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公开(公告)号：CN106062986A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480070560.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 卡斯滕·罗特 , 扬·比尔恩施托克 , 安斯加尔·维尔纳 , 凯·吉尔格 , 延斯·安格曼 , 迈克·策尔纳 , 弗朗西斯科·布卢姆 , 托马斯·罗泽诺 , 托比亚斯·坎茨勒 , 托马斯·卡里兹 , 乌尔里希·登克尔
CPC classification number: H01L51/005 , C07F9/5329 , C07F9/5728 , C07F9/58 , C07F9/64 , C07F9/65522 , C07F9/65527 , C07F9/65583 , C08K5/5397 , H01L27/3209 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/5076 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN116529304A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180076155.1
申请日：2021-11-12
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 马库斯·赫默特 , 托马斯·罗泽诺 , 斯特芬·伦格 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 奥利弗·朗古特 , 延斯·安格曼
IPC: C08K5/43
Abstract: 本发明涉及一种包括半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。
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公开(公告)号：CN115428185A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180022931.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 朴茂真 , 托马斯·罗泽诺 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 延斯·安格曼 , 凯·吉尔格 , 斯特芬·伦格 , 安妮特·斯托伊德尔
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底(110)、阳极层(120)、阴极层(190)、至少一个第一发光层(150)和空穴注入层(130)，其中‑所述空穴注入层包含金属络合物，其中‑所述金属络合物包含至少一种根据Allen电负性值小于2.4的正电金属原子，‑所述金属络合物包含至少一种包含至少4个共价结合原子的阴离子配体；‑所述阳极层包含第一阳极子层(121)和第二阳极子层(122)，其中‑所述第一阳极子层包含逸出功在>4且
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公开(公告)号：CN106062986B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201480070560.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 卡斯滕·罗特 , 扬·比尔恩施托克 , 安斯加尔·维尔纳 , 凯·吉尔格 , 延斯·安格曼 , 迈克·策尔纳 , 弗朗西斯科·布卢姆 , 托马斯·罗泽诺 , 托比亚斯·坎茨勒 , 托马斯·卡里兹 , 乌尔里希·登克尔
Abstract: 本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。
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