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公开(公告)号：CN107251260A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010833.3
申请日：2016-02-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/54 , H01L51/50 , C07D405/14
CPC classification number: H01L51/0073 , C07D405/14 , C07F9/6561 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/5092
Abstract: 本发明涉及一种包含电子传输基质化合物的半导体材料，所述电子传输基质化合物包含至少一个电子传输结构部分和至少一个极性结构部分；基质化合物；和利用所述半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN115136338A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180011032.X
申请日：2021-01-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包含阳极层、阴极层和空穴注入层的有机电子器件，其中空穴注入层布置在阳极层和阴极层之间，并且其中空穴注入层包含空穴传输化合物和金属络合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107251260B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201680010833.3
申请日：2016-02-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/54 , H01L51/50 , C07D405/14
Abstract: 本发明涉及一种包含电子传输基质化合物的半导体材料，所述电子传输基质化合物包含至少一个电子传输结构部分和至少一个极性结构部分；基质化合物；和利用所述半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号：CN119908192A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067196.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 安妮特·斯托伊德尔 , 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 皮尔马里亚·平特 , 黄强 , 托马斯·罗泽诺 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 斯特芬·维尔曼 , 乌尔里希·赫格曼
Abstract: 本发明涉及一种电致发光器件，所述电致发光器件包含阳极层、阴极层、第一发光层、空穴注入层和第一空穴传输层，所述电致发光器件含有包含金属的化合物。
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公开(公告)号：CN111087424A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911004800.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 安妮特·斯托伊德尔
IPC: C07F9/53 , C07F9/576 , C07F9/6521 , C07F9/6558 , C09K11/06 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及有机化合物、有机半导体层和有机电子器件。具体地，本发明涉及根据式1的化合物：其适合用作电子器件的层材料，还涉及包含至少一种根据式1的化合物的有机半导体层，以及包括至少一个有机半导体层的有机电子器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN115428185A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180022931.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 朴茂真 , 托马斯·罗泽诺 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 延斯·安格曼 , 凯·吉尔格 , 斯特芬·伦格 , 安妮特·斯托伊德尔
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底(110)、阳极层(120)、阴极层(190)、至少一个第一发光层(150)和空穴注入层(130)，其中‑所述空穴注入层包含金属络合物，其中‑所述金属络合物包含至少一种根据Allen电负性值小于2.4的正电金属原子，‑所述金属络合物包含至少一种包含至少4个共价结合原子的阴离子配体；‑所述阳极层包含第一阳极子层(121)和第二阳极子层(122)，其中‑所述第一阳极子层包含逸出功在>4且
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公开(公告)号：CN115088090A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180011031.5
申请日：2021-01-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极层、阴极层、至少一个发光层(EML)和至少一个空穴注入层(HIL)，其中所述空穴注入层布置在所述阳极层和所述至少一个发光层之间。
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