公开(公告)号：CN115804267A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180045206.4

申请日：2021-06-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 马克斯·皮特·努尔伦 ,  本杰明·舒尔策 ,  雅各布·亚切克·乌达尔奇克 ,  马丁·安曼 ,  皮埃尔·塞登格兰兹

IPC: H10K85/60 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含异构化合物的混合物。

公开(公告)号：CN113646916B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202080019064.X

申请日：2020-02-05

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 ,  皮埃尔·塞登格兰兹 ,  彼得·罗巴斯奇克 ,  乌尔里希·登克尔 ,  斯特凡·左特 ,  安妮·法德尔 ,  马丁·安曼 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹

IPC: H10K71/16

Abstract: 本发明涉及一种制备有机半导体层的方法，其包括以下步骤：a)在第一真空热蒸发源中提供第一组合物，所述第一组合物包含aa)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含至少一个未取代或取代的C10‑C30稠合芳基基团和/或至少一个未取代或取代的C3‑C30杂芳基基团，其中所述一个或多个取代基，如果存在，则选自以下：(i)氘，(ii)卤素，(iii)C1至C22甲硅烷基基团，(iv)C1至C30烷基基团，(v)C1至C10烷基甲硅烷基基团，(vi)C6至C22芳基甲硅烷基基团，(vii)C3至C30环状烷基基团，(viii)C2至C30杂环状烷基基团，(ix)C6至C30芳基基团，(x)C2至C30杂芳基基团，(xi)C1至C30全氟烃基基团，或(xii)C1至C10三氟烷基基团，其中所述第一有机化合物具有i)在≥0德拜且≤2德拜范围内的偶极矩；ii)在≥400且≤1,800范围内的分子量；和bb)金属硼酸盐化合物；b)在真空室中使所述第一组合物从固相转变成气相；以及c)将所述第一组合物沉积在基底上以形成所述有机半导体层；还涉及其中使用的组合物和通过所述方式制备的有机电子器件。

公开(公告)号：CN113228325B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201980081945.1

申请日：2019-12-16

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 本杰明·舒尔策 ,  沃洛季米尔·森科维斯基 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  皮埃尔·塞登格兰兹 ,  乌尔里希·登克尔 ,  斯特凡·左特

IPC: C07D239/00 ,  H10K50/10 ,  H10K50/16 ,  C07D239/02

Abstract: 一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极、阴极、至少一个发光层和有机半导体层；其中有机半导体层布置在所述至少一个发光层和阴极之间；其中有机半导体层包含：a)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含第一C10至C42芳烃结构组成部分和/或第一C2至C42杂芳烃结构组成部分，其中i)所述第一有机化合物的偶极矩，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，为0至2.5德拜；并且ii)所述第一有机化合物在取真空能级为零的绝对尺度上的LUMO能级，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，在‑1.7eV至‑2.1eV的范围内；和b)第二有机化合物，所述第二有机化合物包含第二C10至C42芳烃结构组成部分和/或第二C2至C42杂芳烃结构组成部分和另外至少一个选自氧化膦和硫化膦的极性基团，其中iii)所述第二有机化合物的偶极矩，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，为1.5至10德拜；并且iv)所述第二有机化合物在取真空能级为零的绝对尺度上的LUMO能级，比所述第一有机化合物的LUMO能级高或者低小于0.25eV；其中条件是所述第一有机化合物和所述第二有机化合物彼此不同。

公开(公告)号：CN113228325A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980081945.1

申请日：2019-12-16

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 本杰明·舒尔策 ,  沃洛季米尔·森科维斯基 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  皮埃尔·塞登格兰兹 ,  乌尔里希·登克尔 ,  斯特凡·左特

IPC: H01L51/50 ,  C07D239/00

Abstract: 一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极、阴极、至少一个发光层和有机半导体层；其中有机半导体层布置在所述至少一个发光层和阴极之间；其中有机半导体层包含：a)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含第一C10至C42芳烃结构组成部分和/或第一C2至C42杂芳烃结构组成部分，其中i)所述第一有机化合物的偶极矩，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，为0至2.5德拜；并且ii)所述第一有机化合物在取真空能级为零的绝对尺度上的LUMO能级，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，在‑1.7eV至‑2.1eV的范围内；和b)第二有机化合物，所述第二有机化合物包含第二C10至C42芳烃结构组成部分和/或第二C2至C42杂芳烃结构组成部分和另外至少一个选自氧化膦和硫化膦的极性基团，其中iii)所述第二有机化合物的偶极矩，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，为1.5至10德拜；并且iv)所述第二有机化合物在取真空能级为零的绝对尺度上的LUMO能级，比所述第一有机化合物的LUMO能级高或者低小于0.25eV；其中条件是所述第一有机化合物和所述第二有机化合物彼此不同。

公开(公告)号：CN116058109A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180044534.2

申请日：2021-06-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 马克斯·皮特·努尔伦 ,  本杰明·舒尔策 ,  雅各布·亚切克·乌达尔奇克 ,  马丁·安曼 ,  皮埃尔·塞登格兰兹

IPC: H10K85/60 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含半导体层，所述半导体层包含同分异构化合物的混合物。

公开(公告)号：CN113646916A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080019064.X

申请日：2020-02-05

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 ,  皮埃尔·塞登格兰兹 ,  彼得·罗巴斯奇克 ,  乌尔里希·登克尔 ,  斯特凡·左特 ,  安妮·法德尔 ,  马丁·安曼 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹

IPC: H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种制备有机半导体层的方法，其包括以下步骤：a)在第一真空热蒸发源中提供第一组合物，所述第一组合物包含aa)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含至少一个未取代或取代的C10‑C30稠合芳基基团和/或至少一个未取代或取代的C3‑C30杂芳基基团，其中所述一个或多个取代基，如果存在，则选自以下：(i)氘，(ii)卤素，(iii)C1至C22甲硅烷基基团，(iv)C1至C30烷基基团，(v)C1至C10烷基甲硅烷基基团，(vi)C6至C22芳基甲硅烷基基团，(vii)C3至C30环状烷基基团，(viii)C2至C30杂环状烷基基团，(ix)C6至C30芳基基团，(x)C2至C30杂芳基基团，(xi)C1至C30全氟烃基基团，或(xii)C1至C10三氟烷基基团，其中所述第一有机化合物具有i)在≥0德拜且≤2德拜范围内的偶极矩；ii)在≥400且≤1,800范围内的分子量；和bb)金属硼酸盐化合物；b)在真空室中使所述第一组合物从固相转变成气相；以及c)将所述第一组合物沉积在基底上以形成所述有机半导体层；还涉及其中使用的组合物和通过所述方式制备的有机电子器件。