所述一个或多个取代基，如果存在，则选自以下：(i)氘，(ii)卤素，(iii)C1至C22甲硅烷基基团，(iv)C1至C30烷基基团，(v)C1至C10烷基甲硅烷基基团，(vi)C6至C22芳基甲硅烷基基团，(vii)C3至C30环状烷基基团，(viii)C2至C30杂环状烷基基团，(ix)C6至C30芳基基团，(x)C2至C30杂芳基基团，(xi)C1至C30全氟烃基基团，或(xii)C1至C10三氟烷基基团，其中所述第一有机化合物具有i)在≥0德拜且≤2德拜范围内的偶极矩；ii)在≥400且≤1,800范围内的分子量；和bb)金属硼酸盐化合物；b)在真空室中使所述第一组合物从固相转变成气相；以及c)将所述第一组合物沉积在基底上以形成所述有机半导体层；还涉及其中使用的组合物和通过所述方式制备的有机电子器件。
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公开(公告)号：CN107750404B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201680027228.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/54 , H01L51/50 , C07D401/04 , C07D401/14 , C07D405/14
Abstract: 本发明涉及基质化合物和有机发光二极管(OLED)，所述有机发光二极管(OLED)包含发光层和至少两个电子传输层的电子传输层叠层，其中第一电子传输层和第二电子传输层包含至少一种基质化合物，其中‑所述第一电子传输层的一种基质化合物或多种基质化合物与所述第二电子传输层的一种基质化合物或多种基质化合物不同；且另外，‑所述第一电子传输层包含卤化锂和/或锂有机络合物的掺杂剂；且‑所述第二电子传输层不含掺杂剂；其中‑所述第二电子传输层(162)的至少一种基质化合物具有化学式Ia、Ib和/或Ic：其中Ar＝取代或未取代的具有6～20个成环碳原子的亚芳基；或亚咔唑基；ET＝具有13～40个成环碳原子的取代或未取代的芳基基团；或具有14～40个成环原子的取代或未取代的杂芳基基团。
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