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公开(公告)号：CN110660915B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810684417.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色，进而与p型有机半导体Spiro‑OMeTAD复合，最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单，只有两层电极和一层CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层，成本低。
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公开(公告)号：CN110660915A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810684417.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro-OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色，进而与p型有机半导体Spiro-OMeTAD复合，最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单，只有两层电极和一层CuBiI4：Spiro-OMeTAD共混层，成本低。
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公开(公告)号：CN108034849B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201711290988.X
申请日：2017-12-08
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石‑镁复合散热材料及其制备方法和应用，通过在金刚石表面生成碳化钛到钛铜合金的梯度层修饰提高金刚石与镁基体的界面结合，采用放电等离子烧结技术快速合成轻质且热导率高的金刚石‑镁复合散热材料，从而有效解决电子封装领域元器件随封装密度增大而产生的散热问题。
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公开(公告)号：CN106848062B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201611249908.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987733A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201811057809.2
申请日：2018-09-11
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及锂离子电池负极材料活性多孔碳@FeS的制备方法。主要包括以下步骤：(1)将定性滤纸清洗，干燥待用；(2)将干燥后的滤纸置于ZnCl2水溶液中浸泡过夜，干燥待用；(3)将浸泡有ZnCl2活化剂的干燥滤纸热处理得到多孔碳材料；(4)上述处理后得到的多孔碳材料在铁源物质溶液中浸泡过夜，获得前驱体材料，然后将升华S粉和前驱体材料置于密闭容器中，于不完全真空环境下硫化反应得到活性多孔碳@FeS。本发明合成方法工艺简单，选用的原材料价格低廉、绿色环保、应用范围广。
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公开(公告)号：CN105039938B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510342675.9
申请日：2015-06-19
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供了一种单源前驱体制备α‑三氧化二铁薄膜的光电极的方法。以柠檬酸铁铵为原料在160‑200度或以草酸高铁铵为原料在90‑180度下水热沉积得到牢固致密的α‑三氧化二铁薄膜。本方法制备的α‑三氧化二铁薄膜可以直接沉积到F掺杂的二氧化锡（FTO）导电玻璃基片上。经过乙醇还原再氧化的过程活化的α‑三氧化二铁薄膜光电性能良好。本发明的优点：避免了使用多种反应前驱物，无需调节溶液中的其他添加剂的浓度；并且直接获得了α‑三氧化二铁薄膜，无需经过FeOOH退火转化为α‑三氧化二铁的过程，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN107032356A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710280081.9
申请日：2017-04-26
Applicant: 许昌学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00
CPC classification number: C01B33/021 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/01 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/80
Abstract: 本发明公开了一种多孔纳米硅的制备方法，包括以下步骤：化学气相沉积法制备镁二硅粉粗品，然后再用水热法处理镁二硅粉粗品，再将水热法处理后的产物纯化后即得到多孔纳米硅。本发明提供的多孔纳米硅的制备方法利用简单的设备，在相对较低的温度条件下，实现了大颗粒硅的多孔纳米化技术，大幅度降低了多孔纳米硅的制备成本。
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公开(公告)号：CN105489890A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510849704.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 许昌学院
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y30/00
CPC classification number: H01M4/5825 , B82Y30/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种用于锂离子电池负极的羟基锡酸铜微纳米微粒及制备方法。以氯化铜或硫酸铜为铜源、二氯化锡或四氯化锡为锡源，室温下制备的羟基锡酸铜微纳米微粒大小均匀，粒径为≤10 μm，充放电性能好。本发明采用的方法具有合成条件温和，成本低，制备工艺简便易行，合成过程中不需要加热，合成产物纯度较高，电化学性能优异等优点，可用于锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN109524478B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811327196.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及基于二硫化锡薄膜的柔性光电探测器件。本发明提供一种(001)晶面取向的二硫化锡薄膜，其为二硫化锡晶态薄膜，具有(001)晶面方向取向性。还提供一种基于二硫化锡薄膜的光电探测器件，包括权利要求1所述的二硫化锡薄膜，和平行设在二硫化锡薄膜上的两个电极。本发明的二硫化锡薄膜均匀性、致密性好，具有(001)晶面取向，有利于二硫化锡薄膜具有优良的柔性。本发明提供的二硫化锡光电探测器柔性好，可承受弯曲度高，且可承受大量弯曲次数，经过一万次以上弯曲性能基本保持不变。
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