-
公开(公告)号：CN119896081A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380066252.1
申请日：2023-09-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 皮尔马里亚·平特 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 托马斯·罗泽诺 , 斯特芬·维尔曼 , 乌尔里希·赫格曼
Abstract: 本发明涉及一种包含电荷产生层的有机电子器件。特别涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层、空穴注入层、第一发光层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含n型电荷产生层和p型电荷产生层。
-
公开(公告)号：CN107207420A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580069040.4
申请日：2015-12-16
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07C255/35 , C07D239/26 , C07D213/61 , C07D239/30 , C09K11/06 , H01L51/00 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/005 , C07C255/35 , C07C255/51 , C07C2601/02 , C07C2601/16 , C07D213/84 , C07D239/30 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1018 , H01L51/001 , H01L51/0067 , H01L51/506 , H01L51/5088 , H01L2251/554 , C07D213/61 , C07D239/26 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044
Abstract: 本发明涉及一种制备包含[3]‑轴烯p‑掺杂剂的电掺杂半导体材料或制备含有包括[3]‑轴烯p‑掺杂剂的层的电子器件的方法，相应的[3]‑轴烯化合物以及包括所述化合物的半导体材料和层和电子器件；所述方法包括如下步骤：(i)用[3]‑轴烯p‑掺杂剂装载蒸发源，和(ii)在升高的温度和减压下蒸发所述[3]‑轴烯p‑掺杂剂，其中所述[3]‑轴烯p‑掺杂剂选自具有根据式(I)的结构的化合物，其中A1和A2独立地为芳基或杂芳基取代的氰基亚甲基，所述芳基和/或杂芳基在A1和A2中独立地选自4‑氰基‑2,3,5,6‑四氟苯基、2,3,5,6‑四氟吡啶‑4‑基、4‑三氟甲基‑2,3,5,6‑四氟苯基、2,4‑双(三氟甲基)‑3,5,6‑三氟苯基、2,5‑双(三氟甲基)‑3,4,6‑三氟苯基、2,4,6‑三(三氟甲基)‑1,3‑二嗪‑5‑基、3,4‑二氰基‑2,5,6‑三氟苯基、2‑氰基‑3,5,6‑三氟吡啶‑4‑基、2‑三氟甲基‑3,5,6‑三氟吡啶‑4‑基、2,5,6‑三氟‑1,3‑二嗪‑4‑基和3‑三氟甲基‑4‑氰基‑2,5,6‑三氟苯基，并且至少一个芳基或杂芳基是2,3,5,6‑四氟吡啶‑4‑基、2,4‑双(三氟甲基)‑3,5,6‑三氟苯基、2,5‑双(三氟甲基)‑3,4,6‑三氟苯基、2,4,6‑三(三氟甲基)‑1,3‑二嗪‑5‑基、3,4‑二氰基‑2,5,6‑三氟苯基、2‑氰基‑3,5,6‑三氟吡啶‑4‑基、2‑三氟甲基‑3,5,6‑三氟苯基，前提条件是A1与A2中的所述杂芳基不能同时是2,3,5,6‑四氟吡啶‑4‑基。
-
公开(公告)号：CN117940439A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280062558.5
申请日：2022-09-19
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 斯特芬·维尔曼 , 乌尔里希·赫格曼
Abstract: 本发明涉及一种化合物，所述化合物由式(I)或式(V)表示，其中M是Cu、Zn、Al、Hf。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN116789566A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310717101.X
申请日：2015-12-16
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07C255/35 , C07C255/51 , C07C253/30 , C07D213/61 , C07D213/84 , C07D239/30 , C07D239/26 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/155 , H10K50/17
Abstract: 本发明涉及用于VTE的取代的1,2,3‑三亚基三(氰基甲基亚基)环丙烷、使用其的电子器件和半导体材料。具体而言，本发明涉及一种制备包含[3]‑轴烯p‑掺杂剂的电掺杂半导体材料或制备含有包括[3]‑轴烯p‑掺杂剂的层的电子器件的方法，相应的[3]‑轴烯化合物以及包括所述化合物的半导体材料和层和电子器件；所述方法包括如下步骤：(i)用[3]‑轴烯p‑掺杂剂装载蒸发源，和(ii)在升高的温度和减压下蒸发所述[3]‑轴烯p‑掺杂剂，其中所述[3]‑轴烯p‑掺杂剂选自具有根据式(I)的结构的化合物，其中A1和A2独立地为芳基或杂芳基取代的氰基亚甲基。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN116789565A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310716552.1
申请日：2015-12-16
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07C255/35 , H10K50/155 , H10K50/17 , C07C255/51 , C07D213/61 , C07D213/84 , C07D239/30 , C07D239/26 , C09K11/06 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及用于VTE的取代的1,2,3‑三亚基三(氰基甲基亚基)环丙烷、使用其的电子器件和半导体材料。具体而言，本发明涉及一种制备包含[3]‑轴烯p‑掺杂剂的电掺杂半导体材料或制备含有包括[3]‑轴烯p‑掺杂剂的层的电子器件的方法，相应的[3]‑轴烯化合物以及包括所述化合物的半导体材料和层和电子器件；所述方法包括如下步骤：(i)用[3]‑轴烯p‑掺杂剂装载蒸发源，和(ii)在升高的温度和减压下蒸发所述[3]‑轴烯p‑掺杂剂，其中所述[3]‑轴烯p‑掺杂剂选自具有根据式(I)的结构的化合物，其中A1和A2独立地为芳基或杂芳基取代的氰基亚甲基。#imgabs0#
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118402333A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082909.9
申请日：2022-12-13
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 斯特芬·维尔曼 , 乌尔里希·赫格曼 , 皮尔马里亚·平特
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，其中所述n型电荷产生层包含有机电子传输化合物和金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂选自按鲍林标度电负性≤1.4eV的金属；所述p型电荷产生层包含有机空穴传输化合物和Ce(IV)金属络合物，其中所述Ce(IV)金属络合物包含至少一个阴离子配体L。
-
公开(公告)号：CN117999865A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280062562.1
申请日：2022-09-19
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 斯特芬·维尔曼 , 乌尔里希·赫格曼 , 皮尔马里亚·平特
IPC: H10K50/17 , H10K85/30 , C07F5/00 , H10K101/30
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件以及一种金属络合物，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物包含选自Ce(IV)、Hf(IV)或Zr(IV)的金属离子M。
-
公开(公告)号：CN119908192A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067196.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 安妮特·斯托伊德尔 , 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 皮尔马里亚·平特 , 黄强 , 托马斯·罗泽诺 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 斯特芬·维尔曼 , 乌尔里希·赫格曼
Abstract: 本发明涉及一种电致发光器件，所述电致发光器件包含阳极层、阴极层、第一发光层、空穴注入层和第一空穴传输层，所述电致发光器件含有包含金属的化合物。
-
公开(公告)号：CN119677721A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380057974.0
申请日：2023-08-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 斯蒂芬·威尔迈恩 , 乌尔里希·赫格曼 , 皮尔马里亚·平特
IPC: C07D231/20 , C07D401/04 , C07D401/14 , C07D403/04 , C07D403/14
Abstract: 本发明涉及一种金属络合物、包含所述金属络合物的半导体层和包含其至少一种金属络合物的有机电子器件。
-
10.发明公开公开(公告)号：CN118160429A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280070465.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 斯特芬·维尔曼 , 乌尔里希·赫格曼
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含式(I)的金属络合物和式(II)的化合物，其中所述空穴注入层布置在所述阳极层与所述至少一个第一发光层之间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.023 seconds)
