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公开(公告)号：CN113646916B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202080019064.X
申请日：2020-02-05
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 皮埃尔·塞登格兰兹 , 彼得·罗巴斯奇克 , 乌尔里希·登克尔 , 斯特凡·左特 , 安妮·法德尔 , 马丁·安曼 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
IPC: H10K71/16
Abstract: 本发明涉及一种制备有机半导体层的方法，其包括以下步骤：a)在第一真空热蒸发源中提供第一组合物，所述第一组合物包含aa)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含至少一个未取代或取代的C10‑C30稠合芳基基团和/或至少一个未取代或取代的C3‑C30杂芳基基团，其中所述一个或多个取代基，如果存在，则选自以下：(i)氘，(ii)卤素，(iii)C1至C22甲硅烷基基团，(iv)C1至C30烷基基团，(v)C1至C10烷基甲硅烷基基团，(vi)C6至C22芳基甲硅烷基基团，(vii)C3至C30环状烷基基团，(viii)C2至C30杂环状烷基基团，(ix)C6至C30芳基基团，(x)C2至C30杂芳基基团，(xi)C1至C30全氟烃基基团，或(xii)C1至C10三氟烷基基团，其中所述第一有机化合物具有i)在≥0德拜且≤2德拜范围内的偶极矩；ii)在≥400且≤1,800范围内的分子量；和bb)金属硼酸盐化合物；b)在真空室中使所述第一组合物从固相转变成气相；以及c)将所述第一组合物沉积在基底上以形成所述有机半导体层；还涉及其中使用的组合物和通过所述方式制备的有机电子器件。
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公开(公告)号：CN117715891A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280046441.8
申请日：2022-06-28
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 马克斯·皮特·纽伦 , 本杰明·舒尔策 , 雅各布·亚切克·乌达尔奇克 , 彼得·罗巴斯奇克 , 亚历山大·兰普雷希特
IPC: C07D213/57 , H10K85/60 , H10K50/15 , C07C255/51
Abstract: 本发明涉及一种改进的式(I)的化合物和包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(I)的化合物。
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公开(公告)号：CN118435727A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084527.X
申请日：2022-12-16
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包含式(I)的化合物的电荷产生层。本发明还涉及包含该电荷产生层的有机电子器件和显示装置，以及式(I)的化合物。
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公开(公告)号：CN113646916A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080019064.X
申请日：2020-02-05
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 皮埃尔·塞登格兰兹 , 彼得·罗巴斯奇克 , 乌尔里希·登克尔 , 斯特凡·左特 , 安妮·法德尔 , 马丁·安曼 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种制备有机半导体层的方法，其包括以下步骤：a)在第一真空热蒸发源中提供第一组合物，所述第一组合物包含aa)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含至少一个未取代或取代的C10‑C30稠合芳基基团和/或至少一个未取代或取代的C3‑C30杂芳基基团，其中所述一个或多个取代基，如果存在，则选自以下：(i)氘，(ii)卤素，(iii)C1至C22甲硅烷基基团，(iv)C1至C30烷基基团，(v)C1至C10烷基甲硅烷基基团，(vi)C6至C22芳基甲硅烷基基团，(vii)C3至C30环状烷基基团，(viii)C2至C30杂环状烷基基团，(ix)C6至C30芳基基团，(x)C2至C30杂芳基基团，(xi)C1至C30全氟烃基基团，或(xii)C1至C10三氟烷基基团，其中所述第一有机化合物具有i)在≥0德拜且≤2德拜范围内的偶极矩；ii)在≥400且≤1,800范围内的分子量；和bb)金属硼酸盐化合物；b)在真空室中使所述第一组合物从固相转变成气相；以及c)将所述第一组合物沉积在基底上以形成所述有机半导体层；还涉及其中使用的组合物和通过所述方式制备的有机电子器件。
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