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公开(公告)号：CN115241374A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210672671.7
申请日：2018-02-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法。具体地，本发明涉及一种电子器件，其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐以及包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子和/或至少一个阴离子配体的电中性金属络合物，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；和处于氧化态(IV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；前提是排除了a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂
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公开(公告)号：CN110521014B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201880012813.9
申请日：2018-02-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电子器件和制备所述电子器件的方法，所述电子器件在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价键合的原子构成的第一空穴传输基质化合物和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐和选自电中性金属络合物，所述电中性金属络合物包含金属阳离子和由至少4个共价键合的原子构成的至少一种阴离子配体和/或至少一种阴离子，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Me、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；以及选自处于氧化态(TV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；条件是排除：a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂，其中A1、A2、A3和A4独立地选自CO、SO2或POR1；R1＝吸电子基团，其选自：卤素、腈、卤代或全卤代的C1～C20烷基、卤代或全卤代的C6～C20芳基、或具有5～20个成环原子的卤代或全卤代的杂芳基；B1、B2、B3和B4相同或独立地选自：取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C1～C20杂烷基、取代或未取代的C6～C20芳基、取代或未取代的C5～C20杂芳基，或B1和B2形成环；以及b)由Li阳离子和选自高氯酸根和四氟硼酸根的阴离子构成的p型掺杂剂，并且所述第一空穴传输层包含子层，其中按重量和/或体积计以超过可以另外包含在所述子层中的其它组分的总量的量包含所述电掺杂剂。
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公开(公告)号：CN110462871B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201880012559.2
申请日：2018-02-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电子器件，其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐以及包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子和/或至少一个阴离子配体的电中性金属络合物，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；和处于氧化态(IV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；前提是排除了a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂
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公开(公告)号：CN110462871A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880012559.2
申请日：2018-02-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电子器件，其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐以及包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子和/或至少一个阴离子配体的电中性金属络合物，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；和处于氧化态(IV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；前提是排除了a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN105358652A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480032443.7
申请日：2014-06-06
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 欧姆莱恩·法德尔 , 迈克·策尔纳 , 卡斯滕·罗特 , 莫罗·富尔诺
CPC classification number: H01L51/0077 , C07F9/58 , C07F9/60 , C07F9/64 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0058 , H01L51/0072 , H01L51/5076
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，其包含第一电极，第二电极，以及在所述第一和所述第二电极之间的包含根据式(I)的化合物的基本上有机的层。
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公开(公告)号：CN118434821A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280081402.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管和包含其的显示装置或发光装置，所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层叠层。
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公开(公告)号：CN118414894A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280081455.3
申请日：2022-12-08
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管、用于制备其的方法和包含其的显示器件或照明器件，所述有机发光二极管包含不透明基底、阳极、阴极、发光层、电子注入层和电子传输层叠层。
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公开(公告)号：CN118140611A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280070483.5
申请日：2022-09-19
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 , 莫罗·富尔诺
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层、至少一个光活性层和半导体层，其中所述光活性层和所述半导体层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，其中所述半导体层布置在所述光活性层与所述阳极层之间；其中所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中所述第一阳极子层包含逸出功在≥4eV且≤6eV范围内的第一金属，并且所述第二阳极子层包含透明导电氧化物(TCO)；其中所述第二阳极子层布置得比所述第一阳极子层更靠近所述半导体层；其中所述半导体层包含至少一种金属络合物，其中所述金属络合物包含金属阳离子和至少一种阴离子配体，其中所述阴离子配体包含至少四个共价结合的原子，并且其中基于所述半导体层的总重量，所述半导体层包含在≥31重量％至≤100重量％范围内的所述金属络合物。
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