-
-
公开(公告)号：CN116171059A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211644131.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及包含有机半导体层的有机发光二极管。所述有机发光二极管包含阳极、阴极、第一发射层、第二发射层、被布置在第一发射层与第二发射层之间的至少一个有机半导体层、p‑型电荷产生层，其中，所述有机半导体层包含选自Sm、Eu、Yb的实质上金属的稀土金属掺杂剂和第一基质化合物，并被布置在第一发射层与p‑型电荷产生层之间且与所述p‑型电荷产生层直接接触，所述第一基质化合物包含至少两个菲咯啉基，所述p‑型电荷产生层包含轴烯掺杂剂和基质或由轴烯掺杂剂和基质构成。所述有机发光二极管有改善的操作电压、外部量子效率和/或随时间的电压升高。
-
公开(公告)号：CN111987232A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010430139.5
申请日：2020-05-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管，其包含阳极、发光层、空穴传输层和电子阻挡层，其中空穴传输层和电子阻挡层布置在阳极与发光层之间，并且电子阻挡层与发光层相邻并接触，其中电子阻挡层包含式(I)的化合物， 其中Ar1、Ar2和Ar3独立地选自C6～C48芳基，并且Ar1～Ar3中的至少一者由式(II)表示， 其中空穴传输层包含空穴传输基质化合物，其中空穴传输基质化合物的最高占据分子轨道的能级比如下化合物的最高占据分子轨道的能级更负，其中最高占据分子轨道的相应能级是将真空能级作为零在绝对能量刻度上确定的。
-
公开(公告)号：CN109942552A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811330890.7
申请日：2018-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基、芴基和杂芴基的化合物。具体地，本发明涉及根据式1的化合物，所述化合物适用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种根据式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
-
公开(公告)号：CN107452882A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710397438.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56 , C07D519/00
CPC classification number: H01L51/5234 , H01L51/002 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0089 , H01L51/5024 , H01L51/5056 , H01L51/5068 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5096 , H01L51/5278 , H01L2251/533 , C07D519/00 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及包含有机半导体层的有机发光二极管。所述有机发光二极管包含阳极、阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层排列在所述阳极与阴极之间，并且所述有机半导体层包含实质上金属的稀土金属掺杂剂和第一基质化合物，所述第一基质化合物包含至少两个菲咯啉基，本发明还涉及制备所述有机发光二极管的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119896076A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380066192.3
申请日：2023-12-11
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极层、阴极层、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层；并且涉及一种包含所述有机电致发光器件的显示装置。
-
公开(公告)号：CN111630050A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880086915.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: C07D405/04 , C07D409/04
Abstract: 本发明涉及适合用作电子器件的层材料的式1的三嗪化合物，并且涉及包含至少一种式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN119908192A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067196.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 安妮特·斯托伊德尔 , 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 皮尔马里亚·平特 , 黄强 , 托马斯·罗泽诺 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 斯特芬·维尔曼 , 乌尔里希·赫格曼
Abstract: 本发明涉及一种电致发光器件，所述电致发光器件包含阳极层、阴极层、第一发光层、空穴注入层和第一空穴传输层，所述电致发光器件含有包含金属的化合物。
-
公开(公告)号：CN118772142A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410407956.7
申请日：2024-04-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D471/04 , H10K85/60 , H10K50/16
Abstract: 本发明涉及一种化合物、半导体材料、有机发光二极管和显示装置。具体地，本发明涉及一种化合物。本发明还涉及一种包含所述化合物的半导体材料、一种包含所述半导体材料的有机发光二极管以及一种包含所述有机发光二极管的显示装置。
-
公开(公告)号：CN111989315A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980015982.2
申请日：2019-02-08
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 黄强
IPC: C07D239/26 , C07F9/53 , C07D417/14 , C07D471/04 , C07D263/57 , C07D271/107 , C07D277/22 , C07D277/66 , C07D513/04 , C07D285/12 , C07F9/6512 , C07F9/653 , C07F9/6539 , C07F9/6541 , C07F9/6561
Abstract: 本发明涉及有机材料和包含所述有机材料的电子器件，特别是电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含双杂芳基取代的芳基或杂芳基，其进一步被取代的芳基部分取代。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.048 seconds)
