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公开(公告)号：CN107978683A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711002821.9
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D221/18 , C07D239/70 , C07D251/24 , C07D495/04 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5076 , H01L51/508 , H01L51/5092 , H01L2251/554 , H01L51/0032 , H01L51/506
Abstract: 本发明涉及包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件。具体地，本发明涉及有机半导体材料以及包含所述半导体材料的电子器件，特别涉及电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含第一电子传输基质化合物和n型电掺杂剂；本发明还涉及包含所述电器件和/或电致发光器件的器件，特别涉及显示器件，特别涉及包含所述OLED的显示器件。
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公开(公告)号：CN107978683B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201711002821.9
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件。具体地，本发明涉及有机半导体材料以及包含所述半导体材料的电子器件，特别涉及电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含第一电子传输基质化合物和n型电掺杂剂；本发明还涉及包含所述电器件和/或电致发光器件的器件，特别涉及显示器件，特别涉及包含所述OLED的显示器件。
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公开(公告)号：CN107978685A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711038165.8
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5076 , C07D221/18 , C07D239/70 , C07D251/24 , C07D495/04 , H01L51/0054 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/5012 , H01L51/508 , H01L2251/301 , H01L2251/533 , H01L2251/554
Abstract: 本发明涉及包括氧化还原掺杂的电子传输层和辅助电子传输层的有机电致发光器件。具体地，本发明涉及有机电致发光器件，特别地涉及包括至少两个电子传输层的ETL堆叠体的有机发光二极管(OLED)，其中第一电子传输层包含第一电子传输基质化合物并且第二电子传输层包含第二电子传输基质化合物和氧化还原n型掺杂剂；以及涉及包括所述OLED的装置。
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公开(公告)号：CN107978685B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201711038165.8
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明涉及包括氧化还原掺杂的电子传输层和辅助电子传输层的有机电致发光器件。具体地，本发明涉及有机电致发光器件，特别地涉及包括至少两个电子传输层的ETL堆叠体的有机发光二极管(OLED)，其中第一电子传输层包含第一电子传输基质化合物并且第二电子传输层包含第二电子传输基质化合物和氧化还原n型掺杂剂；以及涉及包括所述OLED的装置。
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公开(公告)号：CN109216571B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201810736190.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包括空穴注入层和具有零价金属的电子注入层的有机电致发光器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极层、至少一个电子传输层、至少一个电子注入层、阴极层和发光层，其中发光层被布置在阳极层与阴极层之间，其中至少第一电子传输层和注入层被布置在发光层与阴极层之间，其中电子注入层被布置成与第一电子传输层直接接触，其中第一电子传输层被布置得更靠近阳极层并且电子注入层被布置得更靠近阴极层，其中至少第一电子传输层包含有机膦基质化合物和第一零价碱金属；并且电子注入层包含碱土金属和/或稀土金属的第二零价金属，和碱金属卤化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216571A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810736190.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5056 , H01L51/0045 , H01L51/0054 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L51/0034 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及一种包括空穴注入层和具有零价金属的电子注入层的有机电致发光器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极层、至少一个电子传输层、至少一个电子注入层、阴极层和发光层，其中发光层被布置在阳极层与阴极层之间，其中至少第一电子传输层和注入层被布置在发光层与阴极层之间，其中电子注入层被布置成与第一电子传输层直接接触，其中第一电子传输层被布置得更靠近阳极层并且电子注入层被布置得更靠近阴极层，其中至少第一电子传输层包含有机膦基质化合物和第一零价碱金属；并且电子注入层包含碱土金属和/或稀土金属的第二零价金属，和碱金属卤化物。
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公开(公告)号：CN107851733A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044669.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5004 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0067 , H01L51/0073 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5221 , H01L51/5268 , H01L2251/5315 , H01L2251/5353 , H01L2251/554
Abstract: 本发明涉及在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
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公开(公告)号：CN108292706B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
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公开(公告)号：CN110678474A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880033634.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 维金塔斯·扬库什 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 乌尔里希·登克尔
IPC: C07F9/53
Abstract: 本发明涉及由通式(I)表示的化合物在包含于电子器件中的半导体层中的用途，相应的半导体层，相应的电子器件和相应的化合物，其中A1和A2独立地选自C1至C60含碳基团；A3至A9独立地选自氢、C1至C60含碳基团或卤素；R1和R2独立地选自通过sp3-杂化的碳原子与磷原子连接的C1至C60含碳基团；X是共价单键或由1至120个共价键合的原子组成的间隔基团。
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公开(公告)号：CN108431289A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10-2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
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